左消半群M与幂单半群B的Schǔzenberger积

本文讨论了每个元都有幂等元作为右单位元的左消半群与幂单半群N的Schuzenberger积M◇N的ρ类，证明了这种半群M与N的Schuzenberger积M◇N的ρ类是右E一半适合半群和弱E-headged半群．     

基半群为O—J—严格单半群的零直并的代数

设Ａ是代数闭域Ｋ上的一个具乘基Ｂ的有限维含幺结合代数，称半群Ｂ∪（０）为Ａ的基半群。本文给出了０－Ｊ－严格单半群的定义，对于基半群为Ｏ－Ｊ－严格单半群的零直并的代数，完全研究了它的代数表示型。     

带有单模糊映射的一般变分不等式解的存在性

众所周知，在各种变分不等式问题中，解的存在性是最基础也是最重要的问题之一．本文的目的是在Hilbert空间中研究带有单模糊映射的一般变分不等式解的存在性．此外，还讨论了几种特殊情况．     

自反BCK—代数

本文在BCK-代数中引进稳定子的概念，并定义一类特殊的BCK-代数——自反BCK-代数，证明自反BCK-代数的概念与半单BCK-代数的概念是一致的。同时对于有限BCK-代数还得到它是自反的一个充要条件。     

C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究

在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·     

Entanglement of Momentum for a Single Photon with a Single Atom

In this talk, the interaction of a single photon injected to a single atom is studied, for which initially the photon is uncorrelated with the atom. The spontaneous emitted photon will then evolve to be entangled with the atom on their continuous kinetic variables （momentum） in the process of resonant scattering. We find the relations between the entanglement and their physical control parameters （such as the linewidth of the injected photon wave packet, and that of the atomic wave packet, etc. ）, which indicates that high entanglement can be reached by broadening the scale of the atomic wave or squeezing the linewidth of the incident single-photon pulse.     

混料试验中的确界约束与多余约束

在混料问题中,经常出现附加的混料约束.对于单分量上、下界约束系,我们证明:只存在两种非确界约束,或者都是单侧的,或者只有一个分量存在双侧非确界约束,不可能有两个分量存在异侧非确界约束.对于分量线性组合上、下界约束系和复合约束系,我们分别给出了关于多余约束的判别方法,并用了一些数值例子说明这些判别方法.