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以传统的浸渍法,在不同焙烧温度下制备了用于CO氧化反应的Co3O4/SiO2催化剂.通过激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、程序升温还原(TPR)和X射线吸收精细结构谱(XAFS)表征了该系列催化剂的结构.在所有的催化剂中,XRD和Raman光谱都只检测到了Co3O4晶相的存在.与Co3O4体相相比,XPS结果表明在200 oC焙烧的(Co3O4(200)/SiO2)催化剂中Co3O4表面上存在着过量的Co2+.与XPS的结果一致,TPR结果表明Co3O4(200)/SiO2催化剂中Co3O4表面上存在氧缺陷, 并且XAFS结果也表明Co3O4(200)/SiO2催化剂中Co3O4具有更多的Co2+.提高焙烧温度使得过量的Co2+进一步氧化为Co3+,同时降低了表面氧缺陷浓度,从而得到计量比的Co3O44/SiO2催化剂.在所有的负载催化剂中Co3O4(200)/SiO2催化剂表现出了最好的CO氧化催化性能,表明过量Co2+和表面氧缺陷的存在能够促进Co3O4催化CO氧化反应的活性. 相似文献
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