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1.
冲击磁铁脉冲调制器的谐振开关高压充电电路及数值模拟   总被引:6,自引:2,他引:4  
介绍了一种新颖的专为电子储存冲击磁铁脉冲调制器而设计的高压充电电路,该电路采用了零电流谐振开关变换技术及一种简单可靠的充电方式,建立了该电路的数值仿真模型,分析了在高压脉冲电容作为变换器负载条件下的充电电路的瞬态特性,仿真结果表明设计电路民要求的幅值精度及重复频率,进一步探讨了提高充电重复频率的途径。  相似文献
2.
软X射线聚焦波带片制备工艺的研究   总被引:5,自引:3,他引:2  
傅绍军  洪义麟 《光学学报》1995,15(8):148-1150
利用全息光刻和离子束刻蚀技术制作了用于软X射线聚焦和色散的三种参数的高精度菲涅耳波带片,给出了实验结果。  相似文献
3.
波荡器位相误差及垫补计算   总被引:4,自引:2,他引:2  
给邮了波荡器位相误差的函数式,可由磁场峰值分布直接计算波荡器位相均方根误差,给出了波荡器垫补修正的简单解析计算式,可根据垫片的位置,大小,厚度,磁极间隙等参数直接计算出对磁场及位要的修正。  相似文献
4.
储存环光学速调管磁场分析   总被引:4,自引:4,他引:0  
在合肥国家同步辐射实验室的储存环上,插入件光学调速器已安装完成,对光学速调管的磁场分布进行了一些附加测量,分析了横向磁场的空间谐波分量,测量了积分场的分布,对积分场变化的原因作了一定探讨,还测量了磁场横向分布的均匀度,为将要进行的相干辐射和自由电子激光研究提供实验数据,最后用实测的磁场对光学速调器自发辐射进行了数值模拟,结果表明这个光学速调器基本上满足完全要求。  相似文献
5.
单晶ZnO纳米线的合成和生长机理研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用化学气相输运(CVT)方法合成了直径在20~120nm呈单晶结构的ZnO纳米线.利用场发射扫描电 镜(FESEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)等技术对ZnO纳米线的生长机理和结构进行 了系统研究,结果表明,纳米线的成核与Au Zn合金催化颗粒的饱和度有直接的关系,先饱和的颗粒上纳米线首 先成核.纳米线顶端合金颗粒组成的变化是导致纳米线生长终止的重要原因,大量纳米线的生长不是同时进行 的.本工作提供了支持纳米线气液固(V L S)生长机理的新实验证据,提出了氧化物纳米线的生长机理.  相似文献
6.
离子束刻蚀软X射线透射光栅实验研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
傅绍军  唐永建 《光学学报》1992,12(9):25-829
利用全息-离子束刻蚀方法研制出了聚酰亚胺薄膜为衬底的金软X射线透射光栅.研究了光栅制作中曝光量、显影条件和离子束刻蚀工艺等因素对光栅参数的影响,并给出了在惯性约束激光核聚变实验研究中的应用结果,  相似文献
7.
4~120 nm波段的单色仪光束线设计   总被引:3,自引:1,他引:2  
合肥国家同步辐射实验(NSRL)在表面物理光束线中应用了新的简单平面光栅单色仪作为分光仪器。它采用平面光栅和球面镜我学成像系统,波长选择由光栅绕其中心轴转动和球面绕一镜面外的轴转动完成,单色仪在4-120nm光谱范围内具有高的光学传输效率、高的光谱分辨率。  相似文献
8.
实现光束变换的连续位相衍射光学器件的研制   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文利用基于模拟退火法和爬山法相结合的混合优化算法,实现光束变换的连续位相衍射光学器件的设计。通过灰阶掩膜板及离子刻蚀工艺,研制了 Φ100m m 的连续位相衍射光学器件。通过多级衰减片及CCD 实现了焦斑光强分布测量。测量结果表明:边缘陡峭、旁瓣小、中心主瓣具有一定均匀性,且没有中心零级锐脉冲的焦斑光强分布  相似文献
9.
兼用FEL光学速调管的同步辐射波荡器的设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
介绍了合肥800MeV储存环FEL光学速调管改造成同步辐射波荡器的设计与计算过程,给出了改造方法,计算了波荡器的光通量与亮度并给出光通量与亮度曲线,计算结果表明,改造后的波荡器可以将上前辐射亮度提高两个多数量级,使许多上前光源亮度下无法无展的研究工作得以进行。  相似文献
10.
K9和石英玻璃基片上Au膜真空紫外反射特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用离子束溅射法,分别在经过不同前期清洗方法处理过的K9及石英玻璃光学基片上,选择不同的镀膜参量,镀制了多种厚度的Au膜。对镀制的Au膜在真空紫外波段较宽波长范围内的反射率进行了连续测量。测试结果表明:辅助离子源的使用方式、Au膜厚度对反射镜的反射率有重大影响。基片材料、镀前基片表面清洗工艺等对反射率也有一定影响。采用镀前离子轰击,可显著提高Au膜反射率及膜与基底的粘合力;获得最高反射率时的最佳膜厚与基片材料、镀膜工艺密切相关。对经过离子清洗的石英基片,膜厚在30 nm左右反射率最高;比较而言,石英基片可获得更高的反射率;辅助离子源的使用还显著影响获得最高反射率时对应的最佳膜厚值,且对K9基片的影响更显著。  相似文献
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