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2.
采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3~5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3~5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3~5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10~(-2)Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3~5μm红外波段检测气体,红外制导等领域. 相似文献
3.
6.
7.
基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚合法在ZnO-NRs表面上修饰p型聚苯胺线膜(PANI-NWs),再组装成ZnO-NRs与ZnO-NRs/PANI-NWs紫外探测器。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见漫反射(UV-Vis)光谱表征样品的形貌、结构与光学性质。并通过电化学工作站测定电流-时间(I-t)和电流电压(I-V)曲线,表征其光响应性能。结果表明,制备的ZnO-NRs/PANI-NWs材料阵列排列整齐,界面接触良好,孔隙均匀。ZnO-NRs/PANI-NWs探测器在检测365 nm紫外光时,光电流为2.73×10-4 A;检测254 nm紫外光时,光电流为1.44×10-4 A。其光电流为ZnO-NRs探测器的4~10倍,ZnO-NRs和PANI-NWs之间形成的p-n结增强了光电导。用ZnO-NRs/PANI-NWs材料组装成的UV探测器体现出稳定性好,响应速度快,恢复时间短,电流增益高等优点,为开发高性能紫外光电探测器提供数据支撑。 相似文献
9.
总结了高分子材料加工的发展趋势及发展历程,并指出过去很多加工新技术的出现都得益于从自然现象及其他材料行业中获得很好的借鉴,如从蜘蛛吐丝发展出溶液纺丝成型、从玻璃吹制发展出吹塑成型、从金属锻造发展出压延成型及固相拉拔成型等;随后针对生物基可生物降解的立构复合型聚乳酸难以采用传统熔融加工方法成型的问题,借鉴金属粉末冶金加工的思路,提出了一种通过低温烧结制备高性能立构复合型聚乳酸制品的新方法.通过这种加工方法不仅可以有效解决立构复合型聚乳酸在熔融加工过程中熔体稳定性差、易降解的问题,而且可以制得耐热性好、光学透明度高、耐水解降解性佳、综合力学性能优异的高性能聚乳酸制品. 相似文献
10.
结晶紫(CV)在导电碳黑糊电极(CCBPE)上具有灵敏的伏安响应,实验对其氧化还原机理进行了推导,结果表明:以pH 8.0的B-R缓冲液为支持电解质,CV发生2电子转移的不可逆氧化,过程受吸附控制。在富集时间、富集电位、pH等影响因子得到优化情况下,其半微分-脉冲伏安扫描氧化峰值与其浓度在0.03~1.30μmol/L范围内呈线性,检出限为10 nmol/L。据此建立了CV的电化学快检方法,并应用于淡水渔业水体中痕量CV的测定,平均回收率为97.1%。 相似文献