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本文研究了不同衬底温度对Ga液滴在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面形成纳米结构的影响,当300℃≤T≤380℃时,Ga液滴演化成纳米孔(Nanohole)和盘状结构(diffusion halo),纳米结构的尺寸随温度升高而增大.当T≥385℃时,盘状结构消失,形成一定平坦的Al_xGa_(1-x)As薄膜,Ga液滴在界面处继续向下刻蚀直至耗尽,形成平均直径为75 nm,平均孔深为5.52 nm的纳米孔.本文还通过盘状结构测出平均扩散长度△R,并拟合出Ga原子在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面的激活能E_A=0.78(±0.01) eV和扩散前因子D_0=0.15(×4.1~(±1))10~(-2 ) cm~2s~(-1). 相似文献
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本文报道了一种利用简单的两步牺牲模板法,在泡沫铜基底表面完成了三维氧化铜纳米晶阵列的生长. 氧化铜纳米晶阵列具有良好的导电性,稳定性,在碱性溶液中有着优秀的电解水产氧催化性能. 氧化铜纳米晶阵列催化水的电化学氧化只需400 mV的过电势即可达到100 mA/cm2的电流密度,与其它铜基电解水产氧催化剂以及贵金属IrO2相比都有着明显的优势. 氧化铜纳米晶阵列在270 mA/cm2左右的工作电流下连续工作10 h依然可以保持良好的稳定性,是相同的工作电压下IrO2工作电流的10倍(约25 mA/cm2). 相似文献
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本文研究了Ga液滴在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面的扩散行为.在衬底温度为380℃时,在Al_(0.4)Ga_(0.6)As薄膜上沉积3 MLGa液滴;在零砷压下,通过改变退火时间(0 s, 150 s, 300 s, 450 s, 600 s)观察液滴形貌变化,利用剖面线、坑洞和液滴的比例变化分析发现液滴高度随时间延长越来越低,直至形成坑洞,Ga液滴内部的原子在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面上首先向外扩散,而后与表面As原子结合成环,约在退火时间到500 s时扩散模式逐步变化为向下溶蚀.利用公式计算出最初Ga覆盖率约为2.6 ML,并且在380℃下Ga液滴在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面的液滴消耗速率为0.0065 ML/s. 相似文献
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利用液滴外延技术在Al0.4Ga0.6As表面制备了纳米结构并用原子力显微镜进行表征,发现纳米结构的密度随金属Ga沉积量的增加呈先增加后减小再增加的趋势.这种密度异常变化的现象,主要是由于液滴之间相互扩散并最终形成连续的平坦层,随着沉积量的继续增加,新吸附的Ga原子在平坦层上面形成新的Ga液滴,从而导致了密度的降低.此外,纳米结构的孔深、孔径、环高和盘径几何特征尺寸随着沉积量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]两个方向上纳米结构中的量子环以及盘状结构的形貌特征呈现各向异性. 相似文献
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采用循环伏安法和方波伏安法考察了酸性大红3R在碳糊电极上的伏安行为和反应机理。当扫描速率为0.1 V/s时,在pH 1的0.05 mol/L H2SO4支持电解液中,酸性大红3R有一对峰电位分别是0.74 V和0.72 V(vs.饱和甘汞电极)的氧化峰和还原峰,并且显示吸附控制的2电子单质子的准可逆氧化还原过程。在最佳实验条件下,酸性大红3R的方波氧化峰峰电流与其浓度在2.12×10^-5-3.39×10^-4mol/L范围内呈线性关系,检出限为8.35×10^-6mol/L,由此建立测定酸性大红3R含量的方波伏安法。该方法可用于计算酸性大红3R常规染羊毛与蚕丝的上染率,测定结果与分光光度法一致。 相似文献
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以电聚合方式,在石墨烯修饰的铅笔芯电极表面制备出2,4-二甲基苯胺的分子印迹聚合物,以零流电位变化的最大差值为指标获得最佳电聚合参数。磷酸缓冲溶液的pH为6.47,功能单体与模板分子的配比为1∶8,电位范围为–0.8~0.8 V,聚合圈数为26,洗脱时间为5 min。与2,4-二甲基苯胺结构相近的物质如4-氯苯胺、4-氨基联苯、联苯胺、邻甲苯胺等均不干扰测定。2,4-二甲基苯胺质量浓度的对数在0.121 2~605.908μg/L范围内与零流电位线性关系良好,相关系数为0.991,检出限为0.040 6μg/L。测定结果的相对标准偏差为0.84%(n=5),平均回收率为95.59%~101.70%。该电极制备简单,灵敏度高,选择性和稳定性好,适用于实际废水中2,4-二甲基苯胺的检测。 相似文献
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采用液滴外延法在GaAs (001)衬底上制备同心量子双环(concentric quantum double rings, CQDRs),利用原子力显微镜表征其表面形貌,并研究Ga液滴沉积速率对CQDRs的影响.研究结果发现,随着Ga液滴沉积速率的增加, CQDRs的密度增加,内外环半径均降低.根据成核理论中最大团簇密度和Ga液滴沉积速率之间的关系拟合出临界成核原子数目为5,表明在Ga液滴形成阶段时稳定的Ga原子晶核至少包含5个Ga原子;根据成核理论和拟合结果绘制成核过程状态转化图以深入理解Ga液滴形成过程.相关研究结果对液滴外延法制备密度可控的GaAs同心量子双环具有一定的指导意义. 相似文献
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通过液滴外延法制备了GaAs/GaAs(001)同心量子双环(Concentric Quantum Double Rings, CQDRs),研究了Ga液滴沉积量对CQDRs的影响.研究结果发现:随着Ga液滴沉积量的增加,CQDRs密度降低,内环高度增高,外环高度降低,中心孔洞深度增加. CQDRs内环拟合结果表明,Ga液滴沉积量少于0.92ML(Monolayer, ML)时无法成环;外环拟合结果显示,在本实验条件下,形成外环的最小Ga液滴沉积量为3.1ML.拟合结果与实验结果一致,相关研究结果对液滴外延法制备GaAs同心量子双环具有指导意义. 相似文献