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利用密度泛函理论结合玻尔兹曼输运理论计算体相和双层二维MoS2/MoSe2异质材料的热电性质. 计算表明,体相MoS2/MoSe2异质材料的热电性质比之于MoSe2会有较大程度的提高. 该异质材料热电性质的提高主要源于异质材料本身带隙的减小以及层间的范德瓦尔斯相互作用. 二维MoS2/MoSe2异质材料存在热电应用的可能性.  相似文献
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雷天民  吴胜宝  张玉明  郭辉  陈德林  张志勇 《物理学报》2014,63(6):67301-067301
为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度. 计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关,La 杂质附近的键长变化最大,Nd杂质附近的键长变化最小. 能带结构分析表明,La 掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级,Ce 掺杂可以形成6个新能级,Nd掺杂可以形成4 个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析. 差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2 中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象. 关键词: 第一性原理 二硫化钼 稀土掺杂 电子结构  相似文献
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