首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   37129篇
  免费   8086篇
  国内免费   20626篇
化学   39478篇
晶体学   1384篇
力学   1276篇
综合类   1039篇
数学   3167篇
物理学   19497篇
  2024年   49篇
  2023年   1016篇
  2022年   1258篇
  2021年   1173篇
  2020年   1221篇
  2019年   1424篇
  2018年   1075篇
  2017年   1294篇
  2016年   1566篇
  2015年   1561篇
  2014年   2365篇
  2013年   2784篇
  2012年   3014篇
  2011年   2951篇
  2010年   2673篇
  2009年   2874篇
  2008年   3313篇
  2007年   3149篇
  2006年   3369篇
  2005年   3054篇
  2004年   3147篇
  2003年   2843篇
  2002年   2562篇
  2001年   2454篇
  2000年   1742篇
  1999年   1644篇
  1998年   1330篇
  1997年   1225篇
  1996年   1237篇
  1995年   1085篇
  1994年   985篇
  1993年   871篇
  1992年   787篇
  1991年   886篇
  1990年   726篇
  1989年   712篇
  1988年   180篇
  1987年   77篇
  1986年   47篇
  1985年   55篇
  1984年   20篇
  1983年   26篇
  1982年   10篇
  1981年   2篇
  1959年   5篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnSxSe2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnSxSe2-x纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnSxSe2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnSxSe2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。  相似文献   
2.
单层结构对简化有机电致发光器件(OLED)的制备工艺及降低其制造成本具有重要意义。本文采用非掺杂热激活延迟荧光(TADF)发光层,结合C60(2 nm)/MoO3(3 nm)/C60(2 nm)修饰的ITO阳极及4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen, 3 nm)修饰的Ag阴极,制备了单层TADF器件(TADF-OLED)。该单层TADF-OLED具有良好的空穴和电子注入能力,开启电压为3 V,最大电流、功率及外量子效率分别可达到37.7 cd/A、47.4 lm/W和13.24%。然后,我们利用“探针法”研究了该单层TADF-OLED的激子分布情况,发现大部分激子在发光层靠近阳极侧形成。最后,我们利用经典电磁学理论对器件的光取出效率进行模拟分析,证实了这种激子分布特性有助于实现较高的光取出效率,进而改善器件的外量子效率。  相似文献   
3.
采用水热-煅烧法制备Cd2SnO4,之后通过超声混合法得到一系列MoS2/Cd2SnO4复合材料。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对Cd2SnO4和一系列MoS2/Cd2SnO4复合材料进行结构和形貌的表征。研究了MoS2掺杂量对于MoS2/Cd2SnO4复合材料的气敏性能影响。实验结果表明,当MoS2与Cd2SnO4的质量比为2.5%,MoS2/Cd2SnO4复合材料制备的气敏元件在170 ℃时对浓度为100 μL·L-1的甲醛气体的灵敏度为40.0,最低检测限为0.1 μL·L-1。  相似文献   
4.
Indium oxide supported nickel catalyst has been experimentally confirmed to be highly active for CO2 hydrogenation towards methanol.In this work,the reaction mechanism for CO2 hydrogenation to methanol has been investigated on a model Ni/In2O3 catalyst,i.e.,Ni4/In2O3,via the density functional theory(DFT)study.Three possible reaction pathways,i.e.,the formate pathway,CO hydrogenation and the reverse water-gas-shift(RWGS)pathways,have been examined on this model catalyst.It has been demonstrated that the RWGS pathway is the most theoretically-favored for CO2 hydrogenation to methanol.The complete RWGS pathway follows CO2+6 H→COOH+5 H→CO+H2O+4 H→HCO+H2O+3 H→H2CO+H2O+2 H→H3CO+H2O+H→H3COH+H2 O.Furthermore,it has been also proved that the interfacial oxygen vacancy can serve as the active site for boosting the CO2 adsorption and charge transfer between the nickel species and indium oxide,which synergistically promotes the consecutive CO2 hydrogenation towards methanol.  相似文献   
5.
6.
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2N-Sc、Ti2N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9%,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值。  相似文献   
7.
孔宇晗  王蓉  徐明生 《物理学报》2022,(12):481-486
在众多二维材料中,过渡金属硫族化合物由于其具有独特的光电特性深受广大研究者喜爱.近年来,由二维过渡金属硫族化合物材料与有机半导体结合构建的范德瓦耳斯异质结受到极大的关注.这种异质结可以利用两者的优势对光电特性等性能进行调控,为许多基础物理和功能器件的构建提供了研究思路.本文构建了酞菁铜/二硫化钼(CuPc/MoS2)范德瓦耳斯异质结,并对其荧光特性进行了表征和分析.与单层MoS2相比较发现,引入有机半导体CuPc后,异质结当中发生了明显的荧光淬灭现象.通过荧光分析,该现象可以用引入CuPc后异质结中负三激子与中性激子之比增加来解释.此外,通过第一性原理计算分析发现,引入CuPc会在MoS2的禁带中引入中间带隙态,使得CuPc与MoS2之间产生非辐射复合,这同样会导致荧光淬灭的发生.CuPc/MoS2异质结的荧光淬灭现象可以为同类型范德瓦耳斯异质结的光电特性调控研究提供参考和思路.  相似文献   
8.
为降低束流发射度,提高束流强度,得到高品质的束流,强流重离子加速器装置(HIAF)高精度环形谱仪(SRing)将建造随机冷却系统。随机冷却系统的关键硬件pickup/kicker在一定程度上决定了其冷却效率。本工作讨论了随机冷却系统pickup/kicker的具体作用及设计指标,介绍了分路阻抗概念。SRing随机冷却系统采用周期性单元结构slot-ring模型,利用高频结构仿真(HFSS)软件对其进行建模并仿真优化。通过对不同结构参数进行扫参,确认了slot-ring结构各参数对pickup/kicker分路阻抗值的影响。仿真结果表明,slot-ring结构有较高的分路阻抗,适用于SRing随机冷却系统。同时,考虑到pickup/kicker工作带宽内分路阻抗的平坦度,提出了采用不同尺寸slot-ring结构进行组合的方式来优化其平坦度。最后设计并加工实测了该slot-ring结构相匹配的十六路功率分配器/功率合成器,实测结果表明:该功分器/合路器具有各端口输出幅度平坦度较好、隔离度大、插入损耗低、电压驻波比小等特点,满足SRing随机冷却系统的要求。  相似文献   
9.
采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-Ga N层表面上先沉积2 nm的Al2O3薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al2O3阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温IG-VG测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al2O3阻挡层改变了HR-Ga N的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al2O3薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱.  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号