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1.
Xian-Dong Li 《中国物理 B》2022,31(11):110304-110304
The Janus monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) $MXY$ ($M={\rm Mo}$, W, $etc$. and $X, Y={\rm S}$, Se, $etc$.) have been successfully synthesized in recent years. The Rashba spin splitting in these compounds arises due to the breaking of out-of-plane mirror symmetry. Here we study the pairing symmetry of superconducting Janus monolayer TMDs within the weak-coupling framework near critical temperature $T_{\rm c}$, of which the Fermi surface (FS) sheets centered around both $ărGamma$ and $K (K')$ points. We find that the strong Rashba splitting produces two kinds of topological superconducting states which differ from that in its parent compounds. More specifically, at relatively high chemical potentials, we obtain a time-reversal invariant $s + f + p$-wave mixed superconducting state, which is fully gapped and topologically nontrivial, $i.e.$, a $\mathbb{Z}_2$ topological state. On the other hand, a time-reversal symmetry breaking $d + p + f$-wave superconducting state appears at lower chemical potentials. This state possess a large Chern number $|C|=6$ at appropriate pairing strength, demonstrating its nontrivial band topology. Our results suggest the Janus monolayer TMDs to be a promising candidate for the intrinsic helical and chiral topological superconductors.  相似文献   
2.
开展了考虑底部发动机喷流影响的火箭气动特性CFD仿真设计,比较了有/无喷流时火箭附近流场结构、表面压力分布、整体气动力/力矩特性在亚/超声速段的差异,结果显示,发动机喷流对火箭亚声速段的轴向力、法向力和俯仰力矩特性均有较为显著的影响,且有减小尾部空气舵气动控制力矩的影响,而超声速段的影响仅限于轴向力。该仿真结果与飞行试验气动辨识结果较为一致。基于仿真分析结果,可建立一种折中考虑喷流影响的气动特性设计方法,供火箭精细化气动特性设计参考使用。   相似文献   
3.
利用飞秒脉冲激光对氮化镓(GaN)功率器件进行单粒子烧毁效应定量评估技术研究,针对器件结构建立脉冲激光有效能量传输模型,理论计算了激光有效能量与重离子线性能量传输(LET)的等效关系并开展了试验验证.考虑器件材料反射率与吸收系数对激光的影响,针对介质层界面间的激光多次反射进行参数修正,减小有源区有效能量计算误差.选择一款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与一款肖特基势垒二极管(SBD)功率器件作为典型案例,分别开展飞秒脉冲激光正面与背部辐照试验,计算诱发单粒子烧毁的有效能量,并得到不同入射激光波长的烧毁等效LET阈值,对比了模型理论计算值与实际测量值.同时,研究结果对材料参数未知的GaN功率器件,提供了正面与背部辐照模型的激光试验波长选择参考.该工作将为激光定量评估空间用GaN等宽禁带半导体器件的单粒子烧毁效应机理研究及加固设计与验证提供技术支撑.  相似文献   
4.
We propose a lumped element Josephson parametric amplifier with vacuum-gap-based capacitor.The capacitor is made of quasi-floating aluminum pad and on-chip ground.We take a fabrication process compatible with air-bridge technology,which makes our design adaptable for future on-chip integrated quantum computing system.Further engineering the input impedance,we obtain a gain above 20 dB over 162-MHz bandwidth,along with a quasi quantum-limit noise performance.This work should facilitate the development of quantum information processing and integrated superconducting circuit design.  相似文献   
5.
采用磁控溅射方法在MgO(001)单晶衬底上制备了交换偏置分别沿着FeGa [100]和[110]方向的FeGa/IrMn外延交换偏置双层膜,研究了交换偏置取向对磁化翻转过程与磁化翻转场的影响.铁磁共振场的角度依赖关系的测量与拟合,表明样品存在不同取向的四重对称磁晶各向异性、单向交换磁各向异性和单轴磁各向异性的叠加.矢量磁光克尔效应测量表明交换偏置沿着[100]方向的样品在不同磁场方向下表现矩形、非对称和单边两步磁滞回线;交换偏置沿着[110]方向的样品在不同磁场方向下表现单边两步和双边两步磁滞回线.考虑不同交换偏置方向的畴壁形核和位移模型,能够很好地解释磁化翻转路径随磁场方向的变化规律和拟合磁化翻转场的角度依赖关系,表明交换偏置方向的改变使得畴壁形核能发生显著变化.  相似文献   
6.
