基于迈克耳孙干涉光程差放大法的微小位移测量

基于迈克耳孙干涉光路,介绍了一种新的测量微小位移的实验方法.通过在迈克耳孙干涉原光路中添加平行平面镜组,使入射光和反射光在反射镜组中多次反射.当平行平面镜之间的距离发生微小变化后,两反射光束之间光程差将会被放大,通过观测干涉条纹的变化可以计算出微小的位移.设计了实验光路,对该方法进行了实验验证.与传统的迈克耳孙干涉实验相比,该方法的测量精度有很大的提高.     

单层与多层MoS_2对Goos-Hnchen位移的调制

单层与多层MoS_2是一种新型的类石墨烯二维材料,其层数依赖的介电常数使其具有诸多可调的光学性质.本文借助于传输矩阵理论,根据反射系数的相位角推导计算了Al_2O_3/MoS_2/空气结构中的Goos-Hnchen(GH)位移,并分析了单层与多层MoS_2对GH位移的影响.研究结果表明,在不同的入射角范围内,GH位移随MoS_2层数的变化表现出不同的依赖行为.     

手持式电磁感应演示仪

介绍了一种自制的电磁感应演示仪. 该演示仪利用同性相斥的原理,缓冲并助推了磁铁的往复运动, 通过发光二极管可以直观并持续地展示电磁感应现象. 该演示仪结构简单,便于携带和操作     

二维过渡金属硫化物激子能级的理论计算——介质屏蔽的氢原子模型

根据介质屏蔽的氢原子模型求解了单层过渡金属硫化物MoS_2中A激子的结合能及能级谱图,所得结果与二维空间里的玻尔氢原子理论所得结果进行比较发现,介质的屏蔽效应导致处于激发态的激子结合能增大,激发态与基态间的能级间距减小,当主量子数n8时,激子的量子化特性才消失而呈现出连续的能级谱.     

溴化钾晶体电注入着色临界温度及机理

用自行研制的电注入装置,对溴化钾晶体进行电注入并使之有效着色.由基本理论可以得出溴化钾晶体电注入着色临界温度理论值为598 K,并依此拟定和实施具体实验方案.通过实验进行得到电注入着色临界温度实验值为603 K.达到临界温度后,溴化钾晶体被着色,产生F色心.研究结果表明,临界温度理论值与实验值符合得很好.借助测得的电流～时间关系图,对经此种电注入着色晶体中色心形成提出机理解释.