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1.
位错动力学与系统的全局分叉   总被引:14,自引:0,他引:14       下载免费PDF全文
在位错动力学的Seeger方程基础上,引入周期场作用,把位错运动方程化为具有硬弹簧特性的Duffing方程,并利用多尺度法分析了系统的动力学特征,利用Melnikov方法讨论了系统的全局分叉和系统进入混沌状态的可能途径.结果表明,当δ/α一定,Ω不断减小时,系统逐渐向临界状态接近,然后经过无限次级联分叉进入混沌状态.  相似文献
2.
强激光冲击铝合金改性处理研究   总被引:13,自引:2,他引:11  
吴边  王声波  郭大浩  吴鸿兴 《光学学报》2005,25(10):352-1356
利用新型聚偏1.1-二氟乙烯(PVDF)压电传感器,实现了对激光引发的冲击波压力的实时测量,得到激光引发的冲击波峰压在铝中成指数型的衰减规律;观测了不同约束层材料在铝靶表面产生的激光冲击波,研究了不同约束层对冲击效果的影响;最后用激光冲击强化装置对7050-T7451航空铝合金结构材料进行了冲击强化处理,对试件激光冲击区存在的残余压应力及位错密度进行了测量。结果显示经激光冲击处理的试件表面具有极高的残余压应力,可达-200MPa以上。激光冲击处理后铝合金的位错密度得到显著的提高,疲劳寿命提高到175%~428%。这些重要结果对激光冲击改性处理技术的实际应用具有指导性作用。  相似文献
3.
准晶的弹性,塑性与位错   总被引:12,自引:0,他引:12  
本文较系统地综述了适合准晶的线弹性理论,准品位错的基本理论和实验鉴定,准晶位错的弹性理论,以及准晶高温塑性形变的微观机制。  相似文献
4.
湍流大气中高斯谢尔光束的波前位错   总被引:12,自引:12,他引:0       下载免费PDF全文
张逸新  陶纯堪 《光子学报》2005,34(12):1841-1844
在Rytov近似下,通过引入短期统计平均位错位置的概念,研究了高斯谢尔光束通过近地面弱湍流大气传播时,波前圆形位错形成和位错位置与湍流大气起伏强度和传播距离等参数间的关系.基于湍流大气中平行和交叉双光束的简化近似传输模型,研究了湍流大气中传播高斯谢尔光束波前位错位置与大气湍流强度、传输距离等参数间的相关机制.在远小于光波位相起伏周期的条件下,分别得出了束径不同同轴双光束和交叉双光束传播情况下波前圆位错位置的湍流系综统计平均理论关系.所得结果表明,同轴平行光束干涉和交叉光束干涉所产生的光束波前位错受大气湍流强度、传输距离等参数调制的规律是不同的.  相似文献
5.
二维声子晶体同质位错结缺陷态特性   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
赵芳  苑立波 《物理学报》2006,55(2):517-520
利用平面波展开法结合超原胞的方法研究了二维声子晶体同质位错结的缺陷态.分别研究了横向位错和纵向位错两种情况,研究结果表明:横向位错效应与线缺陷相似,它可以使处于禁带频率范围内的声波沿位错通道进行传播,形成声波导;纵向位错效应则类似于点缺陷,位错线两边三个最接近的散射子形成腔,因而能够产生局域模.另外,横向位错距离和纵向位错距离的大小将影响缺陷带的位置和数量,因此,可以通过调节横向位错距离或纵向位错距离来人为的控制同质位错结中的缺陷带.  相似文献
6.
bcc Fe中刃型位错的结构及能量学研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
陈丽群  王崇愚  于涛 《物理学报》2006,55(11):5980-5986
基于位错理论,利用分子动力学方法建立了〈100〉{010},〈100〉{011},1/2〈111〉{011}和1/2〈111〉{112}刃型位错的芯结构,并计算了这四种刃型位错的形成能、位错芯能量和芯半径.计算结果表明:〈100〉{010}和〈100〉{011}刃型位错的形成能比1/2〈111〉{011}和1/2〈111〉{112}刃型位错的要高,这表明〈100〉刃型位错比1/2〈111〉刃型位错更难形成.而〈100〉{010}和〈100〉{011}刃型位错的芯半径比1/2〈111〉{011}和1/2〈111〉{112}刃型位错的小,这说明在1/2〈111〉刃型位错中位于奇异区的原子数多于〈100〉刃型位错,而这些原子要比完整晶体中的原子具有更大的活性.可见,1/2〈111〉刃型位错比〈100〉刃型位错更易运动,且〈100〉刃型位错在bcc Fe中难以形成.  相似文献
7.
晶体生长的缺陷机制   总被引:4,自引:0,他引:4  
王继扬 《物理》2001,30(6):332-339
晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来,闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上,他们发展了晶体生长的位错机制(包括刃位错和混合位错机制),层错机制,孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论:任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献,这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶(亚台阶),近年来,P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理,在大量实验事实和理论分析的基础上,他们认为亚台阶理论(称作闵氏理论)不仅可适用于溶液生长,也适用于气相生长的机理研究;不仅适于作理论分析,而且可用于寻求最佳生产条件的指导,亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论,文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。  相似文献
8.
Si材料中60°位错的分子动力学研究   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
本文使用Stillinger-Weber势函数和周期性边界条件,通过在原子尺度上的分子动力学计算研究了60°位错的位错心能量和运动情况.首先提出了相对简单的建立位错偶极子的新方法.在此基础上,借助于最近得到的对周期性映像作用的评估理论,由不同大小的3维计算模型得到的位错心能量的平均值为0.43 eV,这一结果不同于先前文献中的报导.另一方面,为研究位错运动在较大温度和压力范围下的表现,提出了相应解决方法来避免位错心在高温模拟环境时测量的不精确性.模拟结果显示位错速度相对于温度的变化曲线表现为波动形式.而且,位错的速度随模拟温度的升高而降低,这一结果与声子拖拽模型相吻合.  相似文献
9.
氮化硅粉末的冲击波活化研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
 研究了经过两种不同压力15.7 GPa和25.6 GPa的冲击波活化的Si3N4粉末的表观和显微特性及其烧结特性。结果表明冲击波活化在烧结过程中有明显的增进密实化进程的作用。  相似文献
10.
位错芯区扩散引起的非线性滞弹性内耗峰   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
葛庭燧 《物理学报》1996,45(6):1016-1025
若干年来,我们对于出现在Al-Cu和Al-Mg系中的表现正常和反常振幅效应的坐落在室温附近的内耗峰进行了系统研究,测得的激活能接近于溶质原子在位错管道中扩散的激活能,从而认为内耗峰的基本过程是溶质原子在隹错芯内的扩散,并且提出了根据位错弯结模型的物理图像。在70年代,Windler-Gniewek等根据弦模型对于位错芯内的扩散进行了理论计算,推导出描述内耗行为的数学表达式与我们的实验结果有许多相似之处。本文对于弦模型和弯结模型进行了对比,分析了位错芯内的纵向扩散和横向扩散所引起的内耗的非线性表现以及内耗峰温和峰高随着应变振幅和测量温度而变化的情况,进一步了我们发现的室温非线性内耗峰(非线性滞弹性内耗)是由于溶质原子在位错芯内扩散所引起的。  相似文献
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