Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices

The 1-Mb and 4-Mb commercial toggle magnetoresistive random-access memories(MRAMs) with 0.13 μm and 0.18-μm complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) process respectively and different magnetic tunneling junctions(MTJs) are irradiated with a Cobalt-60 gamma source. The electrical functions of devices during the irradiation and the room temperature annealing behavior are measured. Electrical failures are observed until the dose accumulates to 120-krad(Si) in 4-Mb MRAM while the 1-Mb MRAM keeps normal. Thus, the 0.13-μm process circuit exhibits better radiation tolerance than the 0.18-μm process circuit. However, a small quantity of read bit-errors randomly occurs only in 1-Mb MRAM during the irradiation while their electrical function is normal. It indicates that the store states of MTJ may be influenced by gamma radiation, although the electrical transport and magnetic properties are inherently immune to the radiation. We propose that the magnetic Compton scattering in the interaction of gamma ray with magnetic free layer may be the origin of the read bit-errors. Our results are useful for MRAM toward space application.     

金属衬底上石墨烯的控制生长和微观形貌的STM表征

目前化学气相沉积(CVD)方法在不同的金属基底上大规模生长获得石墨烯得到了广泛的应用; 同时扫描隧道显微镜(STM)做为一种强大的精细直观的研究手段可以用于表征金属衬底上石墨烯的微观形貌, 指导石墨烯的控制生长. 本文侧重于Cu箔、Pt 箔和Ni 衬底上石墨烯的控制生长、表面微观形貌、表面缺陷态、堆垛形式的阐述, 得到结论: (1) 两种溶碳量较低的金属(Cu, Pt)上, 石墨烯的生长都符合表面催化的生长机制, 同时层间的范德华相互作用也可以诱导双层石墨烯的生长; (2) 衬底粗糙度的增加可以使石墨烯的电子态去简并化, 从而破坏石墨烯面内π键共轭结构, 导致部分碳原子转变为sp³杂化; (3) 原生的褶皱是由于界面热膨胀系数失配所导致; (4) Pt 箔表面石墨烯的平整度要远优于Cu箔表面的石墨烯, 且不同晶面共存的基底对于石墨烯的连续性并没有产生显著的影响.     

Bi26-x-yMxNyO40(M,N=Fe,Co, Gd)软铋矿薄膜的制备和强磁光效应

磁光材料是现代光通信产业中不可或缺的关键功能材料。为了实现光通信器件的小型化,高质量磁光薄膜材料受到关注。软铋矿型Bi₂₅FeO₄₀具有高对称性的立方晶体结构,单位体积所含铋离子浓度高,理论上应具有较强的磁光效应,但却因为磁性偏弱、制备困难等缺点而限制了其应用。本文采用射频磁控溅射法,在掺钇二氧化锆(YSZ)基底上沉积获得具有立方相软铋矿型结构的Bi_26-x-yM_xN_yO₄₀ (M, N=Fe, Co, Gd)磁光薄膜,并对其形貌、磁性、透过率、磁圆二色信号等进行表征。结果表明,薄膜均较为平整,厚度约为190 nm,在近红外区的透过率约为60%~70%。薄膜的磁性随着掺杂离子含量的提高逐渐增强。Bi_13.6Gd_2.7Co_4.0Fe_5.7O₄₀/YSZ薄膜具有强磁光效应,在716 nm处的磁圆二色光谱信号高达到1 710 deg/cm,有望应用于集成光隔离器等光通信器件中。     

超临界CO_2在岩石孔隙内流动状态的分子模拟

本文采用分子模拟的方法研究了地质封存条件下超临界CO_2在镁橄榄石孔隙内的流动,分析了孔隙尺寸、温度、压强对超临界CO_2的密度分布和流动速度的影响.研究结果表明,只有当孔隙尺寸大于5.0 nm时,超临界CO_2分子在岩石孔隙内的流动才符合Poiseuille流动;同时,超临界CO_2分子在岩石近壁面存在1.5 nm的密度震荡,当孔隙尺寸小于15 nm时,密度振荡现象会影响CO_2分子在岩石孔隙内的平均密度;升高温度、降低压强的方法可以减小密度震荡的第一峰值,减弱岩石壁面与CO_2的相互作用,使得CO_2的流动速度增加.     

亲和毛细管电泳的研究与应用

近年来,由于毛细管电泳技术理论的不断完善,亲和毛细管电泳技术得到迅速发展,并在生命科学、生物技术、临床医学、药物学等领域具有广泛的应用.对亲和毛细管电泳的原理、优点及分类做了简要介绍,并且着重介绍了近几年ACE技术在蛋白质分析、核苷酸分析、药物分析、手性分离及小分子、离子分析等方面的研究进展,及其在亲和常数测定、蛋白质结构分析、核苷酸的检测中的应用.