首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   51篇
  免费   23篇
  国内免费   15篇
化学   16篇
晶体学   23篇
力学   7篇
综合类   1篇
数学   1篇
物理学   41篇
  2019年   2篇
  2016年   3篇
  2014年   3篇
  2012年   3篇
  2011年   3篇
  2010年   1篇
  2009年   5篇
  2008年   7篇
  2007年   6篇
  2006年   2篇
  2005年   11篇
  2004年   11篇
  2003年   9篇
  2002年   5篇
  2001年   3篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1996年   4篇
  1995年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   3篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有89条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用四种杯芳烃超分子化合物为吸附涂层物质.探讨了涂膜石英晶体微天平(QCM)传感方法对环境大气中微量甲醇气体的识别研究,发现RCT(Resorcinol cyclic tetramer)是对甲醇气体识别最有效的活性涂层材料.通过RCT-MeOH单晶体的制备并对其进行X-ray衍射结构解析,发现其识别机制是基于甲醇分子中...  相似文献   
2.
郭巍巍  任焕  齐成军  王小蒙  李小武 《物理学报》2012,61(15):156201-156201
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了[4 18 41]单滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下的疲劳饱和位错结构及其在不同温度等时退火条件下的热稳定性. 结果表明, 在退火温度为300 °C时, 疲劳位错结构(如脉络结构、驻留滑移带PSB楼梯结构、PSB胞结构和迷宫结构等)均发生了明显回复. 当退火温度高于500 °C, 上述这些疲劳位错结构基本消失, 均发生了明显的再结晶现象, 并大都伴随有退火孪晶的形成. 分析认为, 再结晶的发生和退火孪晶的出现不仅与退火温度和外加塑性应变幅有关, 还与累积循环塑性应变量有着密切的关系.  相似文献   
3.
基于铌酸锂压电弹光双效应的单晶体弹光调制器   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了克服Kemp型弹光调制器调制效率低、加工工艺困难及体积大等缺点,提出了采用铌酸锂(LiNbO3)晶体压电弹光双效应的单晶体弹光调制器的设计思想;根据压电振动理论和晶体光学原理,分析了晶体各物理量随空间变换的特性,推导了调制电压相位差振幅之间的关系,并对晶体切型和通光方向进行了优化,所设计的晶体尺寸为41 mm×7.7 mm×17.1 mm(x×y×z),切割角为0°(x切),通光方向z轴(光轴),通过在x-z面施加与晶体谐振基频一致的周期性电压,产生沿x方向,频率为73.71 kHz的伸缩振动, 最后通过实验对所设计单晶体弹光调制器进行了验证;实验结果表明,对633 nm激光进行半波调制时,该弹光调制器所需调制电压为1.6 V;与基于钽酸锂(LiTaO3)且未进行切型优化的单晶体弹光调制器相比,调制电压下降了约4倍。  相似文献   
4.
由于具有优异的压电性能,弛豫铁电单晶自上世纪90年代问世以来即成为了铁电压电领域研究的热点材料,并被认为是研发下一代高性能换能器、传感器等器件的重要压电材料。弛豫铁电单晶不但压电常数可达2500 pC/N,约为软性Pb(Zr,Ti)O3(PZT)陶瓷的5倍,而且其电致应变滞后也远小于软性PZT陶瓷。因此,弛豫铁电单晶高压电性能的产生机理一直是铁电压电领域的研究热点。本文主要介绍了弛豫铁电单晶材料在近些年的发展,从本征压电效应(晶格压电畸变)的角度归纳总结了弛豫铁电单晶高压电效应的产生机理,着重探讨了弛豫铁电单晶的重要特点—剪切压电效应。在本征效应的基础上,本文对弛豫铁电单晶压电效应与晶体组分、切向以及温度的关系进行了分析。需要指出的是,目前基于本征角度对弛豫铁电单晶高压电效应的分析仍处于定性的阶段,因而还不能完全排除一些可能导致弛豫铁电单晶高压电效应的非本征物理机制。  相似文献   
5.
采用Bridgman法生长出尺寸为Ф15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰,沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.  相似文献   
6.
Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found.  相似文献   
7.
Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.  相似文献   
8.
A finite element-based thermoelastic anisotropic stress model for hexagonal silicon carbide polytype is developed for the calculation of thermal stresses in SiC crystals grown by the physical vapor transport method. The composite structure of the growing SiC crystal and graphite lid is considered in the model. The thermal expansion match between the crucible lid and SiC crystal is studied for the first time. The influence of thermal stress on the dislocation density and crystal quality is discussed. The project supported by the National Natural Science Foundation of China (10472126) and the Knowledge Innovation Program of Chinese Academy of Sciences. The English text was polished by Keren Wang  相似文献   
9.
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.  相似文献   
10.
申秀民  刘玉美  何兰 《中国化学》2005,23(3):305-309
Lophenol, cholest-4α-methyl-7-en-3β-ol (1), obtained from Dracaena cochinchinensis (Lour.) S. C. Chen, was structurally modified. It was acetylated to protect 3β-hydroxyl group, and then oxidised by selenium dioxide in acetic acid to give cholest-4a-methyl-8-en-3β, Ta-diol diacetate (3). This compound 3 is unstable in chloroform solution or when heated and easily converted to a diene compound, cholest-4a-methyl-7,14-dien-3β-ol acetate (4). The structures of 3 and 4 were elucidated by means of IR, ^1H NMR, ^13C NMR and MS, and the absolute configuration of 3 was established by X-ray crystallography. The property of 3 was also discussed in this paper. Both 3 and 4 are new compounds and were reported for the first time.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号