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1.
用慢正电子束辅助以拉曼光谱方法对一批较高质量的PECVD金刚石膜的微结构进行测量研究.拉曼光谱实验结果显示,这批金刚石膜中金刚石相含量比较高,正电子湮没实验进一步从微观结构上指出各个金刚石膜之间存在很大差异,并且从缺陷角度发现各样品中缺陷尺寸和缺陷浓度不一样,造成膜质量不同.S-E曲线变化趋势反映出各样品金刚石晶体结构存在明显不同.这表明正电子湮没技术是测量金刚石膜微结构的有力手段.  相似文献
2.
用单能慢正电子束和 X 射线衍射方法研究了 Al/n-GaSb 金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既 Al/界面/GaSb 对 S-E 实验数据进行拟合.结果发现在未退火样品的 Al 和 GaSb 之间存在一个厚度大约5nm 的界面层.在经过400℃退火后,该界面厚度增加到约400nm,且 S 参数下降.这可能是由于在退火过程中,界面区域的原子在界面处相互扩散所引起的.Al 膜的 S_(Al)参数降低且效扩散长度 L_(Al)增加,说明 Al 膜内的空位缺陷经过退火被消除且进行结构重整,晶格结构不断变好的结果.衬底 GaSb 的 S_B 参数和有效扩散长度 L_B 的演变表明,经过250℃退火后,原有的正电子捕获中心消失:但是经进一步400℃退火,又产生了新的正电子捕获中心.这可能来源于其他类型的与 V_(Ga)相关缺陷的正电子捕获以及 Ga_(Sb)晶格反位引起的正电子浅捕获.X 射线衔射的测量结果证实了正电子方法的结论.  相似文献
3.
测量了20种金属元素的符合多普勒展宽谱,并与理论计算的结果比较.CDB谱的高动量部分反映了正电子与核心电子的湮灭,由于核心电子在原子组成材料时仍然保留了元素特性,CDB谱的高动量部分可以用来鉴别元素.  相似文献
4.
The photoluminescence spectra of initial ZnO powder and that modified by Al2O3, Al2O3 · CeO2 nanopowders are investigated in the range 360–660 nm before and after 100-keV proton irradiation. It is found that the introduction of nanoparticles causes a decrease in the UV-band intensity and a change in the luminescence bands in the visual spectrum due to V O + oxygen vacancies, O int - interstitial oxygen, and V Zn - zinc vacancies. Luminescence quenching in the UV and visible spectra occurs under the effect of protons. The decomposition of the spectra into elementary defects and analysis of changes in their integrated intensity during modification and irradiation of the powders are carried out.  相似文献
5.
The modifying effect of Al2O3, Al2O3 · CeO2, ZrO2, ZrO2 · Y2O3 nanopowders on the photoluminescence spectra of ZnO powder in the 360–660 nm range is investigated. It is found that the introduction of nanoparticles causes a decrease in the ultraviolet band intensity and an increase in the visual spectral band intensity. The change in the intensity of elementary components of the visible range band during modification seems to be explained by the emergence of oxygen and zinc vacancies (V O+ and V Zn) and interstitial oxygen ions (O i ).  相似文献
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