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1.
氟哌酸~1HNMR的测定及过渡金属离子对其影响   总被引:9,自引:6,他引:3  
氟哌酸~*[即1—乙基—6—氟—4—氧—7—(1—哌嗪)—3—(1,4 —二氢化喹啉甲酸]是一种广谱、安全、有效、可供口服的抗感染药。我们测定了它的~1H自旋-晶格弛豫时间T_1及其在Cr~(3+)、Mn~(2+)、和Fe~(3+)等过渡金属离子存在下的T_1值。实验结果表明,在加入过渡金属离子前后,氟哌酸不同位~1H的T_1值发生了一定的变化。据此可揭示过渡金属离子和氟哌酸形成配合物的配位点,从而可确定所形成配合物的结构。  相似文献
2.
利用基于密度泛函理论平面波赝势法的第一性原理计算,研究了过渡金属化合物OsB2和OsO2的金红石相、黄铁矿相与萤石相三种结构在高压下的状态方程和结构特性以及OsO2可能的高压相变.理论计算结果支持OsB2与OsO2的萤石相是潜在超低可压缩性的硬性材料.同时,也分析了它们的电子结构,力求理解大体变模量和高硬度的微观机制.结果表明,可以利用过渡金属高的价电子浓度,掺入硼、氧、碳、氮等轻的元素形成强的方向键,这可能提供了一种合成超硬材料的新途径.  相似文献
3.
彩色金刚石中过渡金属离子的谱学研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
过渡金属镍、钴和铁是高温高压法合成金刚石的常用触媒 ,已有研究表明 :采用镍、钴作触媒所合成的金刚石中存在镍、钴离子 ,部分天然金刚石含有镍离子 ;镍、钴离子以替代方式或间隙形式进入金刚石的晶格 ,并能与杂质氮形成复合体。为了探寻彩色金刚石中过渡金属离子存在的谱学标志 ,确定镍、钴离子在彩色金刚石中的赋存状态 ,文章对 6颗彩色天然与合成金刚石进行了扫描电镜 能谱、显微红外光谱、光致发光谱、电子顺磁共振谱 (EPR)等测试研究。结果表明天然与合成的样品都具有与镍、钴有关的发光中心与EPR结构 :包括西澳的蓝灰色天然金刚石中与镍有关的 884 6nm等发光中心 ,以及天然变色金刚石中与钴有关的发光中心。对各种谱学测试结果的综合分析 ,得出样品中存在镍、钴离子并与杂质氮形成各种Ni N或Co N复合体的结论 ,其中在天然金刚石中发现钴离子在该领域研究中尚属首次。  相似文献
4.
铑电极在紫外区的表面增强拉曼散射机理   总被引:4,自引:1,他引:3  
采用波长为 32 5nm的He Cd激光为激发光源 ,首次在粗糙铑电极上获得了高质量的表面增强拉曼信号。基于在紫外区获得SERS信号这一进展 ,以电磁场理论为基础 ,分别从定性和定量的角度对此新的实验结果做了理论分析。分析表明 ,在紫外区获得的铑的SERS信号主要源自于有着特定形貌的铑纳米粒子所引起的避雷针效应及微弱的表面等离子体共振效应的共同作用。对铑纳米粒子的表面平均SERS增强因子的计算结果与实验值较为一致 ,约为两个数量级。我们同时比较分析了在可见光及近红外区有着极佳SERS增强效应的银基底在采用 32 5nm激发光时却得不到任何SERS信号这一实验结果 ,这是因为银在此紫外区间已完全不能满足表面等离子激元共振的条件所致  相似文献
5.
3d过渡金属掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
赵宗彦  柳清菊  张瑾  朱忠其 《物理学报》2007,56(11):6592-6599
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了纯锐钛矿相TiO2及掺杂3d过渡金属TiO2的几何、电子结构及光学性质. 计算结果表明掺杂能级的形成主要是掺杂过渡金属3d轨道的贡献,掺杂能级在禁带中的位置是决定TiO2吸收带边能否出现红移的重要因素. Cr,Mn,Fe,Ni,Co,Cu掺杂使TiO2的吸收带边产生红移,并在可见光区有一定的吸收系数; Sc,Zn掺杂使TiO2的吸收带边产生蓝移,但在可见光区有较大的吸收系数;掺V不但使TiO2的吸收带边产生红移,增强了在紫外光区的光吸收,而且在可见光区有非常大的吸收系数.  相似文献
6.
第一过渡族金属离子光谱参数的线性拟合   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文研究了第一过渡族金属离子光谱参数与有效核电荷的关系,通过对实验值的拟合,得到了较好的线性关系,并对结果作了初步讨论。  相似文献
7.
Ni2+:RbMgF3的电子顺磁共振谱的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
含有过渡金属离子的晶体的光学吸收谱、零场分裂D值和g因子与晶体结构有密切关系,应用Ni^2 的参量化d轨道和三角晶场中d^8电子组态的强场能量矩阵,通过建立完全对角化方法,精确地计算了具有C3ν和D3d两种对称的Ni^2 :RbMgF3的电子顺磁共振谱,分析了Ni^2 :RbMgF3的零场分裂D值和g因子与晶体结构参量R和θ的依赖关系。理论值与实验值符合得很好。  相似文献
8.
Fe对掺钕磷酸盐激光玻璃激光性能的影响   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
 在理论分析的基础上,具体讨论了Fe质量分数小于10-4对1 053 nm处光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁几率的影响规律,发现Fe在1 053 nm处的光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁能量转移都与Fe质量分数成平方关系增长, Fe对1 053 nm光吸收的影响较大而Fe与Nd3+之间的能量转移不足50 Hz。这对生产过程中Fe含量的控制有重要指导意义。  相似文献
9.
过渡金属氧化物催化剂上NH3 分解Claus反应机理研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
运用浸渍法制备了七种过渡金属氧化物催化剂 .对于NH3 分解反应均可获得很高的NH3 转化率 ;对于NH3 分解Claus反应则可以获得较高的SO2 转化率和单质硫选择性 .通过比较发现Co3 O4 TiO2 和Fe2 O3 TiO2 催化剂的低温活性比较高 .经过XRD表征发现 ,在NH3 分解Claus反应中 ,催化剂的活性相可能是过渡金属硫化物 .结合活性评价和XRD表征结果提出了NH3 分解Claus反应的机理 .  相似文献
10.
TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-V2黄铜矿半导体的电磁性质   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
曾永志  黄美纯 《物理学报》2005,54(4):1749-1755
利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定.其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS.当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态.在(Cd,Mn)GeP2和(Zn,Mn)GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因.  相似文献
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