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1.
CVD金刚石薄膜的应力研究   总被引:11,自引:1,他引:10       下载免费PDF全文
 利用X射线衍射研究了化学气相沉积的金刚石薄膜的应力情况。研究表明:热应力在研究范围内为压应力,本征应力是张应力。分析了薄膜厚度、生长温度、碳源浓度等实验参数对薄膜应力的影响。  相似文献
2.
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点. 对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构, 从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析, 计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度. 提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法. 对于多晶陶瓷粉末, 可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相.  相似文献
3.
退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响   总被引:9,自引:6,他引:3  
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样品在380nm附近出现了单一激子发射峰,而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰,同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。  相似文献
4.
利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒   总被引:5,自引:0,他引:5  
报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析。实验结果表明:纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化。在升温过程中,若单位时间内温度变化量较大(-100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(1.6-15nm); 若单位时间内温度变化量较低(-1℃/s),则纳米硅粒较大(23-46nm)。根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。  相似文献
5.
We investigated, for the first time, by using Energy Dispersive X-ray Diffraction, the structure of a new ternary cationic liposome formulated with dioleoyl trimethylammonium propane (DOTAP), 1,2-dioleoyl-3-phosphatidylethanolamine (DOPE) and cholesterol (Chol) (DDC) which has been recently found to have a selective high gene transfer ability in ovarian cancer cells. Our structural results provide a further experimental support to the widely accepted statement that there is not a simple and direct correlation between structure and transfection efficiency and that the factors controlling cationic lipid/DNA (CL-DNA) complexes-mediated gene transfer depend not only on the formulations of the cationic liposomes and their thermodynamic phase, but also significantly on the cell properties. Received: 28 October 2002 / Accepted: 21 March 2003 / Published online: 15 April 2003 RID="a" ID="a"e-mail: a.congiu@caspur.it  相似文献
6.
PZT-95/5压电陶瓷的冲击波活化改性研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
 研究了冲击波对PZT-95/5压电陶瓷的活化改性作用,对PZT-95/5粉末及块状材料进行动态冲击波加载。实验表明:在合适的条件下,冲击波作用可提高样品的密度ρ,压电应变常数d33,介电常数ε,降低介电耗损系数tg δ%。通过对样品进行X射线衍射,扫描电镜SEM、透射电镜TEM和X射线光电子能谱XPS等微观测试分析,揭示了冲击波改性的机理主要是:晶粒细化,晶界破坏,孔隙增多,缺陷增多,相变产生等,从而达到对样品改性的作用。  相似文献
7.
氢气放电源和X光机X射线源打靶谱的研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
用氢气放电源打靶的方法,测到了系列的谱线.为了鉴别这些谱线,进行了X光机X射线源打靶实验和两种源打靶的对比实验.实验结果表明:在X光机X射线源打靶谱中,除靶材料的特征X射线和两条源谱线外,还存在两种谱线:一种是能量变化的谱线,根据不同衍射角θ和测量角φ的实验结果,及打多晶体靶和非晶体靶的实验事实,表明这种能量变化的谱线是衍射线;另一种是能量恒定不变的谱线.氢气放电源和X光机X射线源打靶谱的对比实验结果表明:两种源打靶谱自洽.这说明和X光机X射线源打靶谱一样,氢气放电源打靶谱中那些能量变化的谱线是衍射线.但  相似文献
8.
MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2/V·s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明:随着S掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺S量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象。  相似文献
9.
HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
刘国汉  丁毅  朱秀红  陈光华  贺德衍 《物理学报》2006,55(11):6147-6151
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.  相似文献
10.
本文研究了晶体X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系,外延层之间X射线衍射的非相干叠加以及热应力引起的晶格应变和晶面弯曲对摇摆曲线半峰宽宽窄的影响.  相似文献
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