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1.
本文设计了一种梯形的周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)波导,并通过在传播方向上引入温度梯度来拓宽其倍频(SHG)过程的泵浦光源可接收带宽。通过有限差分的光束传输法,计算波导的有效折射率,并进行波导尺寸的设计。结果表明,通过改变梯形波导不同位置的温度,使其形成一个温度梯度,可拓宽泵浦光源的波长可接收带宽。本文所设计的PPMgLN波导最大泵浦光源可接收带宽为C波段,即1 530~1 565 nm,该波导可倍频C波段,得到输出波段带宽为765~782.5 nm,温度调谐范围为30~150 ℃。 相似文献
2.
以过渡金属为催化衬底的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)已经可以制备与机械剥离样品相媲美的石墨烯,是实现石墨烯工业应用的关键技术之一。原子尺度理论研究能够帮助我们深刻理解石墨烯生长机理,为实验现象提供合理的解释,并有可能成为将来实验设计的理论指导。本文从理论计算的角度,总结了各种金属衬底在石墨烯CVD生长过程中的各种作用与相应的机理,包括在催化碳源裂解、降低石墨烯成核密度等,催化加快石墨烯快速生长,修复石墨烯生长过程中产生的缺陷,控制外延生长石墨烯的晶格取向,以及在降温过程中石墨烯褶皱与金属表面台阶束的形成过程等。在本文最后,我们对当前石墨烯生长领域中亟需解决的理论问题进行了深入探讨与展望。 相似文献
3.
The Random Batch Method proposed in our previous work(Jin et al.J Comput Phys,2020)is not only a numerical method for interacting particle systems and its mean-field limit,but also can be viewed as a model of the particle system in which particles interact,at discrete time,with randomly selected mini-batch of particles.In this paper,we investigate the mean-field limit of this model as the number of particles N→∞.Unlike the classical mean field limit for interacting particle systems where the law of large numbers plays the role and the chaos is propagated to later times,the mean field limit now does not rely on the law of large numbers and the chaos is imposed at every discrete time.Despite this,we will not only justify this mean-field limit(discrete in time)but will also show that the limit,as the discrete time intervalτ→0,approaches to the solution of a nonlinear Fokker-Planck equation arising as the mean-field limit of the original interacting particle system in the Wasserstein distance. 相似文献
4.
Xu Yifan Zhang Hehe Ding Tangjing Tian Ruiqi Sun Dongmei Wang Ming-Sheng Zhou Xiaosi 《中国科学:化学(英文版)》2022,65(9):1807-1816
Science China Chemistry - Due to their enormous potential for large-scale energy storage, rechargeable potassium-ion batteries have been widely researched and developed. However, the drastic volume... 相似文献
5.
First-principles study of the co-effect of carbon doping and oxygen vacancies in ZnO photocatalyst 下载免费PDF全文
Although tuning band structure of optoelectronic semiconductor-based materials by means of doping single defect is an important approach for potential photocatalysis application,C-doping or oxygen vacancy(Vo)as a single defect in ZnO still has limitations for photocatalytic activity.Meanwhile,the influence of co-existence of various defects in ZnO still lacks sufficient studies.Therefore,we investigate the photocatalytic properties of ZnOx C0.0625(x=0.9375,0.875,0.8125),confirming that the co-effect of various defects has a greater enhancement for photocatalytic activity driven by visible-light than the single defect in ZnO.To clarify the underlying mechanism of co-existence of various defects in ZnO,we perform systematically the electronic properties calculations using density functional theory.It is found that the coeffect of C-doping and Vo in ZnO can achieve a more controllable band gap than doping solely in ZnO.Moreover,the impact of the effective masses of ZnOxC0.0625(x=0.9375,0.875,0.8125)is also taken into account.In comparison with heavy Vo concentrations,the light Vo concentration(x=0.875)as the optimal component together with C-doping in ZnO,can significantly improve the visible-light absorption and benefit photocatalytic activity. 相似文献
6.
Potential Analysis - The purpose of this paper is to provide necessary and sufficient conditions of the boundedness for singular integrals on the local Hardy space and its dual. Particularly the... 相似文献
7.
A complete manifold is said to be nonparabolic if it does admit a positive Green’s function. To ?nd a sharp geometric criterion for the parabolicity/nonparbolicity is an attractive question inside the function theory on Riemannian manifolds. This paper devotes to proving a criterion for nonparabolicity of a complete manifold weakened by the Ricci curvature. For this purpose, we shall apply the new Laplacian comparison theorem established by the ?rst author to show the existence of a non-constant bounded subharmonic function. 相似文献
9.
在石墨烯的化学气相沉积工艺中,铜箔是决定石墨烯薄膜质量的重要因素。传统铜箔由于制备工艺的限制,存在大量的缺陷,导致石墨烯薄膜的成核密度较高。本工作选用抛光铝板、抛光不锈钢板、微晶玻璃和SiO2/Si作为基材,用热蒸镀法制备了不同粗糙度的铜箔,并详细讨论了以该系列铜箔生长高平整度石墨烯薄膜的条件及铜箔对石墨烯薄膜品质的影响。实验结果表明,铜箔以(111)取向为主,与基材分离后,表面具有纳米级平整度。在生长石墨烯后,从SiO2/Si剥离的铜箔成核密度是4种基材中最小的。同时,从SiO2/Si剥离的铜箔晶体结构变化最不明显,具有良好的结晶性,表面几乎不存在铜晶界缺陷。当压强为3 000 Pa,氢气和甲烷流速分别为300 mL/min和0.5 mL/min时,可以获得约1 mm横向尺寸的石墨烯单晶晶畴。 相似文献
10.
Ding Q. Yao M. Wu Sh. Zeng M. Xue N. Wu D. Xu J. 《Journal of Applied Spectroscopy》2022,89(4):712-718
Journal of Applied Spectroscopy - Based on partial least squares (PLS) analysis, the effects of different smoothing points and different preprocessing methods on the accuracy and precision of the... 相似文献