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1.
基质辅助激光解析/电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)是一种新型软电离生物质谱,具有检测速度快、操作简便、结果准确等优点,目前已成为可靠的微生物快速鉴定技术。就工作流程而言,与常规生化方法相比,MALDI-TOF MS可以将微生物鉴定的时间缩短为一天甚至更短。对于具有抗生素耐药性的微生物,使用MALDI-TOF MS鉴定也有很好的准确性。在病毒鉴定中,MALDI-TOF MS也可以发挥作用,已有报道将MALDI-TOF MS和机器学习(ML)分析方法结合来检测鼻拭子中SARS-CoV-2。此外,MALDI-TOF MS还可用于细菌的无光谱库鉴定。目前,MALDI-TOF MS正通过与其他技术(例如傅里叶红外光谱FTIR)相结合进一步扩大微生物鉴定范围。 相似文献
2.
《理化检验(化学分册)》2015,(2):234
<正>机械工业理化检验人员技术培训和资格鉴定委员会秘书处,中国机械工程学会理化检验分会,上海材料研究所检测中心经研究决定,将于2015年在上海材料研究所联合举办三期"化学分析、光谱分析、力学性能、金相检验"四个专业的一、二级检验人员技术培训班,举办一期"失效分析"二级人员技术资格培训班,举办一期"化学分析、力学性能、金相检验"三级人员技术资格培训班,具体安排如下。各单位根据需要进行报名,每期培训班前另外 相似文献
3.
《理化检验(化学分册)》2015,(1):104
<正>为了提高我国理化检验专业人员的技术能力和企业竞争力,建立理化检验学习交流平台,经研究决定,机械工业理化检验人员技术培训和资格鉴定委员会秘书处、中国机械工程学会理化检验分会、上海材料研究所检测中心,将于2015年4月8日~4月29日在上海材料研究所联合举办化学分析、光谱分析、力学性能、金相检验四个专业检验人员技术资格培训班。具体事项如下:1.在学会网站www.ptcai.org下载"理化检验人员技 相似文献
4.
以鰤鱼诺卡氏菌(Nocardia seriolae)为研究材料,经扩大培养,离心集菌,用三氯乙酸处理以除去细胞壁上的磷壁酸及菌体内的核酸,甲醇、丙酮脱脂后,再经胰蛋白酶及中性蛋白酶复合酶解去除菌体内部的蛋白质,离心清洗、冻干即可制得肽聚糖.经过溶菌酶溶解试验,紫外可见光谱扫描分析证明所得产物为肽聚糖,透射电镜观察显示所提取的肽聚糖为囊状结构,且仍保持着原有的细菌细胞形态,证实所提取的肽聚糖为全肽聚糖. 相似文献
5.
利用大肠埃希菌(E.coli O111:B4)中提取精制的内毒素(Control standard endotoxin,CSE)为研究对象,以MnO2/石墨烯(MnO2/G)纳米复合材料为基质,建立了一种基于MnO2/G纳米材料的表面辅助激光解吸电离质谱(Surface-assisted laser desorption ionization mass spectrometry,SALDI-MS)的内毒素检测新方法.利用SALDI-MS方法可实现对不同注射液和饮用水中内毒素的快速鉴定与定量分析.与传统的鲎试剂检测方法相比,基于MnO2/G纳米复合材料的SALDI-MS方法具有操作简便、灵敏度高、分辨率高、检测速度快、高通量和耐盐性好等优点,有望应用于更多食品和药品中细菌内毒素的高通量快速筛查. 相似文献
6.
以食品发热包为主题情境,通过探析发热包成分、解密发热原理、计算原料配比、配制发热包等环节梳理酸和碱的性质、用途。从元素观、转化观的视角认识物质转化规律,体现物质研究的一般思路,凸显科学探究的基本过程。通过设计方案测定发热包中碳酸钠的含量,总结混合物成分鉴定及定量测定的方法;归纳气体定量测定的影响因素。呈现一堂学科观念、学科方法教学具体课例,凸显物质研究、定性检验、定量测定的基本方法。 相似文献
7.
《理化检验(化学分册)》2014,(5):540
机械工业理化检验人员技术培训和资格鉴定委员会秘书处,中国机械工程学会理化检验分会,上海材料研究所检测中心经研究决定,将于2014年在上海材料研究所联合举办三期"化学分析、光谱分析、力学性能、金相检验"4个专业的一、二级检验人员技术培训班,举办一期"化学分析、力学性能、金相检验"三级人员技术资格培训班。 相似文献
8.
9.
Impact of CHFa Plasma Treatment on A1GaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement 下载免费PDF全文
We investigate the impact of CHFa plasma treatment on the performance of AIGaN/GaN HEMT (F-HEMT) by a temperature-dependent measurement in the thermal range from 6 K to 295 K. Tlle temperature dependence of the transconductance characteristics in F-HEMT declares that the Coulomb scattering and the optical phonon scattering are effectively enhanced by the fluorine ions in the A1GaN layer. The fluorine ions not only provide immobile negative charges to deplete 2DEG, but also enhance the Schottky barrier height of the metal gate. Thermal activation of the carrier traps induced by CHF3 plasma for F-HEMT contributes to the negative shift of the threshold voltage by -3.4mV/℃ with the increasing temperature. The reverse gate-leakage current of F-HEMT is decreased by more than two-order magnitude in comparison with that of conventional A1GaN/GaN HEMT (C-HEMT) without fluorine ions. 相似文献