第一性原理对NaBen(n=1—12)团簇最低能量结构及其电子性质的研究

从第一性原理出发对NaBe_n(n=1—12)团簇的最低能量结构和电子性质进行了研究.结果表明，掺杂原子(Na)导致主团簇Be_n的几何结构发生显著变化；出现了共价键和金属键的成键特性；Na-Be最近邻间距和能隙随着团簇尺寸的增加出现了振荡;n=4是团簇的幻数. 关键词： n团簇')" href="#">NaBe_n团簇 最低能量结构 电子性质     

第一性原理计算MgBeN（N=1～7）团簇的最低能量结构及其电子性质

本文从第一性原理出发，利用密度泛函理论（DFT）计算了MgBeN（N=1—7）团簇的最低能量结构及其电子性质．计算结果表明，MgBeN（N=1—7）团簇最低能量结构的对称性与单一组分的镀团簇相比有所降低，Mg-Be最近邻原子间距和能隙随团簇尺寸的增加出现了振荡现象，从结构稳定性上来看。N=3是MgBeN（N=1—7）团簇的一个幻数。     

利用密度泛函理论研究BnNi(n≤5)小团簇的结构和磁性

基于第一性原理，用密度泛函理论中的广义梯度近似方法，获得了B_nNi(n≤5)小团簇在不同自旋多重度下的几何构型，确定了最低能量结构，并计算了相应的频率、平均结合能和磁性. 结果表明：B_nNi(n≤5)小团簇最低能量结构的自旋多重度分别为2，1，2，1，2；Ni掺入B团簇后增大了其结合能；Ni原子磁矩和团簇总磁矩随团簇尺寸增大而呈现振荡趋势. 关键词： nNi小团簇')" href="#">B_nNi小团簇 自旋多重度 磁性     

第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构

用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响.     

Chemisorption of Fe on Au-passivated Si（001） surface

The chemisorption of one monolayer of Fe atoms on a Au-passivated Si(001) surface is studied by using the self-consistent tight-binding linear muffin-tin orbital method. The Fe adatom chemisorption on an ideal Si(001) surface is also considered for comparison. The chemisorption energy and layer projected density of states for a monolayer of Fe atoms on Au-passivated Si(001) surface are calculated and compared with that of the Fe atoms on an ideal Si(001) surface. The charge transfer is investigated. It is found that the most stable position is at the fourfold hollow site for the adsorbed Fe atoms, which might sit below the Au surface. Therefore there will be a Au－Fe mixed layer at the Fe/Au－Si(100) interface. It is found that the adsorbed Fe atoms cannot sit below the Si surface, indicating that a buffer layer of Au atoms may hinder the intermixing of Fe atoms and Si atoms at the Fe/Au－Si(001) interface effectively, which is in agreement with the experimental results.     

FeBN(N≤6)团簇的结构与磁性

利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA),在考虑自旋多重度后,预测了FeBN(N≤6)团簇的基态结构.结果表明基态团簇的自旋多重度分另4为4,3,2,1,2和1,其中FeB4团簇比较稳定.同时对FeBN(N≤6)基态团簇的磁性做了系统地研究,发现除了FeB5团簇外,FeBN(N≤6)团簇的总磁矩和Fe原子磁矩随团簇尺寸的增大而减小.     

稀磁半导体(Ga1-xFex)As的电子结构,磁性及其稳定性的第一性原理研究

采用基于第一性原理的紧束缚近似线性muffin-tin轨道(TB-LMTO-ASA)的方法,在原子球近似的基础上计算了均匀掺杂的稀磁半导体(Ga1-xFex)As在各掺杂浓度下(x=1,1/2,1/4和1/8)的总能量,由能量最低原理得到其在各稳定点的晶格常数,磁性及相应态密度.计算结果表明了(Ga1-xFex)As的晶格常数随掺杂浓度的增大而减小,在各掺杂浓度下(除x=1)样品都是反铁磁态的,Fe 3d和As 4p之间杂化是引起样品电子结构和磁性变化的主要原因.     

密度泛函理论研究Be_nNa(n=2~14)团簇的结构及其电子性质(英文)

基于密度泛函理论研究了BenNa(n=2~14)团簇的最低能量结构及其电子性质,具体采用的计算方法是B3LYP/6-311G(d).对于每一尺寸的团簇,我们从多个可能构型出发来寻找其最低能量结构.计算结果表明:钠原子易于附着在铍团簇的表面;Be4Na和Be9Na均具有较高的平均结合能及能隙,n=4,9是团簇的幻数;在所有的BenNa(n=2~14)团簇中,钠原子均失去电子;随着团簇尺寸n的增大,团簇内部原子间的相互作用是共价键和金属键共存.     

第一性原理对Ga_nN_n(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究

利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上对GanNn(n=2~5)团簇的结构进行优化,得到了GanNn(n=2~5)团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析.结果表明,团簇的最稳定结构为平面结构,且存在着N2和N3单元,说明N-N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用;能隙间隔为1.776~3.563eV,表明GanNn(n=2~5)团簇已具有了半导体的性质.     

FeBN(N≤6)团簇的结构与磁性

利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)，在考虑自旋多重度后，预测了FeB_N(N≤6)团簇的基态结构.结果表明基态团簇的自旋多重度分别为4，3，2，1，2和1，其中FeB₄团簇比较稳定.同时对FeB_N(N≤6)基态团簇的磁性做了系统地研究，发现除了FeB₅团簇外，FeB_N(N≤6)团簇的总磁矩和Fe原子磁矩随团簇尺寸的增大而减小. 关键词： N团簇')" href="#">FeB_N团簇 自旋多重度 磁矩