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1.
曲照军  柳盛典  杨传路 《大学物理》2004,23(10):40-42,55
在相互作用绘景中利用微扰法求解了两模微腔的腔模与注入其内的四能级原子^40Ca构成的相互作用系统的态函数随时间的演化关系,在此基础上导出了原子的约化密度算符及其粒子布居数随时间的演化关系,由此可进一步研究四能级原子在腔场中的动力学行为。  相似文献   
2.
运用化学Langevin方程 ,数值研究了内噪声对单个和单向耦合自催化三分子模型动力学行为的影响 .研究发现 ,对于单个振子体系 ,内噪声可以诱导持续振荡 ,而且随着系统尺度的增大 ,信噪比经过一个极大值 ,从而证明了内噪声随机共振和最佳尺度效应的存在 ;对于单向耦合系统 ,信噪比还随耦合强度的变化而经过极大值 .此外 ,边界条件对耦合体系的内噪声随机共振行为有很大影响 ,非零流条件下 ,耦合可以增强内噪声随机共振 ,而零流条件下 ,耦合会抑制随机共振 ;当耦合强度适宜时 ,每个振子发生随机共振时的尺度几乎相同 ,表明最佳体系尺度和耦合强度有助于体系达到最佳的化学反应状态 .  相似文献   
3.
简并部分解除情况下的二阶微扰修正   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过对一般情况下简并态的二阶微扰修正,澄清目前在简并微扰论中尚存的一些模糊认识。  相似文献   
4.
李哲龙 《物理实验》1993,13(6):269-270,268
超过一万伏以上高电压的测试,往往需要较复杂的贵重仪器,本测试仪巧妙的运用笔式验电器、感应盘和可变电容盘,达到可以改变量程范围测量高电压,在被测高电压端和一绝缘金属球相联,可测量由1万伏到10万伏以上的直流高电压,误差在20%左右,该仪器结构简单,使用方便,价格仅为大型高压测试仪的十几分之一。一、工作原理本仪器是根据静电感应原理,装置见图2。所测高电压端连接的球体在高电压充电作用下带电,在其周围产生静电场,当带验电器的感应盘处于该静电场中时,因为验电器的感应盘受到较大的感应作用,很容易使笔式验电器的石英丝张开,在验电器的放大镜标尺上,从标线的移动可以确定高压球体的电位,该电位也就是所测高电压的电位。  相似文献   
5.
多维耦合受迫量子谐振子的普遍解   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
运用广义线性量子变换的普遍理论求解多维耦合受迫量子谐振子,给出了系统演化算符的矩阵元、波函数、力学量期望值和配分函数的严格表达式. 关键词: 多维耦合受迫量子谐振子 演化算符矩阵元 配分函数  相似文献   
6.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。  相似文献   
7.
Ar+N2体系在长势域上转动非弹性散射的Opacity函数   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用一种新的方法研究了A+BC体系的转动非弹性散射,即对体系总Hamilton量中的平动能部分在坐标表象中的显示式用代数方法解析求出,离心势能部分采用cenlrifugal sudden(缩写为CS)近似,转动能部分采用Fourier变换处理,并利用二阶差分(SOD)法近似含时间的Schr?dinger方程中的时间偏导,由此得到散射波函数。利用该法对Ar+N2体系的非弹性散射opacity函数做了详细的计算,结果表明,本法比常用的波包(close coupling wave packet,缩写为CCWP)法更适合于计算长势域上的高J(总角动量)值散射,且计算量较后者小。 关键词:  相似文献   
8.
运用多模玻色系统广义线性量子变换的普遍理论,对多模玻色二次多项式型系统进行了研究.给出了多模玻色二次多项式型系统的正规、反正规、Wigner特性函数、P表示和Q表示.举例讨论了该系统的压缩性质. 关键词: 多模玻色二次多项式型系统 特性函数 准概率分布函数  相似文献   
9.
微通道板电子透射膜工艺的AES研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
闫金良 《光子学报》2004,33(6):677-680
用冷基底溅射方法和静电贴膜方法分别在微通道板表面制备了电子透射膜,采用俄歇电子能谱(AES)研究了两种工艺制备的微通道板电子透射膜的薄膜成分,微通道板电子透射膜工艺失败微通道板通道表面的成分和通道内壁的成分随深度的变化. 结果表明,冷基底溅射方法制膜工艺的失败对MCP造成了严重的碳污染,污染的MCP不可回收;静电贴膜方法制膜工艺的失败对MCP通道表面没有明显影响,MCP可回收利用.  相似文献   
10.
Brown  LS 马美仲 《大学物理》1991,10(11):48-48
本文用氢原子的Bohr半径a0及精细结构常数a 计算实验回旋加速器中给定能量粒子的轨道半径  相似文献   
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