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1.
大功率部分端面抽运混合腔板条激光器   总被引:20,自引:4,他引:16  
在半导体抽运的全固态激光器中,激光晶体上的热畸变限制了激光器在大功率下输出时保持高光束质量的能力。板条结构的固体激光器具有优异的散热能力,再配合部分端面抽运以及稳一非稳柱面混合腔的使用,使大功率高光束质量的激光输出成为可能。在德国EdgeWave GmbH进行的对这一技术的合作研究中,利用不到100mm的腔长,在Nd:YVO4板条激光器上获得了110W近衍射极限的1.06μm连续激光输出,这时在非稳腔方向上的光束传播因子M^2为1.3。在稳腔方向上为1.5。通过对输出激光进行空间滤波切除腔镜造成的衍射旁瓣后,50W输出时M^2的典型值在非稳腔和稳腔方向上分别为1.09和1.2。  相似文献
2.
溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究   总被引:14,自引:0,他引:14       下载免费PDF全文
利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键  相似文献
3.
磁控溅射法制备二氧化钒薄膜最佳参量的研究   总被引:13,自引:4,他引:9       下载免费PDF全文
用X射线电子能谱仪(XPS)对不同条件下用磁控溅射法制备的VO2薄膜进行测试,得到VO2薄膜内部组成成份的信息.研究了获得高含量VO2薄膜的最佳制备参量.同时还观察到V2O3、VO2、V2O5以接近含量共存的现象,这与以前研究所给出的薄膜几乎只由V2O3、VO2、V2O5中的两种组成的结论有所不同.  相似文献
4.
氧化钒薄膜微观结构的研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V2O5薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V2O5薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V2O5薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO2薄膜,晶体颗  相似文献
5.
VO2薄膜对TEACO2激光响应特性的实验研究   总被引:11,自引:1,他引:10  
查子忠  王骐 《光学学报》1996,16(8):173-1176
报道了VO2薄膜在TEACO2激光照射下的相变特性的实验研究,结果表明:对于本文镀制的VO2薄膜,在偏置温度为52℃条件下,TEACO2激光入射能量密度为150mJ/cm^2时,可使VO2薄膜发生相变,响应时间,50ns,恢复时间≈200μs。  相似文献
6.
FIA微分光度法测定合金钢中钒的含量   总被引:11,自引:1,他引:10  
基于二溴对甲基氯磺酚与钒(V)形成1∶1络合物在波长651nm处有最大吸收的特点,研究了适宜的实验条件,利用自制两个流通比色装置固定在检测器的样品光束和参比光束位置,实现微分光度测试(ΔA)、分析速度快达150次/h,RSD%=0.98,灵敏度是普通方法的1.8倍.并用于合金钢样品中钒的分析,结果满意.  相似文献
7.
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究   总被引:11,自引:0,他引:11       下载免费PDF全文
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic  相似文献
8.
VO2热致变色薄膜的结构和光电特性研究   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制备了VO2热致变色薄膜.用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜的宏观及微观结构进行了分析,表明VO2薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好.薄膜的光透过率在2000nm处相变前后改变了42%,高/低温电阻率变化达到三个数量级以上.薄膜的光透过谱和相变过程中电学性质变化的研究与结构分析结果相一致.  相似文献
9.
X射线荧光光谱法测定钒钛磁铁矿成分   总被引:10,自引:2,他引:8  
蒋薇 《光谱实验室》2005,22(5):940-942
试样经熔融制成玻璃样片,用X射线荧光光谱法测定钒钛磁铁矿主要成分,实验确定最佳熔融条件和测定条件,测量结果与标样值、未知试样化学分析值对照表明,本法快速、简便、准确、可靠。  相似文献
10.
Tm:YVO4晶体的光谱参数计算   总被引:9,自引:0,他引:9  
由测量的Tm :YVO4晶体的吸收光谱 ,考虑到单轴晶体在各个方向上的吸收不同和折射率随波长的变化 ,根据Judd Ofelt理论计算了Tm3 +在YVO4中的强度参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =1 9416× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω4=0 15 6 8× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω6=0 396 3× 10 - 2 0 (cm2 )。计算结果表明 ,1 D2 → 3 F4的跃迁几率远大于1 D2 向其他各个能级的跃迁几率  相似文献
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