首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  国内免费   1篇
  完全免费   2篇
  物理学   4篇
  2016年   1篇
  2013年   1篇
  2008年   1篇
  2006年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
c-C_3H_2,HCCH和H_2CCC的电离能用CCSD(T)/CBS方法进行了计算。在计算中还包含了零点振动能校正和芯电子和价电子相关校正,标量相对论效应和高于CCSD(T)理论水平的校正。CCSD(T)/CBS方法计算的c-C_3H_2和HCCH电离能的数值分别为(9.15±0.03)和(8.96±0.04)eV,且与实验值(9.15±0.03)和(8.96±0.04)eV很好一致。CCSD(T)计算的H_2CCC→H_2CCC~ (~2A_1,C_(2v))和H_2CCC→H_2CCC (~2A′,C_s)电离跃迁的电离能分别为10.477和10.388 eV。在考虑Frank-Condon因子基础上,以前单光子电离实验所测定的(10.43±0.02)eV电离能最可能对应于H_2CCC→H_2CCC (~2A_1,C_(2v))跃迁的电离阈值。虽然对c-C_3H_2,HCCH和H_2CCC实验电离能测量的精确性难以达到理论计算精度的±30 meV范围内,所得到的理论电离能值与实验值非常一致,表明CCSD(T)/CBS计算结合高级相关校正对简单的碳氢卡宾和双自由基能得到可靠的电离能预示值。还给出了c-C_3H_2/c-C_3H_2~ ,HCCH/HCCH 和H_2CCC/H_2CCC 在0和298 K的生成热△H_(f0)~o和△H_(f298)~o。发现考虑实验精度不确定性后,它们的实验值与CCSD(T)/CBS预示值非常一致。  相似文献
2.
对气态氮化钒(VN)分子在光子总能量为56900~59020 cm-13∏0, v'=0)的单转动态, 然后再被紫外激光电离.这样的双色激光模式可以测量电子态、振动态和转动态都被选择和解析的氮化钒阳离子VN+(X2△; v+=0, 1, 2)光谱. 通过对转动解析的PFI-PE光谱模拟分析, 确定J+=3/2为基态离子态的最低转动能级, 从而确认VN+的基态电子态为23/2.通过对VN+(PFI-PE)光谱的分析得到如下物理量的精确数值:VN+(X23/2)的绝热电离能为IE(VN)=56909.5±0.8 cm-1(7.05588±0.00010 eV),振动常数ωe+=1068.0±0.8 cm-1,反常振动常数ωe+χe+=5.8±0.8 cm-1;VN+(X23/2)的转动常数Be+=0.6563±0.0005 cm-1,αe+=0.0069±0.0004 cm-1,平衡键长为1.529 ?;VN+(X25/2)的转动常数Be+=0.6578±0.0028 cm-1,αe+=0.0085±0.0028 cm-1,平衡键长为1.527 ?;X25/2,3/2自旋轨道耦合常数A=153.3±0.8 cm-1  相似文献
3.
通过采用真空紫外(VUV)激光速度-地图成像-TPE(真空紫外VMI-TPE)方法获得了高分辨率初始光电子(TPE)氯苯(C6H5Cl(X1A1))的光谱,炔丙基自由基(C3H3(X2B1))和烯丙基(C3H5(X2A1)). 观察到的真空紫外VMI-TPE方法的光电子能量分辨率在1~2 cm-1,可以和在真空紫外激光脉冲场电离光电子(VUV-PFI-PE)的测量媲美. 类似真空紫外PFI-PE测量,真空紫外VMI-光电子(真空紫外VMI-PE)和真空紫外VMI-TPE测量能量分辨率依赖于直流电场在光电离区加速电子. C6H5Cl和C3H3的电离初始值的降低为F的函数表示Stark偏移校正为VUV-VMI-TPE测量由-3.1√F管辖,这是半经典预测值-6.1√F的一半. 我们还测量C6H5Cl和C3H5的真空紫外光能量的真空紫外VMI-PE谱接近其电离初始值. 在VUV-VMI-PE测量中观察到的C3H5+阳离子振动谱和振动级数,nv7+(n=0~3). 真空紫外VMI-TPE可以实现更高的实验灵敏度和类似真空紫外PFI-PE测量的能量分辨率,使真空紫外VMI-TPE法成为高分辨率真空紫外PFI-PE测量一个很好的替代.  相似文献
4.
In this work, Si ions are implanted into the gate oxide of MOSFETs with different implantation schemes, followed by a high-temperature annealing. The memory characteristics of the MOSFETs have been investigated for the following two excess Si distributions: (1) the excess Si is distributed in a narrow layer in the gate oxide near the Si substrate; and (2) the excess Si is distributed throughout the gate oxide. It is observed that both the excess Si distributions have good endurance of up to 106 program/erase cycles. The second excess Si distribution exhibits a better retention characteristic with less than 50% charge loss after 10 years. In contrast, the first excess Si distribution shows a complete charge loss after 1 year. PACS 73.22.-f; 73.63.Bd; 81.07.Bc  相似文献
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号