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1.
Room-temperature photoluminescence and optical transmittance spectroscopy of Co-doped(1×1014,5×1016,and 1×1017cm-2) and Cu-doped(5×1016cm-2) ZnO wafers irradiated by D-D neutrons(fluence of 2.9×1010 cm-2) have been investigated.After irradiation,the Co or Cu metal and oxide clusters in doped ZnO wafers are dissolved,and the wu¨rtzite structure of ZnO substrate for each sample remains unchanged and keeps in high c-axis preferential orientation.The degree of irradiation-induced crystal disorder reflected from the absorption band tail parameter(E0) is far greater for doped ZnO than the undoped one.Under the same doping concentration,the Cu-doped ZnO wafer has much higher irradiation-induced disorder than the Co-doped one.Photoluminescence measurements indicate that the introduction rate of both the zinc vacancy and the zinc interstitial is much higher for the doped ZnO wafer with a high doping level than the undoped one.In addition,both crystal lattice distortion and defect complexes are suggested to be formed in doped ZnO wafers.Consequently,the Co-or Cu-doped ZnO wafer(especially with a high doping level) exhibits very low radiation hardness compared with the undoped one,and the Cu-doped ZnO wafer is much less radiation-hard than the Co-doped one.  相似文献   
2.
张焱  王越  马平  冯庆荣 《物理学报》2014,63(23):237401-237401
利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的MgB2单晶纳米晶片. 利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上, 以便对其精细结构等物性进行表征. 电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性: Tconset=38 K, Tc(0)=33 K. 扫描电子显微镜图像表明, 晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间, 宽度从几微米到上百微米; 高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹. 选区电子衍射数据与MgB2已有的单晶衍射数据相符. 这些测量结果证实了其确为高质量单晶MgB2超导纳米晶片. 本文不仅提出了一种全新的制备单晶MgB2的方法, 也观察到了纳米尺度MgB2单晶的零电阻现象, 为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材. 关键词: 2')" href="#">单晶MgB2 超导纳米晶片 零电阻 混合物理化学气相沉积法  相似文献   
3.
为确定飞秒激光光束对微尺度结构的烧蚀深度,研究了给定功率条件下对应的激光束有效烧蚀焦距。提出采用激光焦点处获得的烧痕阵列图像及在离焦状态下提取烧痕图像特征,通过分析图像特征与离焦距离,获得激光束有效烧蚀焦距范围的方法。在激光束焦点附近的硅晶片表面烧蚀出斑痕阵列,向下逐渐减小焦距,采集硅晶片斑痕图像,提取斑痕平均像素面积及斑痕目标与背景之间的R分量灰度差,获得斑痕像素面积及灰度差随激光束焦距变化的曲线;向上逐渐增大焦距,提取并获得斑痕像素面积及灰度差随激光束焦距变化的曲线。结合激光束向下离焦阈值(633 μm)及向上离焦阈值(993 μm),确定20 mW输出功率条件下,飞秒激光在硅晶片材料表面的有效烧蚀深度为360 μm。采用中位值方法确定了激光束在硅晶片表面聚焦时的焦距为0.823 mm。实验表明,激光烧蚀斑痕像素面积及灰度差与激光束焦距之间的关系能够客观地反映激光束有效烧蚀焦距的变化范围。  相似文献   
4.
The microwave photonic filters (MPFs) based on serially coupled silicon microring resonators (MRRs) are theoretically analyzed for the application of 60-GHz millimeter wave wireless personal area networks. This is achieved by calculating the improvement of bit error ratio (BER). According to the simulation results, the requirement of signal-to-noise ratio (SNR) of the received data can be reduced by 14 dB for the same BER with and without MPFs. The performance of the MPF with five serially coupled microring structures is better than that of the MPF with a single microring, owing to the improvement of the shape factor.  相似文献   
5.
最细的导线     
 担心量子效应会打破欧姆定律以及微小导线具有更大的电阻,现在看来是毫无事实依据的.美国印第安纳州普度大学(Purdue University)的柳勋(Hoon Ryu音译)和同事研发出只有4个原子粗细的导线,这些磷导线被嵌入硅晶片中,深度为1个原子.  相似文献   
6.
The feasibility of sound absorbing by a vibrating plate with piezoelectric material and shunt circuits is theoretically investigated. Based on an equivalent compliance of a piezoelectric wafer shunted with RL circuits, the governing equations for the fiexural vibration of the plate with the piezoelectric wafer are derived using Lagrange's approach. The equations take into account not only the mass, stiffness and structural damping of the plate and the wafer, but also the electrical resistance and electrical inductance of the RL circuits. By using the governing equations derived, the surface impedance and sound absorption coefficient of the plate backed with a cavity are given. Numerical results show that the sound absorption coefficient of the plate near its first mode can be significantly improved by adjusting the RL parameters.  相似文献   
7.
优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向.为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺.本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况.测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5%之内,研磨片厚度偏差小于5 μm、粗糙度Ra=0.12 μm.  相似文献   
8.
《中国光学》2012,(6):682-682
这是被植入到光子晶片中的一根原始丝纤维。这根纤维将3张能捕捉光的晶牌连接起来。试验中,光被注入其中1张晶片中,  相似文献   
9.
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。  相似文献   
10.
往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究   总被引:7,自引:2,他引:5  
通过往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片实验,分析了切片表面的微观形貌特点,研究了锯丝速度与进给速度对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响规律.结果表明:线锯锯切时材料以脆性模式去除,锯切表面的微观形貌呈现部分沟槽与断续划痕,并存在大量凹坑;锯丝速度增大,进给速度减小,表面粗糙度与SSD减小;锯丝速度增大,进给速度增大,硅片的翘曲度也随之增大;硅片TTV值与锯丝速度和进给速度的匹配关系相关.  相似文献   
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