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1.
硅基发光材料研究进展   总被引:6,自引:1,他引:5  
鲍希茂 《物理》1997,26(4):198-203
微电子技术是高技术中的关键技术,硅是微电子技术的基础材料,但是硅是一种非发光材料,为了发展光电集成技术,必须大力发展硅基发光材料,多孔硅是一种有希望的硅基发光材料,它表明纳米晶粒中的量子限制效应对光发射是极有效的,随之涌现出一系列量子限制硅基发光材料,为发展光电子集成提供了新的途径。  相似文献
2.
铝的多孔阳极氧化自组织过程结晶度依赖特性   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
电子束蒸发在硅衬底上的多晶铝膜多孔型阳极氧化得到的多孔列阵排布与体材料单晶铝氧化前序度存在很大差异,导致这种差异的原因,除了氧化时间,应用电压、电解液等电化学参数外,新引入的结晶度将作为一重要因数影响自组织过程,结晶度的影响主要反映在晶粒间界区域相比于晶粒内部存在的铝原子浓度和阳极氧化反应速度涨落,这种涨落将干扰孔底电场的分布,对自组织过程产生微扰,由于微扰具有实时和随机性质,将使铝膜阳极氧化不再  相似文献
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