2D SnP3: 具有高载流子迁移率和光吸收率的范德瓦尔斯晶体

本文基于第一性原理计算,预测了二维SnP₃层作为新型半导体材料,具有0.71 eV(单层)和1.03 eV(双层)的间接带隙,这与体结构的金属特性不同. 值得注意的是,2D SnP₃具有9.171×10⁴ cm²?V^-1?s^-1的高空穴迁移率和对于整个可见光谱的高光吸收(∽10⁶ cm^-1),这预示2D SnP₃层有望成为纳米电子学和光电子学的候选材料. 有趣的是,本文发现2D SnP₃双层具有与硅类似的电子和光学特性. 考虑到硅基微电子和光伏技术的巨大成功,本文的研究结果将有助于纳米领域的相关研究.     

2D SnP_3:具有高载流子迁移率和光吸收率的范德瓦尔斯晶体（英文）

本文基于第一性原理计算,预测了二维SnP_3层作为新型半导体材料,具有0.71 eV(单层)和1.03 eV(双层)的间接带隙,这与体结构的金属特性不同.值得注意的是,2D SnP_3具有9.171×10~4 cm~2·V~(-1)·s~(-1)的高空穴迁移率和对于整个可见光谱的高光吸收(～10~6 cm~(-1)),这预示2D SnP3层有望成为纳米电子学和光电子学的候选材料.有趣的是,本文发现2D SnP_3双层具有与硅类似的电子和光学特性.考虑到硅基微电子和光伏技术的巨大成功,本文的研究结果将有助于纳米领域的相关研究.