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1.
目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题.为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN.其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究.本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理.接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性.最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用. 相似文献
2.
本文基于实测数据抽象出用户网络与资源网络,探讨了对等网络中用户、资源及其内部的相互作用关系,发掘并分析了其内在的网络统计特征. 分析结果表明,用户节点度值及权值呈分段分布,体现了其各异的活跃性;网络资源的流行度差异明显,度值和权值近似呈幂律分布. 用户网络与资源网络存在分簇结构,少数簇中含大量节点,多数簇所含节点数量较少. 用户网络中,同簇内的用户有着相似的兴趣趋向,不同簇用户间兴趣趋向存在着差异,资源网络各簇中不同类别的资源间呈现出明显的关联性. 相似文献
3.
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.
关键词:
粗化
氮化镓
p型氮化镓
发光二极管 相似文献
4.
通过石英圆柱模型,理论研究了小芯径光子晶体光纤中混合声波模式的色散、模式耦合以及声光相互作用,理论计算出了布里渊散射增益系数谱的双峰结构及其随抽运光波长和温度的演化规律. 理论分析表明光子晶体光纤中布里渊散射增益系数谱的双峰结构源于小芯径光子晶体光纤中混合声波模式之间的模式耦合. 通过温度改变导致的材料参数变化对声波模式色散特性的影响,特别是声波模式耦合点的移动,解释了双峰结构随外界温度的变化规律. 并且,通过理论计算与实验结果的对比讨论了石英圆柱模型的局限性和适用范围.
关键词:
布里渊散射
声光相互作用
模式耦合
光子晶体光纤 相似文献
5.
研究了基于半导体光放大器(SOA)结合延迟干涉仪(DI)结构的伞光波长转换.分析了SOA-DI结构的工作原理和DI参数的作用,进行了10 Gb/s和40 Gb/s归零码全光波长转换实验研究.实验结果表明,基于SOA中交叉增益调制(XGM)效应实现的波长转换为反相转换,输出信号消光比较低.当工作速率较高时波长转换信号质量明显恶化.而SOA-DI结构可实现同相波长转换并可改善波长转换信号的消光比,从而改善单个SOA实现波长转换的性能并提高系统的工作速率,该结构还具有结构简单、可光子集成等优点. 相似文献
6.
移动通信应用为人类移动规律的研究提供了独特的数据来源. 本文通过城市手机用户的分布数据,研究城市移动人群的整体动力学行为. 借助随机矩阵理论的方法,通过比较移动人群数据与随机数据在互相关矩阵谱分布上的差异,发现移动人群数据互相关矩阵的相关系数均值、最大本征值及其对应的本征向量明显偏离于随机互相关矩阵的分布,指出这种差异体现了城市移动人群的整体行为特性,且这种差异在不同时间段也会有所不同. 研究结果体现出相关系数的均值和最大本征值的波动趋势,并指出本征向量成员权重的时空模式与城市移动人群整体行为特征的波动过
关键词:
随机矩阵理论
移动人群
宏观行为 相似文献
7.
由Internet构成的复杂网络的动力学特性主要受到用户需求行为的影响,具备时域的统计规律性. 通过对区域群体用户需求行为的时域实验统计分析,发现用户对Web网站的访问频度及其生成的二分网络的入度分布也呈现幂律分布和集聚现象,其幂指数介于1.7到1.8之间. 建立了虚拟资源网络VRN和物理拓扑网络PTN双层模型,分析了双层模型映射机理,并对网络用户需求行为进行建模. 虚拟资源网络VRN对物理拓扑网络PTN映射过程的不同机理,模拟了Internet资源网络到物理网络的不同影响模式. 幂律分布的用户需求特性会
关键词:
复杂网络
无标度拓扑
用户需求
相变 相似文献
8.
9.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比
关键词:
半绝缘GaN薄膜
载气
金属有机气相外延
位错 相似文献
10.