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1.
半导体光放大器(SOA)的非线性特性在光开关、波长变换、光逻辑运算中有重要的应用.研究了注入电流、入射光波长及SOA有源区长度对SOA增益和发光功率的影响.数值模拟结果表明:注入电流的增加,会引起载流子浓度的增加,且使SOA增益趋于饱和的速率加快;不同的SOA模型存在一个最佳输入光波长,在此波长附近有较好的增益特性;加长半导体光放大器有源区长度可获得更大增益,同时提高了器件的响应速率.  相似文献
2.
在0一40kbar,20一750℃的压力与温度范围内探索了碘酸锂(LiIO3)可能存在的高压相,发现在1.5—4.9kbar及310—450℃的压力及温度范围内以及15kbar以上的高压范围内分别存在一个高压结构。较精确地测定了各相的相界,改正了国外1969年发表的相图中的一些错误,并对高温高压下各相的稳定性进行了初步讨论。  相似文献
3.
用X射线衍射法研究了(Fe0.1Co0.55Ni0.35)78Si8B14金属玻璃在常压下及20kbar高压下晶化过程中的析出相及析出过程。结果表明在上述压力下晶化过程都分成两个阶段,分别对应于初级晶化和共晶晶化。在常压下,初级晶化时析出fcc-Co晶体,而共晶晶化对应着Ni31Si12和(FeCoNi)3(SiB)相的析出。随着回火温度的增高或时间的延长,(FeCoNi)3(SiB)相逐渐转变为(FeCoNi)23B6相。20kbar高压下的晶化析出过程与常压下不同的是:提高了晶化温度,在共晶晶化阶段出现了Co2B相。此外,压力还阻止(FeCoNi)23B6相的形成。从热力学和动力学的角度讨论了压力对金属玻璃晶化过程的影响。  相似文献
4.
基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了中性单点缺陷γ-Si3N4的能量、电子结构和光学性质. N缺陷的结合能和形成能比Si(8)和Si(4)位的都低,显示γ-Si3N4中N缺陷更易形成. 分析了各种缺陷情况下相应的态密度. Si缺陷能形成p型半导体,N缺陷使材料形成间接带隙的n型半导体. Si缺陷情况下,物质有相对大的静态介电常数,在可见光区和红外区,吸收和反射得到显著改善,但是N缺陷却没什么影响.  相似文献
5.
在考虑到端面反射率影响的前提下,从SOA载流子的速率方程和耦合波方程出发,建立了基于SOA的交叉增益调制波长变换理论模型,利用分段模型方法对影响增益特性的几个参数进行了数值模拟。结果发现,注入电流和有源区面积对SOA增益的影响有一个阈值,在阈值范围内,SOA增益的大小随着注入电流和有源区面积的增大而明显的增大,但是超过阈值时,则SOA增益趋向饱和。  相似文献
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