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随机冲击下的折扣半马氏决策规划 总被引:1,自引:0,他引:1
随机冲击下的折扣半马氏决策规划胡奇英(西安电子科技大学七系,西安710071)DISCOUNTEDSEMI-MARKOVDECISIONPROGRAMMINGUNDERSTOCHASTICSHOCKS¥HUQIYING(XidianUniversit... 相似文献
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非对称三态叠加多模泛函叠加态光场的高次压缩——广义电场分量的不等幂次和压缩效应研究 总被引:2,自引:0,他引:2
多模真空态|{0j}〉q与两个空间强度分布特征不同的多模复共轭泛函相干态|{f(j a)*(x,y,z)}〉q和|{f(j b)*(x,y,z)}〉q的线性叠加组成的三态叠加多模泛函叠加态光场|ψ(f3)〉q,利用多模压缩态理论,研究了态|ψ(f3)〉q中广义电场分量的不等幂次高次和(H)压缩特性.结果表明:在一定的条件下,态|ψ(f3)〉q的广义电场分量可呈现出周期性变化的任意奇数次和任意偶数次的不等幂次高次H压缩效应;光场的经典振幅和经典初始相位的任意非对称空间分布特征对其压缩程度和压缩深度等压缩特性将产生直接的影响. 相似文献
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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
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本文综述了一般化马氏决策规射的研究现状,并讨论了存在的问题和进一步研究的方向.马氏决策规划(Markov Decision Programming,简记为 MDP)诞生于60年代初,至今已有四个分支:离散时间 JMDP,连续时间 MDP,半马氏决策规划和马氏决策漂移过程.标准的离散时间 MDP 模型为: 相似文献
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