钡钨阴极优化与热电子发射性能

分别从基体和铝酸盐两方面优化了钡钨阴极.在基体方面,首先采用窄粒度钨粉结合放电等离子体烧结获得了孔径分布窄的基体;再利用射频等离子体球化技术制备了球形钨粉,采用球形钨粉制备了多孔基体,获得了孔通道光滑、内孔连通性好、孔径分布更加窄的基体.与窄粒度钨粉基体相比,球形钨粉制备的阴极,空间电荷限制区的斜率由1.25增加至1.37,发射均匀性得到提高,拐点电流密度由6.6 A·cm^–2增至6.96 A·cm^–2.在此基础上,采用液相法改善了铝酸盐物相组成,发现空间电荷限制区的斜率增加至1.44,拐点电流密度增加至21.2 A·cm^–2.通过理论计算对钡钨阴极发射的物理本质进行了研究,发现钡钨阴极发射规律遵循偶极子理论.     

射频感应等离子体制备球形钨粉的工艺研究

 采用射频感应等离子体球化颗粒形状不规则的钨粉（平均粒度尺寸5～12 μm），研究了加料速率、物料分散方式、钨粉颗粒大小等因素对球化率的影响。当加料速率大于95 g/min时,粉体的球化率随着加料速率的增大急剧减小，加料速率增大到135.75 g/min时，样品钨粉球化率仅为30%。当携带气量为0.12 m3/h 时，分散效果较佳，其球形度相应也较好，球化率几乎达到100%；随着钨粉球化率提高，其松装密度有所增大。通过对不同粒度分布的原粉进行球化处理，得出结论：钨粉原粉粒度分布均匀，则相应制备出的球形钨粉的粒度分布也比较均匀。     

环氧-钨粉背衬工艺及其应用

本文实现一种用真空抽吸环氧法制成背衬的工艺。声阻抗率可达30×10~6Pas/m。背衬棒用于低超声频换能器,可以得到单极或双极的声脉冲。     

钨粉和蓝钨粉中钾的原子吸收光谱测定

一、前言作为掺杂元素的钾,在钨物料中起着重要作用。其量影响到钨丝的形状、强度、寿命以及抗蠕变性能。所以在工艺过程中钾的量就需要控制。因而提出了钨粉及蓝钨粉中微量钾的测定问题。     

离子色谱-膜去溶-ICP-MS法测定高纯钨粉中痕量金属杂质

灵敏地检测了高纯钨粉中的痕量金属杂质.钨粉用H2O2溶解后进入离子色谱的阳离子交换柱,经水淋洗后,用HNO3洗脱,洗脱后的溶液经过膜去溶装置雾化去溶后进入电感耦合等离子体质谱检测.除B,V,Sb外,其它杂质元素如Mg,Al,Ti,Cr,Be,Fe,Mn,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Sr,Cd,Ba等的回收率均在90%～107%之间,检出限在0.001～0.5μg/g之间.     

钽、钨、锡涂层氧含量的测定

冶金一级钽粉、喷涂专用钨粉、普通锡粉经等离子喷涂在铝基体上，由于等离子体焰流的温度高，涂层材料在喷涂过程中易受热氧化，涂层材料中氧的含量将直接影响涂层的各项性能，文中用LECO TC-436氧氮分析仪建立钽、钨、锡涂层中氧的测定方法，以确定最佳的喷涂工艺条件。     

钨粉爆炸烧结对粉末初始参数依赖关系的研究

本文从粉末爆炸烧结的能量沉积概念出发,提出了粉末爆炸烧结下限概念,讨论了钨粉末的爆炸烧结密度值和硬度分布对粉末初始参数的依赖关系,给出了实验结果。从理论和实验阐述了粉末初始参数在爆炸烧结实验中的重要作用。     

核-壳结构P(AM-co-MAA)-W-Ag复合微球的制备

以丙烯酰胺(acrylamide, AM)和甲基丙烯酸(methacrylic acid, MAA)的共聚微凝胶(P(AM-co-MAA))为模板, 通过离心沉积法将钨粉沉积于高分子微凝胶表面, 得到具有核-壳结构的P(AM-co-MAA)-W复合微球; 再以经聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)修饰的P(AM-co-MAA)-W复合微球为模板, 在硝酸银溶液中充分溶胀后, 通过向反相悬浮体系中缓慢通入氨气, 制备得到了具有核-壳结构的P(AM-co-MAA)-W-Ag双金属复合微球材料. 实验发现, 通过改变制备过程中AgNO3的初始浓度和PVP的用量等条件, 可以改变复合微球表面银的沉积量; 并结合实验结果初步提出了银的形成机理, 即PVP的存在, 不仅可以作为稳定剂固定Ag+离子, 同时可以作为还原剂促进Ag+还原为Ag的反应.     

钡-钨阴极的组织特性与热电子发射性能

利用正交试验探讨了放电等离子技术工艺参数（温度、压力、保温时间）对钡-钨（Ba-W）阴极中的W的孔隙度的影响规律,获得了孔隙率在23%～30%内变化时所需要的最佳工艺参数。在此基础上,制备出了具有不同孔隙度的球形W基体和普通不规则的W基体。研究表明:球形多孔W颗粒间堆积、排列有序,无闭孔,孔径分布集中而均匀,在26.3%的孔隙度下中值孔径为1.41 μm;机械性能方面,球形钨粉基体维氏硬度低于传统普通不规则钨多孔体。在脉宽10 μs、频率1000 Hz的条件下,阴极脉冲发射电流密度随着孔隙度的增大,先增大后减小。当基体孔隙度为26.3%时,阴极电流发射密度最大,在1050 ℃,偏离点发射电流密度可达24.62 A/cm2,零场发射电流密度为7.62 A/cm2,功函数为1.95 eV。