非简谐振动对SiC类石墨烯热输运性质的影响

考虑到原子的非简谐振动,应用固体物理理论和方法,计算了SiC类石墨烯的简谐系数和非简谐系数,得到它的德拜温度、热容量和热导率等随温度的变化规律,探讨了原子非简谐振动对它的热输运性质的影响.结果表明:SiC类石墨烯的德拜温度随温度的升高而在117-126 K之间线性增大,定容比热随温度升高而非线性增大,热导率随温度升高而非线性减小,温度较低时变化较快,而温度较高时变化较慢,并随着温度升高而趋于常量;考虑到非简谐振动后,SiC类石墨烯的德拜温度、定容比热和热导率的值分别大于、小于和大于简谐近似的相应值,温度愈高,其差值愈大,即温度愈高,非简谐效应的影响愈显著;二维平面状的SiC类石墨烯的定容比热和热导率随温度的变化规律,与三维块状SiC晶体总体趋势相同,只是具体数值不同.     

ZnLaxSn-x（x=4，8）半导体材料光电性质的第一性原理计算

本文采用第一性原理研究了ZnS，Zn La4Sn-4，ZnLa8Sn-8三个体系的能带结构、分态密度、总态密度以及复介电函数.研究结果显示: ZnS体系的价带顶和导带底都在G点处，为直接带隙材料；ZnLa4Sn-4，Zn La8Sn-8两体系的导带向价带移动，费米能级处有多条能级穿过，费米能级处附近的态密度则由S 3p ，Zn 3p和La 5d以及5p 轨道组成；对比分析ZnS，ZnLa4Sn-4，ZnLa8Sn-8三个体系的复介电函数的虚部发现Zn La4Sn-4、ZnLa8Sn-8体系在0-10eV区域内的介电峰都少于本征结构，而在10到20eV的高能量区间内，ZnLa4Sn-4、ZnLa8Sn-8体系介电峰的相应幅度较ZnS增强.