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1.
锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnSxSe2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnSxSe2-x纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnSxSe2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnSxSe2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。  相似文献   
2.
铒掺杂硼酸盐玻璃广泛应用于发光材料中,研究其发光动力学性质对于优化和提高其发光效率具有重要意义. 本文采用传统的熔融淬火法合成了摩尔比为2%的掺铒硼酸盐玻璃,并在低于硼酸盐玻璃转变温度(260 °C)下退火,退火处理后的掺铒硼酸盐玻璃光学性质得到了一定程度的提高. 硼酸盐玻璃未掺杂和掺杂Er3+的热性能采用差示扫描量热法以10 °C/min的速度进行测量. 同时还测量了掺铒硼酸盐玻璃发光机理的吸收光谱、激发光谱、稳态发射光谱、瞬态发射光谱和衰减动力学曲线. 实验结果表明Er3+在不同激发波长下556 nm处发射时具有不同的寿命,在掺铒硼酸盐玻璃中可能存在激发态阱,利用实验数据得到了激发态阱的深度为0.14 eV.  相似文献   
3.
采用水热-煅烧法制备Cd2SnO4,之后通过超声混合法得到一系列MoS2/Cd2SnO4复合材料。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对Cd2SnO4和一系列MoS2/Cd2SnO4复合材料进行结构和形貌的表征。研究了MoS2掺杂量对于MoS2/Cd2SnO4复合材料的气敏性能影响。实验结果表明,当MoS2与Cd2SnO4的质量比为2.5%,MoS2/Cd2SnO4复合材料制备的气敏元件在170 ℃时对浓度为100 μL·L-1的甲醛气体的灵敏度为40.0,最低检测限为0.1 μL·L-1。  相似文献   
4.
Indium oxide supported nickel catalyst has been experimentally confirmed to be highly active for CO2 hydrogenation towards methanol.In this work,the reaction mechanism for CO2 hydrogenation to methanol has been investigated on a model Ni/In2O3 catalyst,i.e.,Ni4/In2O3,via the density functional theory(DFT)study.Three possible reaction pathways,i.e.,the formate pathway,CO hydrogenation and the reverse water-gas-shift(RWGS)pathways,have been examined on this model catalyst.It has been demonstrated that the RWGS pathway is the most theoretically-favored for CO2 hydrogenation to methanol.The complete RWGS pathway follows CO2+6 H→COOH+5 H→CO+H2O+4 H→HCO+H2O+3 H→H2CO+H2O+2 H→H3CO+H2O+H→H3COH+H2 O.Furthermore,it has been also proved that the interfacial oxygen vacancy can serve as the active site for boosting the CO2 adsorption and charge transfer between the nickel species and indium oxide,which synergistically promotes the consecutive CO2 hydrogenation towards methanol.  相似文献   
5.
6.
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2N-Sc、Ti2N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9%,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值。  相似文献   
7.
孔宇晗  王蓉  徐明生 《物理学报》2022,(12):481-486
在众多二维材料中,过渡金属硫族化合物由于其具有独特的光电特性深受广大研究者喜爱.近年来,由二维过渡金属硫族化合物材料与有机半导体结合构建的范德瓦耳斯异质结受到极大的关注.这种异质结可以利用两者的优势对光电特性等性能进行调控,为许多基础物理和功能器件的构建提供了研究思路.本文构建了酞菁铜/二硫化钼(CuPc/MoS2)范德瓦耳斯异质结,并对其荧光特性进行了表征和分析.与单层MoS2相比较发现,引入有机半导体CuPc后,异质结当中发生了明显的荧光淬灭现象.通过荧光分析,该现象可以用引入CuPc后异质结中负三激子与中性激子之比增加来解释.此外,通过第一性原理计算分析发现,引入CuPc会在MoS2的禁带中引入中间带隙态,使得CuPc与MoS2之间产生非辐射复合,这同样会导致荧光淬灭的发生.CuPc/MoS2异质结的荧光淬灭现象可以为同类型范德瓦耳斯异质结的光电特性调控研究提供参考和思路.  相似文献   
8.
采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-Ga N层表面上先沉积2 nm的Al2O3薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al2O3阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温IG-VG测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al2O3阻挡层改变了HR-Ga N的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al2O3薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱.  相似文献   
9.
10.
双电解液锂空气电池因其高理论能量密度受到广泛研究,但电池正极侧氧还原反应(ORR)速率低,其反应速率是限制锂空气电池发展的主要因素之一.本文提出了以钌(Ru)掺杂单层石墨烯作为正极ORR催化剂,采用第一性原理计算nRu (n=1~3)掺杂石墨烯的电子结构和氧气在Ru掺杂石墨烯表面的吸附性能,并以过渡态搜索方法获得ORR反应路径,研究碱性溶液中Ru掺杂单层石墨烯作用下的ORR机理.研究结果表明,经Ru原子掺杂后,石墨烯能够获得稳定的掺杂结构,且电导率显著提升.同原始单层石墨烯相比,Ru掺杂石墨烯增强了对O2的吸附能力.在三Ru(n=3)掺杂石墨烯表面进行的ORR无需克服任何能垒.此外,三Ru掺杂石墨烯表面对OH基团的吸附能最低,有利于ORR的连续进行.研究表明三Ru掺杂石墨烯有望成为一种新型的ORR催化剂以提高双电解液锂空气电池的性能.  相似文献   
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