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1.
龚亮 《人工晶体学报》2019,48(1):160-166
利用2-[(2-羟基-3-甲氧基)苄亚甲基氨基]苯甲酸(H2L)作为配体,以Dy(NO3)3·6H2O和Ni(CH3COO)2·4H2O为金属盐,通过水热法,合成了一种新的异金属五核簇[Dy2Ni3(C15H11NO4)2(NO3)4(Ac)2(OH)2(CH3CN)4(CH3OH)2]配合物1.单晶X射线衍射结果表明,配合物1属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=1.0978(6)nm,b=1.2057(7)nm,c=1.2144(7)nm,α=103.571(7)°,β=90.062(7)°,γ=103.439(8)°,V=1.5171(14)nm3,Z=1.通过元素分析等方法对配合物1进行结构表征,并对其进行磁性测试.直流磁化率(DC)研究结果表明,配合物1具有微弱的铁磁性质,而交流磁化率(AC)并没有出现依赖于外场频率变化极值的现象表明该配合物在零场下不具有较为明显的单分子磁行为.  相似文献   
2.
碳纳米管(CNT)对于气体有超强的敏感性,可用于制备基于CNT的有害气体传感器.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究Au掺杂CNT对NO和O_2的吸附特性.对吸附能、最终吸附距离、电荷转移量、态密度等的分析显示,Au掺杂使得CNT与NO间的交互作用明显增强,其中N原子端靠近CNT交互作用更强.禁带宽度和电荷密度分析表明,相比于NO分子中O原子端或者O2吸附,NO分子中N原子端与CNT发生交互作用会使体系导电性变化更为明显.说明Au掺杂能够很好地屏蔽空气中O_2对CNT导电性的影响,Au掺杂CNT作为NO气敏材料是可行的.  相似文献   
3.
InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77~300 K温度范围内的发光特性.随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动.在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂.通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-x...  相似文献   
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