水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究

以水热法制备钛酸钡微粉（晶粒）实验为基础，通过建立钛酸钡晶粒生长基元的数学模型和基元稳定能计算，对水热条件下钛酸钡晶粒成核和生长过程作了研究  

急冷快速凝固过程中液相流动与组织形成的相关规律

研究了Fe58wt%Sn过偏晶合金的急冷快速凝固和组织形成特征． 实验发现, FeSn过偏晶合金的急冷快速凝固组织由规则排布的纤维状β-Sn相和分布其间的α-Fe相及少量金属间化合物相组成, β-Sn相的几何排列方向与合金条带表面成0—15°的夹角．根据急冷条件下金属熔体的热传导方程和Navier-Stokes方程, 对过偏晶合金的凝固行为和组织形成过程进行了理论分析, 揭示出熔体内部的动量传输对过偏晶合金的液相分离行为具有显著的影响．两相分离发生于液池底部约200μm的急冷区内, 分离的L2液滴在辊面驱  

多晶材料晶粒生长的计算机模拟研究

多晶固体材料显微结构的演化与诸多因素密切相关 ,是一复杂的过程。运用适当的计算机模拟方法进行模拟 ,实现对晶粒生长的预测 ,可为材料研究提供新的方法和重要依据。此文以晶粒生长动力学为基础 ,建立晶粒生长模型 ;分析了晶粒生长过程的计算机模拟理论和方法 ;以MonteCarlo方法为基础 ,提出快速Q statepotts算法 ,简化计算量 ,在PC机上编程实现了正常晶粒生长过程的计算机模拟。得到的显微结构图逼真度较好。通过对结果进行分析处理 ,得到的生长因子为 0 .4 7。  

GaN外延衬底LiGaO2晶体的生长和缺陷

ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响。ＬｉＧａＯ２晶体在〈１００〉方向生长速率最快，在〈００１〉方向上生长较慢。由于原料按非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ｇａ２Ｏ３包裹物。包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用，往往形成平行于（００１）面的亚晶界。通过调整原料配比、生长工艺参数可克服上述问题。  

一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能

用硝酸锌(Zn(NO3)2·4H2O)或醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH2)6N4)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5~8μm,直径300~700nm)。测量了样品的XRD和扫描电镜像。经XRD分析,所得样品均为纤锌矿的ZnO六角型晶体。扫描电镜(SEM)像表明,生长时间为3h或5h时,样品为细长条的棒状结构,长径比超过10∶1;生长48h后的ZnO亚微米棒的一端被腐蚀成一定深度的ZnO亚微米管。用负离子配位四面体生长模型分析了ZnO亚微米棒的生长机理。ZnO亚微米棒退火前后的光致发光谱表明,退火处理后的发射谱中的紫外峰消失,而红色发光峰红移并且增强(峰值由630nm左右移到710nm),同时它的激发光谱中的室温激子激发峰也增强。  

金属凝固与晶体生长过程的蒙特卡罗模拟

采用导热的有限差分计算与图形蒙特卡罗方法相结合的手段，模拟了不同的冷却条件，熔体初温以及杂质含量情况下的金属凝固及其晶体生长过程。模拟得了与典型的边界冷却凝固实验相一致的微观组织结构，同时，通过对模拟结果的分析，总结了不同的冷却条件、熔体初温以及含杂质情况对金属凝固组织的一些影响规律。  

利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒

报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后，用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析。实验结果表明：纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成，而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化。在升温过程中，若单位时间内温度变化量较大（－100℃/s），则所形成纳米硅粒较小（1．6－15nm）； 若单位时间内温度变化量较低（－1℃/s），则纳米硅粒较大（23－46nm）。根据晶体生长理论和计算机模拟，讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。  

Formation mechanism of incubation layers in the initial stage of microcrystalline silicon growth by PECVD

The incubation layers in microcrystalline silicon films （μc-Si：H） are studied in detail. The incubation layers in μc- Si：H films are investigated by biracial Raman spectra, and the results indicate that either decreasing silane concentration （SC） or increasing plasma power can reduce the thickness of incubation layer. The analysis of the in-situ diagnosis by plasma optical emission spectrum （OES） shows that the emission intensities of the SiH＊（412 nm） and Hα （656 nm） lines are time-dependent, thus SiH＊/Hα ratio is of temporal evolution. The variation of SiH＊/Hα ratio can indicate the variation in relative concentration of precursor and atomic hydrogen in the plasma. And the atomic hydrogen plays a crucial role in the formation of μc-Si：H; thus, with the plasma excited, the temporal-evolution SiH＊/Hα ratio has a great influence on the formation of an incubation layer in the initial growth stage. The fact that decreasing the SC or increasing the plasma power can decrease the SIH＊/Hα ratio is used to explain why the thickness of incubation layer can reduce with decreasing the SC or increasing the plasma power.  

Tm3+离子在钨酸锌单晶中的光谱特征

采用丘克拉斯基法生长出一系列ZnWO4:Tm3 单晶 ,Tm3 浓度x =0 1 ,0 3,0 5 ,0 7和 1 0mol%。用 80 7nmLD激发 ,观察到 4 86和 6 95nm的上转换发光 ,分别相应于 1 G4→ 3 H6和3 F3 → 3 H6的跃迁 ,发光强度与泵浦光功率成双对数关系 ,其指数分别为 0 8和 1 1次方关系。