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1.
本文给出了黑蝉辅助发声器的动力学特性,揭示了发音肌收缩运动的颤动特性。音盖、鼓盖和褶膜的每个振动周期都由与每个单音节的调幅脉冲列(AMPT_(1-3))相对应的子振动(SGV_(a-b,c))组成。与背部振动相比较,SGV_(a-c)具有调音功能的副频带。连续鸣叫时共鸣腔内的气压变化和两侧气门的气流速度分别约7.94—15.88Pa和0.59—0.84cm~3/s,腹部运动时分别增大约7倍和2.6倍。发音肌收缩到临界发声状态产生颤动,同时激励发声膜和调声板-膜产生AMPT_(1-3)和SGV_(a-c)。  相似文献   
2.
王作民 《数学杂志》1993,13(1):15-20
将饱和土作为二相介质,考虑土骨架和孔隙流体之间的摩阻力,建立了饱和土中一维压缩波传播的二相动力分析控制微分方程,采用有限差分法求解。该模型可以计算地表面爆炸冲击荷载作用下饱和土中波的传播和波在不动障碍上的反射问题。该模型可考虑饱和土土体的非线性塑性力学性质及土性随深度变化或土介质的分层情况。  相似文献   
3.
传统手动读数据方法和现代数据采集器传感器结合计算机自动测量方法分别对铜电阻、正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻进行数据测量,并且作曲线图.让学生掌握传统和现代测量方法、不同类型仪器使用方法、不同种类热敏电阻随温度变化的规律、非平衡电桥原理以及误差分析.  相似文献   
4.
重力加速度测量实验是大学生物理实验必修课实验内容之一,在实验过程中由于仪器使用不当或操作不正确,在计算结果时存在不同的偏差。不确定度是衡量测量精度的重要指标,本文计算了三种不同情况测量重力加速度时的不确定度,主要考虑了激光照射透明挡板的角度r、激光垂直入射点的偏差Δx和激光垂直入射方向的偏差β对重力加速度的不确定度。通过计算,当透明挡板向上/下偏移的角度为5°时,不确定度为1.496 3 m/s~2;当激光向左/右偏移5 mm时,不确定度为1.0044 m/s~2;当激光向左和向右偏移的角度为5°时,不确定度分别为1.551 5 m/s~2和1.250 8 m/s~2。本文可为减小旋转液体测量重力加速度误差提供理论依据。  相似文献   
5.
崔元德 《物理实验》1989,9(2):56-58
一、引言普物实验中,对波的传播规律的研究,都是用驻波法在均匀介质中实现的。例如弦振动实验和测定空气中声速的实验。在演示实验中,还有纵波在圆柱形弹簧中传播的实验。但都未涉及非均匀介质的情况。笔者也用驻波法,对锥形弹簧中纵波的传播规律作了实验探讨,得到了传播速度的经验公式。作为研究非均匀介质中波的传播规律的实验,它可以安排到课堂演示和普物实验教学课程中去。  相似文献   
6.
一、引言 观测托卡马克装置中等离子体引起的极向磁场扰动,通常把测得的磁扰动信号用电子学线路进行模拟量处理或计算机系统作数字量处理,如相关分析,空间付利叶分析等,以辨别各种扰动模式及其随时间的演化。用这些方法监测放电准稳阶段的磁流体扰动,已属常  相似文献   
7.
本文以谐振子为例,说明路径积分的一种计算方法。  相似文献   
8.
A1GaN/GaN heterostructure transistors are promising for power and switching applications. In addition, the transparent wide band-gap A1GaN/GaN heterostructure systems have received considerable attention to transparent electronics. Nowdays, Al-doped ZnO (AZO) thin film plays an increas- ingly important role in various fields of transparent electronics.The AZO-gated A1GaN/GaN HEMT with good dc characteristics and frequency character- istics has been reported. Annealing is widely used to improve the electri- cal characteristics of A1GaN/GaN HEMTs. It is re- ported that the Schottky leakage current can be re- duced by over four orders of magnitude by annealing in an A1GaN/GaN heterostructure with ITO/Ni/Au electrode. Pei et al. reported that the transparency of Ni/ITO gates of A1GaN/GaN HEMTs has been sig- nificantly improved after annealing. However, the evaluation of Schottky C V characteristics was ab- sent. Up to now, few results are reported on the Schot- tky annealing characteristics of AZO in A1GaN/GaN HEMT. Thus the effects of annealing on the leakage current, transparency and interface states character- istics need further study.  相似文献   
9.
10.
采用Matlab分别对线性电阻、发光二极管、太阳能电池的伏安特性实验数据进行曲线拟合,为理论分析与实验数据处理提供了方便。  相似文献   
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