排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗111方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH_3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH_3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据. 相似文献
1