掺锗提高VO2薄膜的相变温度机理研究

二氧化钒(VO₂)作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料,发展潜力巨大,其相变温度(T_MIT)的调控一直是研究热点。本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO₂薄膜T_MIT的影响,并尝试解释其内部作用机理。在约1 cm²大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO₂薄膜。研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于T_MIT的提高(本课题T_MIT最大可达84.7 ℃)。T_MIT提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性,进而增强单斜态的稳定性,使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难。     

autoDIAS: a python tool for an automated distortion/interaction activation strain analysis

The distortion/interaction activation strain (DIAS) analysis is a powerful tool for the investigation of energy barriers. However, setup and data analysis of such a calculation can be cumbersome and requires lengthy intervention of the user. We present autoDIAS, a python tool for the automated setup, performance, and data extraction of the DIAS analysis, including automated detection of fragments and relevant geometric parameters. © 2019 Wiley Periodicals, Inc.     

面向内容的立体视频帧重要性区分模型研究

异构网络引起的视频传输失真是影响视频终端感知质量的重要因素，通常只能在解码端进行评估和补偿。因此在编码端建立一个面向内容的立体视频传输失真模型，考虑错误隐藏和错误扩散两种失真，通过近似估计视频中各帧对终端质量的贡献度，从而实现每帧重要性的区分。新模型综合考虑了视频帧编码位置以及表征内容的编码模式、运动矢量、视差矢量等关键信息，可以作为视频在异构网络中传输策略的重要依据。     

利用拖线阵运动特性的阵形估计方法

有效估计阵形是提高机动条件下拖线阵声呐探测性能的关键,流体力学类阵形估计方法稳定性和可靠性欠佳,导致其难以应用于工程实际,该文针对此问题提出一种基于拖线阵运动特性的阵形估计方法。利用稳态振荡响应公式计算拖船回转机动时拖线阵稳态阵形特性,将转向机动过程中阵上各点运动状态划分为若干阶段,进而依据偏微分方程特征线理论计算各阶段的分界时刻,探究阵上相邻两点的沿阵切线方向差变化规律,最后通过计算当前阵上各点的沿阵方向实现阵形估计。计算机仿真和海上实验数据验证表明算法可行且有效,与传统的流体力学类阵形估计方法相比具有更高的稳定性和更好的工程应用前景。     

Ni单原子催化剂表面CO2电还原动力学的电化学谱学解析

针对Ni单原子催化剂表面的CO₂电还原反应(CO₂RR), 提出了以Ni为活性位点的“单中心”机理以及同时借助Ni位点还原和碳氮锚定位水解的“双功能”机理. 依据稳态极化的实验结果, 开展了CO₂RR的动力学解析与模型参数的敏感性分析; 借助暂态模型方程, 分别获取可表达CO₂RR线性与非线性频响特征的电化学阻抗谱(EIS)与总谐波失真(THD)谱. 研究结果表明, CO₂的溶解分压对CO₂RR活性影响最显著. 若CO₂RR遵循“单中心”机理, Ni位点COOH_ads的形成为速率控制步骤; 但若为“双功能”机理, 碳氮锚定位的水解与Ni位点的CO_2,ads还原同为速率控制步骤. EIS理论上可用于区分CO₂RR的“单中心”机理与“双功能”机理; 与之相比, THD谱在CO₂RR的机理识别中并无优势.     

晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布

利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS4000 3D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出三种不同类型的穿透型位错,其中黑点腐蚀坑对应螺位错,小尺寸白点腐蚀坑对应刃位错,大尺寸白点腐蚀坑对应混合型位错。采用晶格畸变测试仪研究了4英寸(101.6 mm)N型4H-SiC晶体不同生长时期的位错密度及分布情况,结果表明随着晶体生长,位错密度呈现逐渐降低的趋势,生长后期晶片的总位错密度降为生长前期晶片总位错密度的近1/3,有利于反馈位错缺陷在SiC晶体生长过程中的延伸和转化特性信息,以指导SiC晶体生长工艺改进。     

An investigation of the electron density of a Jahn–Teller‐distorted CrII cation: the crystal structure and charge density of hexakis(acetonitrile‐κN)chromium(II) bis(tetraphenylborate) acetonitrile disolvate

In the crystal structure of the title homoleptic Cr^II complex, [Cr(CH₃CN)₆](C₂₄H₂₀B)₂·CH₃CN, the [Cr(CH₃CN)₆]²⁺ cation is a high‐spin d⁴ complex with strong static, rather than dynamic, Jahn–Teller distortion. The electron density of the cation was determined by single‐crystal X‐ray refinements using aspherical structure factors from wavefunction calculations. The detailed picture of the electronic density allowed us to assess the extent and directionality of the Jahn–Teller distortion of the Cr^II cation away from idealized octahedral symmetry. The topological analysis of the aspherical d‐electron density about the Cr^II cation showed that there are significant valence charge concentrations along the axial Cr—N axes. Likewise, there were significant valence charge depletions about the Cr^II cation along the equatorial Cr—N bonds. These charge concentrations are in accordance with a Jahn–Teller‐distorted six‐coordinate complex.     

Bloch Constant on α-Bloch Mappings of the Unit Ball

This note is denoted to establishing sharp distortion theorems for subclasses of α-Bloch mappings defined in the unit ball of Cn with critical points.Furthermore,the estimates of Bloch constant with respect to these subclasses are given.