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1.
氧化锌薄膜光电功能材料研究的关键问题   总被引:16,自引:3,他引:13  
傅竹西  林碧霞 《发光学报》2004,25(2):117-122
氧化锌薄膜光电功能材料是近年来新发展起来的研究课题,由于它在短波长光电信息功能材料方面具有潜在的应用前景而备受关注。为了开发ZnO结型光电器件,目前首先需要解决高质量ZnO单晶薄膜的外延及p型掺杂等关键问题。综合国内外的研究结果,结合我们的工作,叙述了利用多晶格匹配原理通过过渡层在Si衬底上异质外延高质量ZnO薄膜,介绍了用SiC作过渡层生长ZnO薄膜的有关问题。对ZnO的p型掺杂,分析了制备p型ZnO的困难和利用Ⅲ-Ⅴ族共掺杂方法生长p型ZnO的作用和优点。  相似文献
2.
无机-高分子磁性复合粒子的制备与表征   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
详细地研究了乳化剂用量对种子乳液聚合反应的影响,并成功地制备出粒径约为300的苯乙烯/丙烯酸共聚小球。另外,还报道使用化学共沉淀法使无机粒子与高分子球复合,制备出高分子球为核,无机粒子为壳层的磁性复合料子,使用XRD、TEM等手段对此复合料子进行了表征。同时,进一步研究了这种复合粒子悬浮液的悬浮性能以及粘度随磁场的变化情况。  相似文献
3.
气相沉积法生长不同结构ZnO纳米线及其发光   总被引:6,自引:4,他引:2  
用Zn粉、Zn/In2O3/C粉作为不同锌源,通过气相沉积法在空气或N2/O2混合气氛下生长出多种形貌的ZnO纳米线(如:四脚状、多脚状、梳子状、绒棒状,以及纳米棒、纳米丝、纳米带等多种形貌),直径约为50-1000nm,长度约为1—20μm。测量了样品的XRD谱、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射像,证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶。四脚状样品的PL光谱显示样品存在近紫外峰(380nm)和绿峰(500nm)两个发射带,半峰全宽分别约为15,90nm,其峰值强度比其他方法(如溶液法)制得样品的峰值强。样品的尺寸对光谱强度有一定影响,但对谱峰位置并无影响。用He-Cd激光器的325nm激光对四脚状样品进行发射光谱分析,发现其近紫外激子发光大大增强而绿色缺陷发光相对较弱,近紫外的峰值位于383nm,半峰全宽约为16nm;绿峰峰值位于515nm,半峰全宽约为76nm。  相似文献
4.
ZnO薄膜光学常数测量   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复介电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱。对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复介电常数和复折射率。实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3.5;在430nm附近出现折射率最大值,而在短波长范围所对应的折射率大大降低,其值在0.5—2.5之间起伏波动。  相似文献
5.
6.
表面波等离子体沉积类金刚石膜结构的Raman光谱和XPS分析   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文使用Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)的分析方法对表面波等离子体沉积的类金刚石(DLC)薄膜的结构进行了研究。采用 4峰的高斯解谱的方法对不同沉积时间的膜的Raman谱进行处理 ,并由此对膜中sp3键的百分含量PD 进行了定量计算 ;同时还采用 3峰的高斯解谱方法对不同沉积时间的膜的光电子能谱进行处理 ,也对膜中sp3键的百分含量进行了计算。两种方法均得到膜中sp3含量在 2 0 %~ 4 0 %之间 ,且随沉积时间的增加而增加。  相似文献
7.
A simple wet-chemical synthesis and characterization of CuO nanorods   总被引:4,自引:0,他引:4  
Using a simple wet-chemical route, we synthesized CuO nanorods with diameters of ca. 5–15 nm and lengths of up to 400 nm. The purity, crystallinity, morphology, structure features, and chemical composition of the as-prepared CuO nanorods were investigated by powder X-ray diffraction, transmission electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and Raman spectroscopy. Received: 22 March 2002 / Accepted: 12 June 2002 / Published online: 28 October 2002 RID="*" ID="*"Corresponding author. Fax: +86-25/359-5535, E-mail: wangqun@nju.edu.cn  相似文献
8.
采用FTIR,UV-Vis,WAXD和DSC手段,研究了分子间为非共价键化学结合的PCL/SiO2高分子-无机杂化透明材料组分间的键合型式;分子间特殊氢键相互作用行为与结晶性聚合物在杂化材料中的微结构相关性。结果表明,杂化体系中PCL高分子与SiO2无机组分间的键合,主要是依赖于杂化体系中较强的分子间氢键相互作用,其作用强度随无机相TEOS含量而变化。体系中氢键相互作用增加使PCL结晶高分子的相对结晶度下降,杂化材料的光学透明性提高。同时对体系中高分子-无机组分的微相分离尺度产生影响。  相似文献
9.
氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的I-V特性的影响进行了研究。用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/p-Si异质结。在1000℃下用不同比例的氧和氮热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强。但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,从而使紫外减弱。在纯氧和无氧条件下热处理的俄歇谱表明纯氧下氧过量,而无氧下锌大大过量。ZnO/p-Si异质结的I-V特性表明,无氧热处理表现为典型的n-ZnO/p-Si异质结;而在纯氧气氛中处理后所得I-V曲线反向,这表明在高氧压下受主缺陷的产生,表明ZnO薄膜有可能由于高氧压热处理由n型转为p型。  相似文献
10.
关于加罩电极罩作用机理的讨论   总被引:3,自引:0,他引:3  
对加罩电极的罩作用机理提出了自己的看法,与同行们共同讨论,这对更好地认识和掌握加罩电极法有好处,也对今后相关技术的发展有好处。  相似文献
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