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1.
三类硬磁畴的形成及静态特性   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。  相似文献
2.
面内场对三类硬磁畴的影响   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
胡云志  孙会元 《物理学报》2009,58(2):1242-1245
采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[H1ip,H2ip],其中H1ip是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失 关键词: 硬磁畴 整形 垂直布洛赫线  相似文献
3.
脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
Hu Yun-Zhi  孙会元 《物理学报》2008,57(8):5256-5260
实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用. 关键词: 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线  相似文献
4.
单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用各种实验手段对Ni52Mn24Ga24单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征.针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果,分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理.根据不同方向磁场干预相变应变的结果,计算了Ni52Mn24Ga24单晶中等效取向内应力的大小约为2.45MPa.从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两个方面,对单晶样品在[001]和[010]两个等价的晶体学方向上磁感生应变特性的差别,包括最大应变值、饱和场、滞后效应和起始磁场数值的参数,进行了分析和讨论.  相似文献
5.
磁性材料的磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张志东 《物理学报》2015,64(6):67503-067503
首先简要地介绍了磁性材料中磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构以及相互之间的关系. 一方面, 磁畴结构由材料的磁结构、内禀磁性和微结构因素决定; 另一方面, 磁畴结构决定了材料磁化和退磁化过程以及技术磁性. 拓扑学与材料物理、材料性能的联系越来越紧密. 最近的研究兴趣集中在一些拓扑磁性组态, 如涡旋、磁泡、麦纫、斯格米子等. 研究发现这些拓扑磁结构的拓扑性质与磁性能密切相关. 然后从尺寸效应、缺陷、晶界三个方面介绍国际学术界在磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构方面的进展. 最后介绍了在稀土永磁薄膜材料的微观结构、磁畴结构和磁性能关系、交换耦合纳米盘中的拓扑磁结构及其动力学行为方面的工作. 通过对文献的评述, 得到以下结论: 开展各向异性纳米复合稀土永磁材料的研究对更好地利用稀土资源具有重要的意义. 可以有目的地改变材料的微结构, 可控地进行磁性材料的磁畴工程, 最终获得优秀的磁性能. 拓扑学的概念正在应用于越来越多的学科领域, 在越来越多的材料中发现拓扑学的贡献. 研究磁畴结构、拓扑磁性基态或者激发态的形成规律以及动力学行为对理解量子拓扑相变以及其他与拓扑相关的物理效应是十分重要的. 也会帮助理解不同拓扑学态之间相互作用的物理机制及其与磁性能之间的关系, 同时拓展拓扑学在新型磁性材料中的应用.  相似文献
6.
Co纳米线磁矩反转动态过程的有限元微磁学模拟   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用有限元微磁学模拟方法研究了Co纳米线在不同外加恒磁场下磁矩的翻转过程.研究结果表明在直径为10 nm的Co纳米线内,经过一定的形核时间将在其一端形成一个反向磁畴.磁畴壁的类型为横向畴壁,该畴壁将在一外加恒定磁场的驱动下匀速地从一端运动到另一端.畴壁的运动速度与外加磁场大小呈线性关系.在H为1000 kA/m时,发现在纳米线的两端均会形成一个“头对头”的反向磁畴.计算结果表明,畴壁内磁矩的方向旋转一个周期所导致的畴壁运动的距离相同,与外加磁场强度无关. 关键词: 磁性纳米线 微磁学模拟 磁畴 横向畴壁  相似文献
7.
磁畴和畴壁的实验演示   总被引:1,自引:1,他引:0  
吴志贤  路权 《大学物理》1996,15(12):33-34
利用透射光法进行磁畴和畴壁的实验演示,在磁性材料中的薄膜中,若无外加磁场时,可以观察到很多蜿蜒曲折的条状磁畴,当垂直薄膜面上加一个磁场(磁化场)时,这些条状磁畴就会产生变化,凡与外加磁场方向一致的磁畴体积扩大,与加外磁场方向相反的磁畴体积会缩小。  相似文献
8.
自旋转向相变中的条纹磁畴研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
吴义政 《物理》2005,34(2):104-108
用光激发电子显微镜研究了Fe/Ni铁磁膜和Co/Cu/Fe/Ni磁耦合膜中的条纹磁畴.实验发现:在Fe/Ni体系中,条纹磁畴宽度随着铁层厚度趋近于自旋转向相变点呈指数下降;在Co/Cu/Fe/Ni体系中,Fe/M层中的条纹磁畴会沿着钴层磁矩的方向排列,其磁畴宽度会随着Co-Fe/Ni间的层间耦合强度呈指数下降.理论上推导出条纹磁畴随着磁各向异性能和层间耦合强度变化的统一公式,而实验结果与理论符合得非常好。  相似文献
9.
磁光型记录介质疲劳特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
杨成韬  张鹰  高正平  李言荣 《应用光学》2001,22(4):11-13,16
本文对单层结构和多层结构磁光型记录介质的疲劳特性进行研究,并对记录介质化学稳定性、记录介质循环擦写后记录磁畴物理特性及磁光记录动态特性载噪比和误码率进行分析,最后对磁光型记录介质的疲劳特性和信息记录可靠性进行评价。  相似文献
10.
写磁头对记录介质中输出信号的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在对垂直二层膜介质的输出信号随时间衰减的实验测试中,发现当使用单磁极磁头兼作读写磁头时,输出电压的变化量很大.通过对这一现象的研究发现,影响介质退磁的外界原因主要有磁头主磁极膜磁畴的不稳定性和信号读出过程中主磁极对外界游离磁场的汇集吸收作用.同时提出了解决方案  相似文献
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