基于DNA酶催化的卟啉金属化检测锌

利用G-四链体DNA（T30695）催化Zn²⁺插入到中卟啉IX（MPIX）中，引起荧光偏移的特点，建立了检测Zn²⁺的方法。在40μmol/L MPIX、0.6μmol/L Pb²⁺、5μmol/L T30695和1%Triton的最优实验条件下，该方法在Zn²⁺浓度为0.5～5μmol/L范围内呈现良好的线性关系，相关系数R²=0.95，检出限为73.5 nmol/L。离子选择性实验表明该方法对Zn²⁺具有较好的选择性，用于实际样品测定，回收率在94.7%～100.4%之间。     

Synthesis and Structure of a Cerium Coordination Polymer Templated by Double-Keggin-anion

A porous coordination polymer, {[Ce（dpdo）4（H2O）3]（PMo_12O_40）（dpdo）0.5（H2O）4}n 1 （dpdo = 4,4＇-bipyridine-N,N＇-dioxide）, templated by double-Keggin-type polyanions was synthesized and structurally characterized. The crystal structure was determined by single-crystal X- ray diffraction. The crystal is of triclinic, space group P1 with a = 13.368（4）, b = 16.503（4）, c = 18.506（5）А, α = 88.831（5）, β= 82.095（5）, γ = 83.578（5）°,V= 4018.6（18）А^3, Z=2, C45H50N9O56CeMo12P, Mr = 2935.31, Dc = 2.426 g/m^3, μ= 2.491 mm^-1, F（000） = 2816, the final R=0.0603 and wR = 0.1611 for 11977 observed reflections with I 〉 2σ（I）. Compound 1 exhibits a 3D non-interwoven framework with large cavities housing centrosymmetrically related shoulder-by-shoulder double-Keggin anions as guests.     

高场强下金属化膜电容器绝缘电阻特性

分析了高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻的特点,得出高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻是电容器介质膜泄漏和自愈过程的综合反映。针对高场强下的应用条件提出一种金属化膜电容器绝缘电阻的测试方法,并对高场强下电容器的绝缘电阻进行测试。测试结果表明:在300~400 V/m工作场强范围内金属化膜电容器绝缘电阻随工作场强增大会急剧减小,由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随场强增加会逐渐变缓;在20~50 ℃工作温度范围内,金属化膜电容器绝缘电阻随温度升高会急剧减小,同样由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随温度增高会逐渐变缓。分析得出,高温高场强下金属化膜电容器介质膜泄漏将会导致电容器电压出现明显下降,影响电容器和脉冲功率系统的储能效率。     

超大规模集成电路的一些材料物理问题（I）——Cu互连和金属化

21世纪初，超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸将由150nm逐代缩至50nm。文章以100nmULSI器件为主，简要介绍与互连相关的一些材料物理问题，其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质。     

金属氢的高压合成机理

 从氢原子间及氢分子间的相互作用入手，提出了固体氢中氢分子在高压作用下解离为氢原子，并以氢原子相互结合成金属氢的微观转化过程的机理。用这样的转化机理，可以解释毛河光等关于固体氢的拉曼光谱频率随高压变化规律的实验结果。     

金刚石颗粒表面Cr金属化及薄膜间界面扩散反应的研究

运用直流磁控溅射法可在金属石颗粒表面沉积１５０ｎｍ的金属Ｃｒ。在超高真空条件下,以３００－６００℃的热退火处理,可促进Ｃｒ膜与金刚石基底间的界面扩散和反应,利用俄歇电子能谱研究了Ｃｒ／金刚石颗粒界面的结构状态,发现Ｃｒ与金刚石膜发生了强烈的界面扩散,Ｃｒ元素渗入金刚石层达９０ｎｍ,并在界面上发生化学反应形成Ｃｒ的碳化物层。对界面扩散反应动力学的研究表明,Ｃｒ／金刚石界面扩散反应的表观活性化能的３８     

氢吸附导致的SiC表面金属化

文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC（001）-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC（001）-32表面金属化的一种新机制：通过形成氢桥键（Si-H-Si 复合结构）形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.     

金刚石表面金属化技术

一、问题的提出 金刚右依靠其无以伦比的高硬度以及优良的机械 性能,使得金刚石工具成为加工各种硬质材料所不可 缺少的工具.目前,我国金刚石工具制造业已迅速形成年耗数千万克拉金刚石、种类齐全的新型工业部门. 由于金刚石与一般金属合金之间的界面能很高, 金刚石颗粒不能为一般低熔点会金浸润,可焊性极差. 统观我国制造的各种金属基体的金刚石工具(如钻头、 锯片启轮、砂轮修正工具等),金刚石颗垃仅仅被机械 地镶嵌在金属基体之中,在使用时,金刚石极易脱落. 笔者从大量的实践中估测孕镶式金刚石工具中金刚石 利用率仅为 60%左右,这意味着…     

PmClAn基膜修饰电极的电化学及催化性质研究

聚苯胺作为电极修饰材料 ,已在传感器上显示出广泛的应用前景[1～ 4 ] .异丙醇 ( i- P)氧化[5,6 ] 是个较简单的反应 ,被广泛作为电催化研究的模型反应 .目前 ,i- P电化学氧化的研究集中于 Pt的多晶或单晶电极[7～ 9] ,Gonzales等 [10 ] 报道了 Pt- Sn共沉积的 PAn膜修饰电极上的异丙醇电氧化 ,但对复合材料的微观结构仍欠研究 .本文讨论 Pm Cl An基质性质对 Pt电沉积的影响 ,并探讨了 i- P在沉积 Pt微粒的 Pm Cl An功能膜电极上的氧化情况 .1　实验部分1 .1　电极的制备　聚间氯苯胺 ( Pm Cl An,本征态 ud,HCl掺杂态 d)采用乳液聚…     

一种用于强激光系统的高比能脉冲电容器

 为了满足“神光-Ⅲ”原型装置能源系统的需要，桂林金属膜电容器厂研制成功一种高比能脉冲电容器，其尺寸为295 mm×138 mm×730(830) mm，额定电压25 kV，额定电容及偏差为55 μF，0~5 %，损耗角正切值(2.5 kV，50 Hz)小于 0.1%，比能达0.56 J/cm³ 。对该型电容器进行性能测试，所得电容偏差都在2%~5%范围，损失角正切值小于0.05%；极间耐压试验全部通过，极-地耐压试验全部通过。寿命试验中，放电电流5 kA，1×10⁴次充放电后，电容量下降1.8%。该型电容器目前已投入运行，工作情况良好。