7.
采用SST k-w湍流模型对超临界CO2/丙烷混合工质水平管内的传热特性进行数值模拟研究。管径d=4 mm,加热段L2=800 mm;混合工质浓度配比为100/0、95/5、90/10、85/15、80/20、75/25;质量流速为150~250 kg·m?2·s?1;热流密度为30~40 kW·m?2,入口温度293 K,入口压力7.5~30 MPa。随着丙烷浓度的增加,CO2/丙烷二元混合工质的临界压力降低,临界温度升高,丙烷浓度从5%增加到25%,换热系数峰值降低6.19%~31.45%,但增加丙烷浓度可提高拟临界温度后的换热效果。P=7.5~8.5 MPa,换热系数有明显峰值;P=20~30 MPa,换热系数变化规律无明显峰值,并随压力的升高而减小。混合工质的换热系数随质量流速的增大而增大。同一流体温度所对应的换热系数,随着热流密度的增加而减小。  相似文献   
8.
利用可调谐真空紫外同步辐射和分子束实验装置在8.0~15.5 eV的光子能量范围内,研究2-甲基-2-内烯-1-醇的光电离解离.测出母体离子和碎片离子:C_4H_8O~+、C_4H_7O~+、C_3H_5O~+、C_4H_7~+、C_4H_6~+、C_4H_5~+、C_2H_4O~+、C_2H_3O~+、C_3H_6~+、C_3H_5~+、C_3H_3~+、CH_3O~+和CHO~+的光电离效率曲线,并获得母体分子的电离能和碎片离子的实验出现势.在B3LYP/6-31+G(d,p)理论水平上,计算光电离过程中母体分子、过渡态和中间体的稳定结构.采用CCSD(T)/cc-pVTZ耦合簇方法计算零点能,得到母体电离能和碎片离子的出现势.通过实验和理论研究,提出2-甲基-2-丙烯-1-醇的光解离路径,分子内氢转移是其中大部分解离途径中的主要过程.  相似文献   
9.
硫腐蚀现象对变压器绝缘性能的破坏不容忽视,其中腐蚀性硫化物与铜绕组作用产生的硫化亚铜是导致绝缘性能降低的一个重要原因.在变压器内部无氧和有氧的情况下,硫化亚铜的生成主要是因为腐蚀性硫化物与铜或者与氧化亚铜发生了一系列反应.为深入研究铜缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)对铜绕组的缓蚀机理,采用分子模拟技术分析了BTA分子与铜晶体的电荷密度分布和态密度分布;同时利用过渡态搜索、红外光谱研究了BTA分子与氧化亚铜的反应过程.结果表明:加入BTA分子前后的铜表面态密度分布发生了变化,并且利用电荷密度分布图说明BTA分子与铜晶体形成了配位键;同时分析了BTA与氧化亚铜反应前后红外光谱的差异,发现BTA分子的结构已发生改变,与氧化亚铜形成了共价键.以上模拟结果说明BTA分子对铜和氧化亚铜有保护作用,能够抑制腐蚀性硫化物对铜绕组的腐蚀.  相似文献   
10.
Dong Wei 《中国物理 B》2021,30(11):117103-117103
The construction of van der Waals (vdW) heterostructures by stacking different two-dimensional layered materials have been recognised as an effective strategy to obtain the desired properties. The 3N-doped graphdiyne (N-GY) has been successfully synthesized in the laboratory. It could be assembled into a supercapacitor and can be used for tensile energy storage. However, the flat band and wide forbidden bands could hinder its application of N-GY layer in optoelectronic and nanoelectronic devices. In order to extend the application of N-GY layer in electronic devices, MoS2 was selected to construct an N-GY/MoS2 heterostructure due to its good electronic and optical properties. The N-GY/MoS2 heterostructure has an optical absorption range from the visible to ultraviolet with a absorption coefficient of 105 cm-1. The N-GY/MoS2 heterostructure exhibits a type-Ⅱ band alignment allows the electron-hole to be located on N-GY and MoS2 respectively, which can further reduce the electron-hole complexation to increase exciton lifetime. The power conversion efficiency of N-GY/MoS2 heterostructure is up to 17.77%, indicating it is a promising candidate material for solar cells. In addition, the external electric field and biaxial strain could effectively tune the electronic structure. Our results provide a theoretical support for the design and application of N-GY/MoS2 vdW heterostructures in semiconductor sensors and photovoltaic devices.  相似文献   
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