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1.
关童  滕静  吴克辉  李永庆 《物理学报》2015,64(7):77201-077201
本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作. 此体系中, 线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现: 磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势, 并且当温度不高于50 K时, 线性磁阻的大小对温度的变化不敏感. 栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小. 当化学势接近狄拉克点时, 线性磁阻最为显著. 这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.  相似文献   
2.
简要介绍了磁阻传感器的结构和工作原理,解释了标定磁场在地磁场测量中的作用。在此基础上,进一步分析了在不同磁场下磁阻传感器管脚如何调整方向以及在地磁场测量中如何找到地磁子午面等问题,通过具体的操作使学生对磁阻传感器测量地磁场实验的理解能够更加深入。  相似文献   
3.
孙志刚  庞雨雨  胡靖华  何雄  李月仇 《物理学报》2016,65(9):97301-097301
采用溶胶凝胶法以及静电纺丝法, 利用热处理工艺, 成功制备出了多晶锐钛矿型TiO2纳米线, 通过两线法在室温下测试单根TiO2纳米线的V-I曲线来研究其电输运性能及磁阻效应. 结果表明: 在无光照环境下其V-I曲线为不过零点的直线, 零场电阻较大, 在磁场作用下电阻下降, 表现出负磁阻效应; 紫外光辐照环境下TiO2纳米线载流子浓度增加使得电阻变小, 然而在磁场作用下电阻增大, 表现为正磁阻效应. 紫外光辐照导致的载流子浓度变化, 使得负磁阻转变为正磁阻, 我们将磁阻变化归结为d电子局域导致的负磁阻与能带劈裂导致的正磁阻两种机理相互竞争的结果.  相似文献   
4.
本文使用脉冲激光沉积方法在正交的NdGaO3(001)衬底上外延生长了La0.67Cao.33MnO3薄膜.退火后,由于外延应变引起薄膜正交畸变增强,薄膜在低于250K的整个温度区间都出现了铁磁金属态和反铁磁绝缘态的相分离和相竞争.这两相的竞争强烈依赖于磁场相对晶轴的方向,由此导致存在于很宽温度范围内的低场各向异性磁阻...  相似文献   
5.
将Rb+掺杂到PrMnO3体系,合成出Pr1-xRbxMnO3 (0.05≤x≤0.08),X射线衍射表明该系列化合物都为正交相, 空间群为Pnma. 磁性研究发现, 该系列化合物在高于200 K时符合居里-外斯定律; 在低温时表现出一定的自旋玻璃态的性质, 说明在低温下存在着铁磁和反铁磁的相互竞争. 同时测试了化合物Pr0.92Rb0.08MnO3.02在0和2 T下的电阻-温度曲线,计算出该化合物为半导体带隙约0.3 eV,116 K时其磁阻变化率大,约为30%.  相似文献   
6.
1问题的引出【题目】如图1所示,电源电压为200V,两个电容器C1,C2完全相同,静电计读数U和电压表读数U′,以下结果正确的是A.U=100V,U′=100VB.U=0,U′=200VC.U=200V,U′=0D.U=100V,U′=0图1错解:许多学生(甚至教师)认为电压表和静电计都是测量电压的仪器,两者的读数应相同,错选选项A.静电计是研究  相似文献   
7.
在大学物理课程铁磁质知识点的教学中,结合工程实践教育,使讲授的知识点能够理论联系实际,在提高教学效果的同时,使学生认识到理论知识在工程实践中的应用,进而使学生树立正确的知识价值观,提高学习兴趣,增强主动学习的意识.  相似文献   
8.
王敬平  孟健 《物理学报》2008,57(2):1197-1201
通过在半金属Fe3O4合成过程中外加磁场的方法,改变样品粒子的表面结晶状态和晶格缺陷,研究了由此引起的Fe3O4输运性质的变化.合成的Fe3O4粉体的主要导电机理均为自旋极化隧穿和高阶跃迁电导,电阻随温度升高成指数降低,电阻与电压显示了非线形相关性,磁阻与磁场的关系为蝴蝶形,是典型的隧道磁阻特征.与没有外加磁场时合成的样品比较,外加磁场合成的样品显示了更低的电阻和更高的磁阻. 关键词: 磁阻 隧穿 表面 晶格缺陷  相似文献   
9.
对InSb霍尔元件在-135~65℃内的霍尔电压的温度特性进行了测量,研究在恒流源和恒压源条件下其输出电压随温度的变化情况,并对其工作温度、线性范围及应用进行了探讨。  相似文献   
10.
La2/3Ca1/3MnO3中的输运机制与CMR效应   总被引:11,自引:3,他引:8  
研究了超大磁阻材料La2/3Ca1/3MnO3的磁电特性,发现由电阻测量得到的绝缘体.金属相变与由磁化曲线得到的顺磁-铁磁相变温区完全一致,均随磁场的增强推向高温区。结果证明样品输运行为的变化起因于磁结构的变化,在Tc附近产生超大巨磁电阻效应。  相似文献   
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