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1.
新型软开关高压脉冲电容恒流充电技术分析   总被引:25,自引:4,他引:21       下载免费PDF全文
 介绍了新型软开关脉冲电容充电技术,其基本电路采用串联谐振拓扑,具备零电流开关、恒流充电、内在短路保护等优点。导出了该基本电路重要参数的计算公式。仿真了一个10kJ/s充电电源的波形。在重复频率较高、电容容量偏小时的不利情况下,在基本恒流电路的基础上,探讨了几种解决途径同时保留了恒流源的优点。  相似文献
2.
Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性   总被引:20,自引:7,他引:13  
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其湿度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带(290nm),并初步指定其来源。  相似文献
3.
纳米微晶结构ZnO及其紫外激光   总被引:20,自引:0,他引:20  
本介绍了的年来研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径——ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别:即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物和Ⅲ-Ⅳ氮化物之后的新型半导体激光器材料。  相似文献
4.
全息离子束刻蚀衍射光栅   总被引:13,自引:0,他引:13  
徐向东  洪义麟  傅绍军  王占山 《物理》2004,33(5):340-344
全息离子束刻蚀衍射光栅集中了机械刻划光栅的高效率和全息光栅的无鬼线、低杂散光、高信噪比的优点.全息离子束刻蚀已作为常规工艺手段应用于真空紫外及软x射线衍射光栅的制作.文章对全息离子束刻蚀衍射光栅的制作方法、主要类型、研究现状和应用进行了综述.  相似文献
5.
非晶和纳米ZrO2,ZrO2:Y发光研究   总被引:11,自引:4,他引:7  
利用共沉淀法制备了非晶和纳米ZrO2和ZrO2:Y(7%)。通过X射线衍射对其晶化过程的结构变化进行了表征,并在不同温度和气氛下进行处理,研究了对其发光性质的影响。结果表明发射谱由一个Gaussian带(峰值2.69eV)和一个非对称带(峰值3.12eV)构成,它们对应的发光中心分别为F^ 心和(F-F)^ 心。非晶样品的发光强度比纳米晶样品强,发光强度主要受氧空位的浓度和晶粒尺寸的影响,随着处理温度的升高,两者竞争的结果综合地影响了发光强度。  相似文献
6.
ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理   总被引:9,自引:1,他引:8  
以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369.5,290nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区,而在真空紫外区(100~200nm),可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发。对三种紫外发射的来源作了分析讨论。  相似文献
7.
PbWO4晶体电子结构的理论计算   总被引:9,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
叶小玲  杨啸宇  施朝淑  郭常新 《物理学报》1999,48(10):1923-1929
采用相对论性的离散变分DV-Xα方法模拟计算了具有复杂晶体结构的PbWO4晶体的本征能级结构,其价带顶主要由O 2p轨道组成,导带底主要由W 5d轨道构成;Pb 6s电子的绝大部分分布在距价带底~2eV处的窄带中,同时也有少量分布在价带;禁带宽度大约是4.4eV,计算结果与实验数据符合得较好.  相似文献
8.
基于对数比电路的HLS turn-by-turn系统   总被引:9,自引:7,他引:2       下载免费PDF全文
 较详细地介绍了合肥光源逐圈束流位置测量(turn-by-turn)系统设计思想和理论分析。该系统是为了判定二期工程升级后的注入系统的注入效率和Damping率,研究Beta振荡和轨迹瞬时变化以及其他束流动力学问题如工作点变化等的研究而研制。选择了新近受到广泛重视的对数比电路服务束流瞬时位置信号的处理。利用工作在204MHz的对数比电路完成被激励束的turn-by-turn位置测量和相空间检测。给出了该系统各部分性能和理论分析结果,介绍了快速多通道ADC在该系统的数据获取中的应用。  相似文献
9.
合肥光源逐束团测量和横向束流反馈系统设计   总被引:8,自引:6,他引:2       下载免费PDF全文
 介绍了在合肥光源开展逐束团测量(横向和纵向)和横向束流反馈系统研究和研制的重要性,同时还介绍了设计思想。合肥光源高频频率为204 MHz,因此,系统至少需要100 MHz的带宽。还较详细地介绍了宽带部件和系统参数的选择原则。该系统不仅可用于研究由于高频腔中的高阶模和真空室的阻抗壁效应所引起的耦合束团不稳定性,而且还能抑制耦合束团不稳定性振荡、快速束流离子不稳定性和注入大幅度振荡等,从而将提高机器的运行性能。  相似文献
10.
镀膜陶瓷真空室脉冲磁场穿透特性研究   总被引:7,自引:2,他引:5  
介绍了合肥电子储存环新凸轨注入系统中将采用的超高真空陶瓷镀钛真空室的研制状况。对穿过真空室镀膜的脉冲磁场特性进行了理论分析与计算。讨论了不同的镀膜厚度及方式对脉冲磁场均匀性的影响,用跟踪程序计算了注入过程磁场径向不均匀性对束流轨道的扰动,给出了涡流引起的磁场径向不均匀性最大允许值。  相似文献
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