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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
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ＣｒｙｓｔａｌａｎｄＭｏｌｅｃｕｌａｒＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＯＭＰＣＴＦＷａｎｇＲｕｉ－Ｙａｏ；ＪｉｎＺｈｏｎｇ－Ｓｈｅｎｇ（ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＲａｒｅＥａｒｔｈＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈａｎｇｃｈｕｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡ... 相似文献
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Characterization of Uncooled Poly SiGe Microbolometer for Infrared Detection 总被引：1，自引：0，他引：1 
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下载免费PDF全文 《中国物理快报》2003,20(5):770-773
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