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1.
磁性聚苯胺纳米微球的合成与表征   总被引:20,自引:0,他引:20       下载免费PDF全文
报道了具有核壳结构的Fe3 O4 聚苯胺磁性纳米微球的合成方法和表征结果 .微球同时具有导电性和磁性能 .在优化的实验条件下 ,可得到饱和磁化强度Ms 为 5 5 .4emu/g ,矫顽力Hc 为 6 2Oe的磁性微球 .微球的导电性随着微球中Fe含量的增加而下降 .微球的磁性能则随着Fe含量的增加而增大 .Fe3 O4 磁流体的粒径和磁性聚苯胺微球的粒径均在纳米量级 .纳米Fe3 O4 粒子能够提高复合物的热性能 .实验表明 ,磁流体和聚苯胺之间可能存在着一定的相互作用 ,但这种相互作用较为复杂 ,难于研究 .  相似文献
2.
纳米固体材料的性能与界面微观结构   总被引:10,自引:0,他引:10  
综述了纳米陶瓷TiO2和纳米金属Ag的力学性能,以及纳米离子导体CaF2和PbF2等的离子导电性能,结合其界面微观结构特征,对上述纳米固体材料的优异性能进行了初步解释  相似文献
3.
Zn1-xMgxO薄膜p型导电和光学性能   总被引:9,自引:9,他引:0  
采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。  相似文献
4.
填充碳纳米管/石墨的复合型电磁波屏蔽膜   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
介绍一种填充碳纳米管/石墨的复合型电磁波屏蔽膜的组成、制备及其对耐老化性能,实验发现:当碳纳米管/石墨的配比为1/7-1/2、有机聚合物/导电填料的配比为29.6/70.4-32.4/67.6时,该屏蔽具有最佳的电性能、屏蔽性能和加工性能,且在一定条件下具有负的温度系数。用多层结构模型讨论了该屏蔽膜的导电性,并与铜、镍、危险性膜的屏蔽特性进行了比较。  相似文献
5.
透明导电半导体ZnO膜的研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
本文采用独特的电子束蒸镀方法,在光学镀膜机上,以 ZnO+3%Al2O3和 ZnO为膜料.k9光学玻璃为衬底,制备出ZnO 膜。膜层为多晶膜,可见光透过率为T=70-90%,电阻率p=1×10-5Ω·m,方电阻为 R =150±50±50Ω/ ,膜机械强度超过国标单层标准,找到实用最佳工艺条件。  相似文献
6.
更快、更高、更强——2001年的超导研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
 在2001年,全世界的科技工作者为量子论诞生100周年和诺贝尔奖颁发100周年举行了一系列庆祝活动。在《科学美国人》杂志的一篇纪念文章中,作者列举了33项展示量子论神奇力量的重大发现,这其中有8项与超流—凝聚有关。它们是1911年超导电性的发现,1924年玻色—爱因斯坦凝聚(BEC)的预言,1938年超流的发现,1957年BCS超导理论的提出,1973年核磁共振成像用于医疗诊断,1980和1982年整数和分数量子霍尔效应的发现,1986年铜氧化物高温超导体的发现和1995年BEC的实现。  相似文献
7.
Characteristics of Solid State Cathodoluminescence of PPV   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
曲崇  滕枫  徐叙瑢 《中国物理快报》2003,20(7):1144-1147
Based on our previous discovery [Chem.Phys.Lett.325(2000)420] of the solid-state cathodoluminescence from organic luminescent materials in inorganic/organic heterojunction,we study characteristics of this new kind of electric-field-induced luminesecence by means of examining its oscillogram.We prepared three devices with differect structures in which PPV was used as luminescent layer,and SiO2 was used as accelerating layer.The experimental results might be understood only by means of the existence of solid-state cathodoluminescence.This new kind of luminescence makes it possible to produce new type of flat panel display.  相似文献
8.
KN3和TIN3的能带结构,导电性和爆炸性   总被引:3,自引:0,他引:3  
9.
纳米TiO_2薄膜的结构与光电特性   总被引:3,自引:0,他引:3  
用射频磁控溅射方法制备出厚度大约15-225nm的TiO2薄膜。Raman光谱测量显示,TiO2薄膜主要是金红石结构(含少量板钛矿相)。紫外可见光吸收光谱表明,在纳米厚度(100nm)范围内,TiO2薄膜的带隙宽度随着薄膜厚度的变化而变化。室温下测量TiO2薄膜的电阻率发现,随着厚度的增加TiO2薄膜的电阻率先后在导体、半导体和绝缘体范围变化。  相似文献
10.
聚异亚甲亚胺分子间氢键的形成及其对导电性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用量子化学MNDO、CNDO/2-CO方法,探讨了聚异亚甲亚胺(HC=N-N=CH)x分子链间N…H-C型氢键形成的可能性和氢键构成,分析了这种氢键影响高聚物导电性能的规律。  相似文献
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