热辐射光子对高能粒子的影响

从热辐射和高速粒子的康普顿背散射出发，结合热辐射规律，探讨了热辐射对高能粒子的影响，给出了由于热辐射造成的高能粒子的能量损失、功率损失、光阻力和光压的表达式。结果显示：由于热辐射造成的高能粒子的能量损耗、功率损失、光阻力和光压正比于温度的4次方，正比于高能粒子Lorentz因子的平方。本文还通过计算得出热辐射对高能粒子的影响可以忽略。  

EAST超导托卡马克冷屏结构与受力分析

EAST是一个全超导磁体系统的托卡马克实验装置，超导纵场和极向场磁体工作在4K温区下。在磁体和其它发热部件之间布置有冷屏系统，以减少作用到所有低温冷质部件上的热载，将其保持在最低水平。该系统包括真空室冷屏(内冷屏)和外真空杜瓦冷屏(外冷屏)两部分。在分析了冷屏低温运行时所受热应力以及等离子体破裂时所受电磁载荷的基础上，运用大型有限元分析程序NASTRAN，对其不同载荷状况进行了数值计算，为其结构设计与优化提供了理论依据。  

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利用ANSYS有限元程序分析计算了等离子体线性大破裂时HL-2M真空室上的感应电流及电磁力,并对真空室进行了结构应力分析.结果表明,真空室上主要产生环向感应电流和径向电磁力,且主要集中在真空室壳体的柱状段；在破裂产生的电磁力及其他机械载荷的作用下,真空室的结构设计能较好地满足强度和刚度要求.  

HL—1真空室的运行状态分析

ＨＬ－１托卡马克从１９８４年建成至１９９２年底共进行了８年，获得了丰硕的物理实验和工程技术的科研成果，真空室运行状态总的来说是良好的。本文描述真空室在高功率放在实验运行了８年后的主密封结构状态、孔栏烧蚀、真空壁主其污染概况等。  

聚变装置中真空室上涡流的分析

本文研究了聚变装置真空室上的涡流问题,将真空室上的涡流看作面电流密度并定义一矢势的法向分量来描述它。详细地叙述了求解真空室上感应涡流的计算方法,对HTU托卡马克实验装置真空室上涡流的大小、分布形式及衰减情况进行了分析。  

陶瓷真空室镀膜工艺改进及脉冲磁场时间特性测量

 介绍了合肥光源二期工程注入段陶瓷真空室的改进情况，采用新的镀膜技术，大大改善了脉冲磁场的延时特性，减少了储存环注入时的轨道扰动，提高了注入束流累积效速率。改进了原来的点线圈磁场测量方法，采用带有积分电路及抗干扰措施的双线圈测量装置测量了真空室内的脉冲磁场延时特性，使脉冲磁场延时误差测量的分辨率达到ns量级，给出了测量结果。  

合肥光源镀膜陶瓷真空室纵向阻抗计算

 在估计合肥光源新注入系统中回形镀膜陶瓷真空室的耦合阻抗时，对于规则轴对称边界，可以采用场匹配技术求解柱坐标系中Maxwell方程得到耦合阻抗解析表达式。对于非规则形状，解析求解困难，须根据同轴线方法测量纵向阻抗基本原理，数值计算镀膜陶瓷真空室耦合阻抗。计算结果表明，陶瓷真空室内表面镀金属膜可以大大降低束流耦合阻抗，但镀膜陶瓷真空室仍是合肥光源储存环的主要阻抗来源之一。  

真空室材料二次电子产额特性研究

设计了针对加速器真空室材料样品的二次电子产额测试装置. 对测试装置的设计及测试过程进行了详细介绍, 并给出了常见真空室材料的二次电子产额测试结果以及不锈钢材料在经过镀~TiN~薄膜处理前后的测试对比结果, 分析了影响二次电子产额的一些因素, 为真空室的表面处理提供了依据.  

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参照ITER真空室成型工艺,对未来聚变堆真空室壳体各分片进行成型数值模拟,探索成型温度、脱模温度对成型工件减薄量、回弹量和残余应力的影响.并通过成型实验对数值模拟结果进行了检验,二者结果一致,所用数值模型可用于后续模具设计.  

HL-2A托卡马克装置真空系统

介绍了HL 2A装置真空系统研制。它由真空主抽气系统、抽气偏滤器、直流辉光放电清洗系统组成。主抽气系统提供了装置真空室从大气到高真空、烘烤除气、直流辉光放电清洗所需要的抽气能力。抽气偏滤器初步实现了托卡马克放电过程中边缘粒子的抽运与控制;直流辉光放电清洗系统保证了装置良好的真空器壁条件。介绍了这些系统的初步运行情况,并给出了其测试结果。HL 2A装置首轮物理实验运行时真空室极限真空度达到4.6×10-6Pa,12h总漏放气率为1.8×10-5Pa·m3·s-1。