球状纳米系统高能级斯塔克效应和谱

以三层CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,研究了在电场和层间作用下球状纳米系统高能级斯塔克效应的能级分裂规律以及谱线的频率、强度和自发幅射系数的线度效应. 结果表明,系统的斯塔克效应在只有电场时,能级是按1,3,…,(2n—1)的规律进行分裂,与氢原子类似;有电场和层间同时作用时,能级是按1,4,…,n²的规律进行分裂. 量子跃迁时各谱线的频率均随系统线度增大而减小,除少数谱线外,多数谱线的强度随线度增大而减小,而自发幅射系数随线度增大而增大;电场会引起谱线的频率发生改变,其谱线频移量与电场强度的平方成正比;除少数谱线外,电场和层间作用引起的谱线频移量均随线度增大而减小;层间作用会使电子的能级稍有降低,稍微增大谱线的强度和自发幅射系数值,但它不会影响谱线的频率、强度和自发幅射系数随线度的变化趋势,在线度较小时层间作用的影响才显著.     

圆形吸声管本征值方程的一种解法

内贴吸声材料的圆形、矩形等吸声管,作为使管内传播声音衰减的有效而简便方法,已在许多方面实际应用。为了从数值上求出声音的衰减和幅射,需要解吸声材料表面边界条件的本征值方程。解这个本征值方程的方法之一是归结微分方程的方法。本文对于吸声材料阻抗的大、小,分别进行了详细的分析。将其复数变数的一阶非线性微分方程,根据Cauchy-Riemann定理变换成4个实变数微分方程,用Runge-Kutta法,分别求解,并确定能得到本征值的方法。对j=1模,     

AlGaAs短波长超辐射集成光源

设计了一种新型半导体集成光源－－ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光与光放器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度ＦＷＨＭ为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。     

对普朗克常数h的思考

 1900年普朗克(Planck)为解释黑体幅射的能量-波长实验曲线,提出辐射能量的不连续性概念,即任何能量都是某最小能量的整数倍,而此最小能量中的比例系数便是普朗克常数h,h=6·63×10^-34焦耳·秒(J·s)。物理学为简化公式常用h-=h/2π,h-称为约化普朗克常数。h是微观现象量子特性的表征。h的提出是对传统物理的划时代挑战,开创了量子力学的新纪元。常数h的推导19世纪末,在物理学上空飘起的一朵乌云是黑体(只能吸收而不能反射或透射电磁幅射的物体)辐射能量按波长的分布曲线在整个波段理论计算和实验结果总是不一致。其中维恩导出的公式适合短波部分而瑞利-金斯导出的公式适合长波部分.     

怀孕期头发中一些元素含量的变化趋势

用同步辐射激发X射线荧光分析,对11个产妇怀孕期间头发内一些元素含量的变化趋势进行了测量,在各自对比的基础上,得到了一些结果。     

高增益砷化镓光导半导体开关

简要的描述了高增益砷化镓（GaAs)光导半导体开关（PCSS）的特性。介绍了国外的研究动态和应用实例。概述了国内有关GaAs PCSS的现状，给出了用GaAs PCSS脉冲发生器的输出波形。对今后提高GaAs PCSS技术性能的要求也进行了讨论。     

热幅射对抽吸或喷射三维Couette流温度分布的影响

在固定的底板上有横向正弦射流,而匀速运动的多孔介质顶板以常速率完全抽出的情况下,理论分析了热幅射对三维Couette流动温度分布的影响.在这种射流速度下,流动呈现三维流动.利用图形分析了Prandtl数、幅射参数和射流参数对传热速率的影响.Prandtl数对温度分布的影响比射流参数或幅射参数大得多.     

用正交设计构造最佳均匀γ辐射场

本文讨论了用正交设计法如何构造最佳均匀辐射场的问题．通过计算机上进行的模拟试验，给出了由３０根１０，０００居里６０Ｃｏ线状源排列的最佳方案，在源的最佳排列条件下，离源１米处５０ × ５０ｃｍ２平面内剂量的不均匀度为４．６％     

红外幅射应力定量分析方法及其在断裂力学上的应用研究

本文研究了用红外热象系统做热幅射应力定量分析的方法、技术及应用.阐述了其物理基础、实施条件、系统结构及应用软件功能.建立了用以确定Ⅰ型裂纹应力强度因子及远场应力的基本方程。用紧凑拉伸试件实测的 K_Ⅰ值具有较好精度,并同时获得裂尖前沿各特征区的界限及范围大小,为断裂力学研究提供了一种有效的实验分析方法。     

离心式风机转子叶片上脉动力分析

本文由薄翼阵风响应理论建立了任意频率和相位谐振动的二维离心式叶轮叶片上不稳定脉动力及力矩的计算模型，利用声辐射方向可予测离心风机叶轮的辐射声功率。采用自由声场法对离心风机噪声进行了实测，实测值与子测值吻合较好。