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1.
Tm:YVO4晶体的光谱参数计算   总被引:9,自引:0,他引:9  
由测量的Tm :YVO4晶体的吸收光谱 ,考虑到单轴晶体在各个方向上的吸收不同和折射率随波长的变化 ,根据Judd Ofelt理论计算了Tm3 +在YVO4中的强度参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =1 9416× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω4=0 15 6 8× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω6=0 396 3× 10 - 2 0 (cm2 )。计算结果表明 ,1 D2 → 3 F4的跃迁几率远大于1 D2 向其他各个能级的跃迁几率  相似文献
2.
为了确定Si(111)-√7×√3-In表面的结构以及理解其电子性质,构建了六角型和矩形型的六种模型,并进行了第一性原理计算.通过模拟这些模型的扫描隧道显微镜图像,计算了功函数,并和实验结果进行了比较.发现hex-H3'模型和rect-T1模型分别为实验中的六角型和矩形型结构.同时还讨论了In覆盖度在1.0单层附近时In/Si(111)表面结构的演化机制.认为4×1相和√7×√3相具有两种不同的演化机制,和实验结果一致  相似文献
3.
基于DFT+U方法,对镧掺杂锐钛矿TiO2及其氧空缺的稳定性以及对电子结构、光催化性质的性质进行了第一性原理研究.计算结果表明掺杂浓度和位置对结构稳定性的影响机制符合鲍林规则;结合晶体场理论和结构形变以及态密度的分析发现镧掺杂对带隙的调制不是通过掺杂带的引入,而是由结构形变决定.吸收光谱的模拟结果显示通过镧掺杂会提高可见光的吸收效率,和实验结果吻合.对氧空缺的后续研究表明氧空缺的存在会增强镧掺杂锐钛矿TiO2的稳定性,提高其光催化活性.  相似文献
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