La1.4Sr1.6Mn2O7双层结构外延膜电子顺磁共振和输运性质

本文研究了不同温度下、磁场与具有双层结构的La1.4Sr1.6Mn2O7外延膜膜面成不同角度θ时的电子顺磁共振谱，并测量了此薄膜材料的输运性质，发现在任一温度下，θ对ab平面上的铁磁态产生的普峰的共振场位置几乎没有影响：而在c轴方向上的铁磁－顺磁转变温度Tc^c以下，θ对c轴方向上的铁磁态产生的谱峰的共振场位置有着显著的影响，其原因可能有两个，一是c轴和ab平面方向上的磁性质由于结构因素的影响存在着差异，即各向异性；二是在c轴方向上可能存在强烈的退磁效应，而在ab平面方向上退磁效应可以忽略不。输运性质测量表明外加磁场明显地抑制了样品的电阻率ρ，样品表现出较强的磁电阻效应。     

MgB2混合态热导率的反常增强

测量了MgB2多晶样品的混合态热导率,磁场强度为0-7 T,温度范围为5-45 K.实验结果显示MgB2热导率在低场下迅速上升,高场下趋于饱和,这与MgB2的二能隙电子结构有关.对实验结果的分析指出,低温强场下MgB2多晶样品热导率的显著增强无法完全用电子热导来解释,并对此进行了讨论.     

三维有序二氧化锰大孔材料的模板技术合成及表征

以单分散SiO2 胶态晶体球形成的三维有序结构为模板 ,利用胶体晶模板技术合成了三维长程有序的二氧化锰大孔材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为纯四方相二氧化锰 .SEM结果表明 ,所合成的二氧化锰大孔材料孔大小均匀 ,空间排列高度有序 ,很好地复制了SiO2 胶态晶体球的自组装方式 .此外 ,对三维有序二氧化锰大孔材料的合成过程进行了分析 ,研究了前体填充次数对产物孔结构的完整性和有序性的影响 ,还发现产物孔径的收缩存在异常现象 .     

氧掺杂La2CuO4的热导

实验研究了氧掺杂的La2CuO4样品从330K经过慢速冷却和快速冷却后其热导率随温度的变化关系,测量温区为77－300K,在120K以下,两种情况下测得的热导率都随温度的升高而降低。热导率值相同,在120K附近达到极小,120K以上热导率随温度的升高而升高。但经过慢速冷却过程测得的热导值明显低于经过快速冷却过程测得的热导值,分析认为这与两种情况下样品中不同的无序磁散射有关。     

碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征

采用SiCl4、CCl4和金属K体系 ,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅 (SiC)单晶材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜 (TEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为碳化硅 .TEM结果表明 ,采用不同剂量的金属K ,所得产物分别为丝状和片状的SiC单晶 .SiC单晶丝直径为 10～2 0nm ,长度可达 1.5 μm ;SiC晶片的横向尺寸为 0 .1～ 3μm ,具有规则多面体外形 ,显示阶梯状生长侧面 .此外 ,对SiC单晶材料的生长机理进行了讨论 ,研究了过饱和度对SiC晶体生长和形貌的影响 .     

纳米晶体ZnS∶Mn~(2 )发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．     

纳米晶体ZnS：Mn2+发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ZnS:Mn²⁺中Mn²⁺粒子⁴T₁→⁶A₁的发光寿命比晶体减缩了5个量级,这颇令人费解,因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应.假定基质态的自旋不为零,且考虑了Mn²⁺的d电子和基质之间的交换库仑作用.若基质存在比Mn²⁺的⁴T₁激发态能量略高的某种激发态,则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合,从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒.这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强.我们并对此机制进行粗略的数值估计,给出了和实验相容的结果.     

稀土离子发光体系中能量传递和迁移模型的研究

基于以前综合V-F模型(考虑施主受主(D-A)能量传递)和B模型(考虑施主施主(D-D)能量迁移)而提出的V-F-B综合模型,对La_1-xEr_xF₃体系中Er³⁺离子四种低掺杂浓度下(x=0.001,0.003,0.01,0.02)295K时⁴S_3/2→⁴I_15/2发光的时间演化曲线成功地重新进行了数值拟合.结果表明该体系内D-A间交叉弛豫能量传递是偶极-偶极作用,作用常数C_DA为4.75×10^-41cm⁶/s,与Okamoto等人原用YT扩散模型得到的结果一致.而拟合得到的四个D-D平均跳跃时间τ₀粗略地与x_D^α次方(x_D为D离子浓度)成正比(α≈-1.237),并不遵从τ₀很小时与x_D的-2次方成正比的理论关系.同时,通过把D-D迁移和D-A传递同时同样地纳入V-F模型还粗略估计了D-D平均跳跃时间τ₀′的值,发现它与V-F-B给出的τ₀拟合值比较一致,说明V-F-B模型在一定近似程度上是内部自恰的、合理的. 关键词： 能量传递 能量迁移 跳跃时间 交叉弛豫     

高压下Na5Eu(WO4)4的光谱和晶场参数

四钨酸铕钠Na5Eu(WO4)4是化学计量的基质发光材料,发光来源于基质中高浓度的Eu3+.本工作用金刚石对顶砧显微高压光谱系统,在0～8GPa范围内研究了Na5Eu(WO4)4的Eu3+室温光谱,确定了各发射谱线在高压下的红移率.根据晶场理论,确定了Eu3+各能级用晶场参数表示的公式,并与高压下谱线位置实验值定出的能级值拟合,计算出晶场参数Bkq(kq=20、40、44、60、64)随压力的变化率ΔBkq/ΔP.     

C60吸附在金属表面的计算研究

用离散变分局域密度泛函方法研究了Ｃ６０在Ａｌ（１１１），Ｃｕ（１１１）和Ａｇ（１１１）表面的电子结构性质。Ｃ６０／金属界面系统通过用Ｃ２４Ｈ１２取代Ｃ６０和用１０个金属原子代表衬底来简化，计算了Ｃ６０在金属衬底上的吸附高度，吸附能量及两者之间的电荷转移，发现Ｃ６０与Ａｌ（１１１），Ｃｕ（１１１）和Ａｇ（１１１）表面通过共价键（其中混杂少量的离子键）相结合。