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1.
氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量   总被引:6,自引:1,他引:5  
采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/A lxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系。研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1 s→2p±跃迁能量随着阱宽L的增大而减小,最后接近于GaN中3D值。GaN/A l0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/A l0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/A l0.3-Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/A l0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定。  相似文献
2.
赵凤岐  周炳卿 《物理学报》2007,56(8):4856-4863
The energy levels of a polaron in a wurtzite nitride finite parabolic quantum well (PQW)are studied by a modified Lee-Low-Pines variational method. The ground state of the polaron, the transition energy from first exited state to the ground state and the  相似文献
3.
张立  谢洪鲸  陈传誉 《光子学报》2003,32(4):437-440
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(光整流系数),得到了此系统的光整流系数的解析表达式.数值计算的结果表明,随着电场强度的增加,光整流系数几乎线性随之增加,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级,这是由于我们所选模型本身的非对称性以及电场进一步使这种非对称性增强的缘故.  相似文献
4.
施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
张立  谢洪鲸 《大学物理》2004,23(4):21-24
采用位移谐振子与数值求解相结合的方法,研究和讨论了施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.数值结果显示,随着电场强度的增大,束缚态的能量几乎线性地下降,电场对半抛物束缚势频率较低的系统以及系统的高能级的影响较大,相邻能级间隔也随着电场强度的增大而减小,这与施加电场的抛物量子阱中的情况明显不同.  相似文献
5.
均匀横向磁场条件下抛物量子阱结构中的共振隧穿   总被引:2,自引:0,他引:2  
宫箭  梁希侠  班士良 《中国物理》2005,14(1):201-207
采用简单的数值计算方法研究了均匀横向磁场条件下通过抛物量子阱结构的共振隧穿。计算了几种GaAs-AlxGa1-xAs-GaAs抛物阱结构的透射系数。结果表明:磁场增加时,共振峰向高能区移动,新的共振峰出现;同时讨论了回旋中心在不同位置时,抛物阱结构的J-V 特性。我们发现回旋中心在抛物阱中心时更有助于解释实验,并且能够得到和实验一致的结果:磁场增加,电流峰值减少且向高偏压移动。  相似文献
6.
加偏置电场的抛物量子阱中的电光效应   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
郭康贤 《光子学报》1998,27(6):494-498
本文利用密度矩阵方法得到了加偏置电场的抛物量子阱中电光效应的解析表达式,并以典型的GaAs抛物量子阱为例进行了数值计算研究结果表明,电光效应随偏置电场和抛物势频率的增大而增强,同时也表明GaAs量子阱中的电光效应比体GaAs中的要强一个数量级以上。  相似文献
7.
施加电场的半抛物量子阱中的电光效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法,研究了施加电场的半抛物量子阱中的电光效应。通过位移谐振子变换,得到了系统中的电子态的精确解。对典型的GaAs材料进行数值计算的结果表明,随着电场强度的增加,电光效应系数几乎线性随之增加;但是随着半抛物量子阱受限势频率的增加,电光效应系数单调地减小;而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下,半抛物量子阱模型中的电光效应系数比抛物量子阱模型中的值大两个数量级,这是由于我们所选模型本身的非对称性以及电场进一步使这种非对称性增强的缘故。  相似文献
8.
ZnSe/ZnS抛物量子阱中激子的极化子效应   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用推广的LLP方法研究了ZnSe/ZnS抛物量子阱中激子的极化子效应。考虑电子和空穴与LO声子的相互作用,得到了激子基态能量和结合能随阱宽的变化关系。结果表明,阱宽较小时,能量随着阱宽的增大而急剧减小;阱宽较大时,能量减小的比较缓慢。和我们以前的工作对比,我们发现ZnSe/ZnS抛物量子阱对激子的束缚强于GaAs/Ga1-xAlxAs抛物量子阱。  相似文献
9.
采用改进的LLP方法在考虑体声子影响的情况下研究了抛物量子阱中电子-LO声子相互作用对D-心能量的影响。研究结果表明,阱宽较小时,D-心的基态能量和结合能随着阱宽L的增大而急剧减小;阱宽较大时,能量的减小比较缓慢,最后接近体材料中的三维值。并且得出了电子-LO声子相互作用可使D-心的结合能有显著的提高。  相似文献
10.
萨茹拉  关玉琴 《发光学报》2007,28(5):667-672
利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)方法和变分法研究了在外磁场作用下氮化物无限抛物量子阱中自由极化子的能级,得到了极化子基态能量随量子阱阱宽和外磁场变化的规律,对GaN/Al_(0.3) Ga_(0.7)N抛物量子阱进行了数值计算。结果表明:外磁场对极化子的能量有明显的影响,极化子基态能量随阱宽的增强而减小,随磁场的增强而增大,并且电子-声子相互作用对氮化物量子阱中极化子能量的贡献是很大的。  相似文献
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