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1.
阮成礼 《中国科学A辑》1987,30(2):201-210
本文讨论了多端口网络测量的一般理论,提出用逐次降阶法来测量微波多端口网络.给出了双六端口,三六端口及多六端口网络分析仪校准及测量的全部公式.所有公式没有多值问题.校准与测量程序简单,不需要标准多端口网络来校准系统常数.  相似文献   
2.
3.
镍-PAN-OP光度法测定镁合金中微量镍   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文基于PAN在酸性溶液中,可与镍形成络合物这一特性,在Ni-PAN形成前,加入表面活性剂OP,使镍与PAN、OP形成三元络合物,来提高络合物的水溶性,络合物有二个吸收峰,分别位于535nm与565nm处,而以565nm吸收较大,ε_(565)=4.55×10~4。镁合金中存在的各干扰离子,可分别以柠檬酸和硫脲掩蔽之。方法灵敏度高,重现性好,操作简便,适用于纯镁和镁合金(ZM-2,6,7)中微量镍的测定。  相似文献   
4.
BaY2F8晶体生长基元与结晶机理的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文通过对BaY2F8晶体结构的分析,从晶体的生长基元为负离子配位多面体理论出发,对自然冷却条件下BaY2F8晶体自发结晶习性进行了研究,提出了以Ba2+为中心的近八配位十二面体和以Y3+为中心的近八配位十二面体是晶体生长的基元.并根据自发结晶的BaY2F8的XRD,说明了BaY2F8晶体的{200}、{130}、{021}、{330}、{-111}、{111}、{221}、{002}等面族比较发育的原因.本文证实了仲维卓的负离子配位多面体理论对BaY2F8晶体生长的适用性,并对探索新的BaY2F8单晶生长方法有参考作用.  相似文献   
5.
胺类化合物与4,4’-二氟苯偶酰的亲核取代反应研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用胺类化合物与4,4'-二氟苯偶酰的亲核取代反应合成了多种对称或不对称的4,4'-双(二烷氨基)苯偶酰.结构经元素分析,IR,1H NMR和MS确定.其中伯胺与4,4'-二氟苯偶酰的反应得到了一边取代、另外一边形成亚胺结构的产物,并对此反应机理进行了探讨.  相似文献   
6.
建立了同时测定碳酸饮料中2种对羟基苯甲酸酯的在线固相萃取-高效液相色谱-紫外检测(Online-SPE-HPLC-UV)方法。碳酸饮料样品经水稀释并经0.45μm微孔滤膜过滤,在线固相萃取柱(Acclaim 120C18)净化,Agilent Extend-C_(18)柱分离,紫外检测器检测。结果表明:2种对羟基苯甲酸酯在0.5~400μg/mL的浓度范围内线性良好,线性相关系数(r~2)均大于0.9999,检出限为0.1~0.2mg/kg,3个水平加标回收率为95.9%~105.2%,其相对标准偏差为1.6%~5.7%。本研究为快速准确的分离测定碳酸饮料中对羟基苯甲酸酯提供了有效方法。  相似文献   
7.
用停流FIA-分光光度法研究了铬(Ⅵ)-碘化钾动力学反应体系中铁(Ⅱ)和钒(Ⅳ)的协同诱导效应,以协同系数(D)表示二者相互作用程度的大小,在此基础上提出了一种新的动力学双组份同时测定的方法,本法可扩大前述方法的线性范围,并降低检测限,测定了模拟水样品中铁和钒的含量,结果满意。  相似文献   
8.
合成了双(烷氧-亚胺芳氧)基钛(IV)配合物, 通过IR, 1H NMR和元素分析对其进行表征, X射线单晶衍射测定了其晶体结构. 单晶结构分析表明, 该晶体属于三斜晶系, 空间群为P , a=14.294(9) Å, b=16.206(10) Å, c=18.458(12) Å, V=3911(4) Å3, Dc=1.098 g•cm-3, μ=0.262 mm-1, F(000)=1589, Z=2, R1=0.081, wR2=0.240. 实验结果表明该配合物在130 ℃以上能引发D,L-丙交酯单体开环聚合, 可得数均分子量(Mn)为8.8×104 g/mol的聚(D,L-乳酸)(PDLLA). 动力学研究表明该聚合反应对D,L-丙交酯单体浓度和催化剂浓度分别呈2级和1级, 表观活化能和频率因子分别为76.63 kJ/mol和2.91×1011. 通过苄基封端聚合物1H NMR谱的研究, 表明钛配合物引发D,L-丙交酯开环聚合是基于以Ti-O键为活性中心引发D,L-丙交酯单体酰氧键断裂开环聚合的“配位-插入”机理.  相似文献   
9.
腺嘌呤核苷酸(ATP、ADP和AMP)及磷酸肌酸(CP)是生物能量转换的主要成分。测定这些成分将 有助于了解组织器官的功能状态及某些能提高缺氧耐力的药物与改善能量代谢的可能关系。HPLC可以同时测定多种核苷酸成分,但要同时测定CP却有困  相似文献   
10.
GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种材料制作的不同电极间隙类型的光导开关的开关时间响应速度、导通光能与饱和触发激光能量、线性与非线性工作模式及触发稳定性等特性.结果表明,利用InP和GaAs两种材料制作的光导开关都具有达到皮秒级的超快时间响应,其对时间最佳响应与偏置电场有关.两种开关的多次触发时间抖动在几个皮秒范围,输出电压峰峰值抖动优于10%.GaAs开关的非线性工作电场阈值比InP开关低,更容易实现非线性输出.  相似文献   
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