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1.
采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-Ga N层表面上先沉积2 nm的Al2O3薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al2O3阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温IG-VG测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al2O3阻挡层改变了HR-Ga N的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al2O3薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱.  相似文献   
2.
光纤水听器是水声研究领域的关键技术,在实际应用中具有显著优势,广泛应用于AUV导航定位、资源勘探、海水警戒等场景。光纤水听器将声信号转化为光信号传播,在接收信号时就需要对光信号进行解调提取出声压信号。总结了几种常用的信号解调算法及关键技术,包括PGC解调法、3×3耦合器解调法和外差解调法;介绍了各种解调算法的基本原理和改进技术;总结对比了各种算法的优缺点;最后给出了光纤水听器解调技术面临的挑战。  相似文献   
3.
大量研究表明磷脂酰肌醇3-激酶δ(PI3Kδ)与多种恶性肿瘤及免疫疾病的发生、发展密切相关,因此成为一个备受关注的药物靶点.伊德利塞(Idelalisib),PI3Kδ抑制剂,是首个被FDA批准上市的PI3K抑制剂,以此开启了PI3 Kδ选择性抑制剂开发的热潮,但是严重的毒副作用阻碍了该类化合物的使用.随后,度维利塞(Duvelisib,IPI-145)于2018年被批准上市,度维利塞是PI3 Kδ/γ选择性抑制剂,然而目前关于度维利塞的选择性PI3K抑制分子机制报道较少,且目前尚无度维利塞/PI3K复合物晶体结构报道.因此本文采用整合的计算机模拟策略来揭示度维利塞的选择性抑制机制:通过分子对接获得度维利塞与PI3K各亚型的合理结合构象;分子动力学模拟结合自由能计算揭示选择性产生的关键位点及热点氨基酸.目前,因与其他亚型之间高度的同源性与结构保守性,使得PI3 Kδ选择性抑制剂开发受到极大挑战,本文以上市药物度维利塞为研究主体,有望为新型PI3 Kδ选择性抑制剂的开发及合理药物设计提供一定的指导意义.  相似文献   
4.
掺杂是调控金刚石性能的一种重要手段。本文采用温度梯度法,在5.6 GPa、1 312 ℃的条件下,选用Fe3P作为磷源进行磷掺杂金刚石大单晶的合成。金刚石样品的显微光学照片表明,随着Fe3P添加比例的增加,金刚石晶体的颜色逐渐变深,包裹体数量逐渐增加,晶形由板状转变为塔状直至骸晶。金刚石晶形的变化表明Fe3P的添加使生长金刚石的V形区向右偏移,这是Fe3P改变触媒特性的缘故。红外光谱分析表明,Fe3P的添加使金刚石晶体中氮含量上升,这说明磷的进入诱使氮原子更容易进入金刚石晶格中。激光拉曼光谱测试表明,随着Fe3P添加比例的增加,所合成的掺磷金刚石的拉曼峰位变化不大,其半峰全宽(FWHM)值变大,这说明磷的进入使得金刚石晶格畸变增加。XPS测试结果显示,随着Fe3P添加比例的增加,金刚石晶体中磷相对碳的原子百分含量也会增加,这意味着添加Fe3P所合成的金刚石晶体中有磷存在。  相似文献   
5.
李芬芳  何婧 《无机化学学报》2022,38(11):2259-2266
本文报道了2种二维同构配位聚合物{(NH2(CH322[M(L)]}n(M=Fe (1)、Co (2),H4L=1,1''-(1,4-苯基双(亚甲基))双(1H-吡唑-3,5-二羧酸))的合成、晶体结构和磁性。X射线单晶衍射结构分析表明,2种配合物属于相同的单斜晶系P21/n空间群,中心金属离子M(Ⅱ)是六配位的八面体构型。该配合物的特点是配离子带有2个负电荷,溶剂DMF分解形成的二甲基胺离子作为阳离子而使配合物保持电中性。在聚合物中,每个配体通过吡唑环上的N、O原子和该吡唑环上的单齿O原子桥联2个金属离子,形成···M-L-M-L···一维链,此一维链相交形成包含M4L4单元的无限二维网络结构。磁性研究表明,配合物12具有反铁磁性。  相似文献   
6.
采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga2O3薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga2O3薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga2O3在425~650 ℃温度区间存在物相转换关系。随着沉积温度从425 ℃升高至650 ℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯α-Ga2O3结晶状态向α-Ga2O3、β-Ga2O3两相混合结晶状态改变。通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga2O3薄膜表面形貌的影响,从475 ℃升高至650 ℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm。同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475 ℃、5 Pa压差条件下的α-Ga2O3薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga2O3薄膜材料。  相似文献   
7.
Three-dimensional(3D)vertical architecture transistors represent an important technological pursuit,which have distinct advantages in device integration density,operation speed,and power consumption.However,the fabrication processes of such 3D devices are complex,especially in the interconnection of electrodes.In this paper,we present a novel method which combines suspended electrodes and focused ion beam(FIB)technology to greatly simplify the electrodes interconnection in 3D devices.Based on this method,we fabricate 3D vertical core-double shell structure transistors with ZnO channel and Al2O3 gate-oxide both grown by atomic layer deposition.Suspended top electrodes of vertical architecture could be directly connected to planar electrodes by FIB deposited Pt nanowires,which avoid cumbersome steps in the traditional 3D structure fabrication technology.Both single pillar and arrays devices show well behaved transfer characteristics with an Ion/Ioff current ratio greater than 106 and a low threshold voltage around 0 V.The ON-current of the 2×2 pillars vertical channel transistor was 1.2μA at the gate voltage of 3 V and drain voltage of 2 V,which can be also improved by increasing the number of pillars.Our method for fabricating vertical architecture transistors can be promising for device applications with high integration density and low power consumption.  相似文献   
8.
“提绳”模型是竞赛力学中应用微元法分析问题的典型模型,学生在分析处理问题时发现应用冲量与动量变化观点和做功与能量转化观点,得到不同的结果.文章从该矛盾出发,深度分析了应用做功与能量转化观点所构建的物理模型的问题所在,并在修正模型后给出了统一自洽的结果.最后从力与运动观点再次验证结果的正确性,让学生充分体验了物理学的统一美.  相似文献   
9.
詹固  侯秋梦  韩波 《合成化学》2022,30(12):925-929
酞嗪-2-二氰基甲烷鎓盐是一类研究相对较少的1,3-偶极子,目前关于其反应化学的报道主要局限于1,3-偶极环加成反应。本研究发展了一种酞嗪-2-二氰基甲烷鎓盐在1,3-偶极环加成以外的新反应模式,以酞嗪-2-二氰基甲烷鎓盐与取代2-(羟基(苯基)甲基)苯酚为原料,在质子酸的催化下经历[2+4]环加成-串联环化历程,合成了7个不同取代的六环咪唑并[2,1-a]酞嗪产物,其结构经1H NMR, 13C NMR和HR-MS(ESI)表征。  相似文献   
10.
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