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1.
多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
以SiCl4H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素,随功率、H2/SiCl4流量比的减小和反应室气压的增加,晶粒增大.而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数,通过工艺参数的改变,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化,指出“气相结晶”过程是晶粒长大的一个重要因素.  相似文献
2.
高工作比热阴极微波电子枪调试出束   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
 报导了一种采用新型结构热阴极4+1/2腔微波电子枪的设计思想、束流动力学计算和调试结果。在微波功率3.2MW时,获得宏脉冲电流1A,电子束脉宽5μs,重复频率200Hz,平均束流功率1~ 2kW,束流稳定,工作比高达10-3。  相似文献
3.
主动锁模掺铒光纤环形激光器有理数谐波调制技术   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
成功地利用有理数谐波锁模技术在主动谐波锁模掺铒光纤环形激光器中获取数倍于调制频率fm的高重复率脉冲序列,所得最高锁模脉冲重复频率fp=4fm≈6GHz.根据实验结果,本文指出有理数谐波锁模输出高阶光脉冲的物理机制、导致高阶输出脉冲脉宽展宽和幅度不稳定的原因以及消除幅度不稳定的具体办法.  相似文献
4.
超紫外波段的X射线底片相对标定   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍X射线底片在超紫外波段(19.0~22.0nm)的相对标定方法。在LF-11激光装置上,用激光产生等离子体作为标定源,同时控制显影条件和底片类型与测X光激光时相同,标定出美国Kodak公司生产的SWR型底片特性曲线。解决了底片响应对所测X光激光增益系数的影响。结果表明,在超紫外波段,波长对特性曲线影响可不考虑。  相似文献
5.
488nm连续激光晶化本征非晶硅薄膜的喇曼光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用等离子增强化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜,并选用488 nm波长的连续激光进行晶化.采用喇曼测试技术对本征非晶硅薄膜在不同激光功率密度和扫描时间下的晶化状态进行了表征,并用514 nm波长与488 nm波长对样品的晶化效果进行了比较.测试结果显示:激光照射时间60 s,激光功率密度在1.57×105 W/cm2时,能实现非晶硅向多晶硅的转变,在功率密度达到2.7 56×105 W/cm2时,有非晶开始向单晶转变,随着激光功率密度的继续增加,晶化结果仍为单晶;在功率密度为2.362×105 W/cm2下,60 s照射时间晶化效果较好;在功率密度为2.756×105 W/cm2和照射时间为60 s的条件下,用488 nm波长比514 nm波长的激光晶化本征非晶硅薄膜效果较好,并均为单晶态.  相似文献
6.
内壳层光电离机制是产生粒子数反转的途径之一,如何在中等功率的激光器上产生接近“水窗”波段的X光激光输出是人们关注的一个焦点。本文介绍在双靶耦合条件下利用内壳层光电离原理产生粒子数反转的实验研究,包括:实验原理、靶型选择、泵浦靶X光源强度测量及工作靶线谱诊断等,最后对实验结果进行了讨论,认为在国内目前条件和我们已采取的措施下,双靶耦合光电离机制只能产生微弱的粒子数反转。  相似文献
7.
本文主要研究了Y211相粒子在顶部籽晶熔融织构YBCO块材中的分布及其对材料超导特性的影响.研究发现,在籽晶正下方,YBCO超导块材中的Y211粒子分布呈不均匀性.样品在近籽晶处Y211粒子非常少,从样品顶部到样品底部Y211相粒子的容积率呈增大趋势.由于Y123粒子和Y211粒子热膨胀系数存在差异,这种不均匀性导致了块材内部产生微裂纹,从而降低了磁悬浮力.  相似文献
8.
本文报道了用熔融法由常规的单模通信光纤制造宽温工作的低损耗单模光纤定向耦合器.工作波长为1.52μm,分束比为50%的封装器件;工作温度在-30~+70℃范围,分束比容差小于±5%,插入损耗<0.2dB,隔离度>40dB.工作波长的变化对分束比影响十分明显,但入射光的偏振态对其无实际影响.  相似文献
9.
以 1,2 -二溴丙烷 (DBP)为重原子微扰剂 ,建立了痕量西维因 (CBL)的 β-环糊精 (β- CD)诱导室温磷光(RTP)分析法。CBL、β- CD和 DBP形成三元包络物和 DBP的微扰作用 ,CBL有强而稳定的 RTP信号。研究了温度、p H值以及形成包络物的 3种组分物质的浓度的变化对体系 RTP的影响。在优化实验条件下 ,RTP强度与 CBL的浓度在 4 .0— 2 0 .0 μg· dm-3范围内呈良好线性关系 ,检出限 1.2 μg· dm-3 ,相对标准偏差为 1.6 1% (n=7)。方法用于合成样品中的 CBL测定时 ,结果满意。  相似文献
10.
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